KIA 原厂现货 50A650V，兼容 IKW50N65，降本替代进口料
KGM50N65AI，50A650V IGBT，TO247 IGBT，国产 IGBT，可易亚 IGBT
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品名称 | 50A 650V Silicon Power IGBT |
| 物料型号 | KGM50N65I（丝印：50N65AI） |
| 封装规格 | TO-247；引脚：1-G、2-C、3-E，内置续流二极管 |
| 品牌厂商 | KIA可易亚半导体 |
| 分类 | 明细内容 |
|---|---|
| 核心产品特点 |
1.VCE(sat)典型1.58V@25℃；2.低饱和压降损耗 3.高速开关；4.高鲁棒性；5.短路耐受规格 |
| 产品应用场景 | 光伏逆变器、UPS不间断电源、工业感应加热、储能电源设备 |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 规格 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | IKW50N65H5 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 英飞凌 | IKW50N65T | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 仙童/ON | FGL50N65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| IR | IRG50C60PD | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 三菱 | GT50J65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 富士 | 2MBI50N65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 士兰微 | SVF50N65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 华润微 | CRG50T65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 扬杰 | YGD50N65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 捷捷 | JJW50N65 | TO-247 | 50A 650V IGBT |
| 项目 | 内容说明 |
|---|---|
| 产品型号 | KGM50N65AI |
| 封装类型 | TO-247 直插大功率封装 |
| 核心规格 | 650V/50A 高功率IGBT |
| 内置结构 | 集成快速续流二极管 |
| 饱和压降 | 典型1.58V@25℃，低损耗 |
| 开关特性 | 高速开关，低开关损耗 |
| 短路能力 | 高鲁棒性，短路耐受更强 |
| 工作温度 | -40℃~+150℃，宽温稳定 |
| 适用领域 | 光伏、UPS、储能、感应加热 |
| 卖点 | 优势说明 |
|---|---|
| 低损耗 | VCE(sat)低，发热小，效率高 |
| 高速开关 | 开关速度快，系统效率更高 |
| 高可靠性 | 芯片稳定，长期工作不失效 |
| 强抗冲击 | 短路耐受，适合工业环境 |
| 直接替代 | 引脚兼容主流品牌，免改板 |
| 成本优势 | 国产原厂，性价比更高 |
| 应用分类 | 适用产品 |
|---|---|
| 新能源 | 光伏逆变器、储能变流器 |
| 工业电源 | UPS、EPS、高频开关电源 |
| 工业加热 | 电磁感应加热、焊机设备 |
| 电机驱动 | 变频器、伺服驱动系统 |
| 通用大功率 | 高频逆变、大功率设备 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 集射极击穿电压 | VCE | 650 | V | Tj=25℃,VGE=0V |
| 100℃直流集电极电流 | IC | 50 | A | Tjmax，Tc=100℃ |
| 脉冲集电极电流 | ICpuls | 100 | A | 脉冲受芯片结温限制 |
| 100℃二极管正向电流 | IF | 50 | A | Tjmax，Tc=100℃ |
| 二极管脉冲电流 | IFpuls | 100 | A | 脉冲受芯片结温限制 |
| 常规栅射极电压 | VGE | ±20 | V | 常态驱动额定电压 |
| 瞬态栅射极耐压 | VGE | ±30 | V | 短时瞬时耐压参数 |
| 25℃芯片耗散功率 | Ptot | 275 | W | Tc=25℃壳体温度 |
| 工作结温范围 | Tj(op) | -40~+150 | ℃ | 芯片正常工作温度区间 |
| 器件存储温度 | Tstg | -40~+150 | ℃ | 元器件仓储保存温度 |
| 引脚焊接温度 | - | 260 | ℃ | 引脚1.6mm处，焊接时长10s |
| M3螺丝安装扭力 | M | - | Nm | 最多3次拆装安装工艺 |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| IGBT芯片结到壳热阻 | Rθ(J-C) | 0.45 | ℃/W |
| 续流二极管结壳热阻 | Rθ(J-C) | TBC | ℃/W |
| 芯片结到环境热阻 | Rθ(J-A) | TBC | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集射极击穿电压 | V(BR)CES | 650 | - | - | V | VGE=0V,IC=250μA |
| 集射极击穿电压 | V(BR)CES | 650 | - | - | V | VGE=0V,IC=1mA |
| 饱和压降25℃ | VCE(sat) | - | 1.58 | 2.1 | V | VGE=15V,IC=60A,Tj=25℃ |
| 饱和压降150℃ | VCE(sat) | - | 1.95 | - | V | VGE=15V,IC=60A,Tj=150℃ |
| 二极管正向压降25℃ | VF | - | 1.63 | 2.1 | V | VGE=0V,IF=60A,Tj=25℃ |
| 二极管正向压降150℃ | VF | - | 1.37 | - | V | VGE=0V,IF=60A,Tj=150℃ |
| 栅极开启阈值电压 | VGE(th) | 4.2 | 5 | 5.8 | V | VCE=VGE,IC=250μA |
| 零栅压集电极漏电流25℃ | ICES | - | - | 1 | mA | VCE=650V,VGE=0V,Tj=25℃ |
| 零栅压集电极漏电流150℃ | ICES | - | TBC | - | mA | VCE=650V,VGE=0V,Tj=150℃ |
| 栅极漏电流 | IGES | - | - | 200 | nA | VCE=0V,VGE=±20V |
| 跨导参数 | gfs | - | 77 | - | S | VCE=20V,IC=60A |
| 参数名称 | 符号 | Typ值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容Cies | Cies | 5500 | pF | VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz |
| 输出电容Coes | Coes | TBC | pF | |
| 反向传输电容Cres | Cres | 110 | pF | |
| 总栅极电荷Qg | QG | 500 | nC | VCC=520V,IC=60A,VGE=15V |
| 开通延迟时间 | td(on) | 30 | nS |
VCC=400V,IC=60A VGE=0/15V,Rg=12Ω |
| 电压上升时间 | tr | 70 | nS | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 20 | nS | |
| 电流下降时间 | tf | 40 | nS | |
| 开通损耗能量 | Eon | 2.25 | mJ | 同上开关测试条件 |
| 关断损耗能量 | Eoff | 0.5 | mJ | 同上开关测试条件 |
| 总开关损耗 | Ets | TBC | mJ | 同上开关测试条件 |
| 二极管反向恢复时间 | trr | 133 | nS | IF=40A,VR=300V,di/dt=600A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 1.48 | μC | |
| 反向恢复峰值电流 | IrrM | 21 | A | |
| 反向电流下降速率 | dirr/dt | TBC | A/μs | 同二极管恢复测试条件 |
联系方式：邹先生
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