4.3mΩ 低内阻 高散热 高可靠性
KNY3403C、KNY3403C MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N沟道MOSFET
| 1. 产品基本信息 | |||
| 品牌 | KIA | 器件类型 | N沟道增强型MOSFET |
| 额定电压VDS | 30V | 额定电流ID(Tc=25℃) | 80A |
| DFN封装典型Rds(on) | 4.3mΩ@VGS=10V | TO封装典型Rds(on) | 4.5mΩ@VGS=10V |
| 2. 型号与对应封装 | |||
| Part Number | Package | Brand | 备注 |
| KNG3403C | DFN3*3 | KIA | 8引脚封装 |
| KNY3403C | DFN5*6 | KIA | 8引脚封装 |
| KND3403C | TO-252 | KIA | 3引脚封装 |
| KNB3403C | TO-263 | KIA | 3引脚封装 |
| 3. 产品特点 | |||
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| 4. 典型应用 | |||
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| 5. 引脚定义 | |||
| 封装类型 | 引脚编号 | 引脚功能 | 说明 |
| DFN3*3/DFN5*6 | 4 | Gate(栅极) | 控制极 |
| DFN3*3/DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain(漏极) | 电流输入端 |
| DFN3*3/DFN5*6 | 1,2,3 | Source(源极) | 电流输出端 |
| TO-252/TO-263 | 1 | Gate(栅极) | 控制极 |
| TO-252/TO-263 | 2 | Drain(漏极) | 电流输入端 |
| TO-252/TO-263 | 3 | Source(源极) | 电流输出端 |
| 6. 绝对最大额定值 (Tc=25℃) | |||
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 80 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 45 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 306 | mJ |
| 功耗(DFN封装, Tc=25℃) | PD | 70 | W |
| 功耗(TO封装, Tc=25℃) | PD | 83 | W |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 焊接最高温度(5秒) | TL | 300 | ℃ |
| 7. 热特性参数 | |||
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
| 结到壳热阻(DFN封装) | RθJC | 1.8 | ℃/W |
| 结到壳热阻(TO封装) | RθJC | 1.5 | ℃/W |
| 8. 电气特性参数 (Tc=25℃) | |||
| 参数名称 | 测试条件 | 典型/范围值 | 单位 |
| 漏源击穿电压BVdss | VGS=0V, ID=250uA | Min: 30V | V |
| 漏源漏电流IDSS | VDS=30V, VGS=0V | Max: 1uA | uA |
| 栅源漏电流IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | Max: ±100nA | nA |
| 栅极阈值电压VGS(th) | VDS=VDS, ID=250uA | 1.0~2.2V(典型1.6V) | V |
| 导通电阻Rds(on)(DFN) | VGS=10V, ID=20A | 4.3~6.0mΩ(典型4.3mΩ) | mΩ |
| 导通电阻Rds(on)(TO) | VGS=10V, ID=20A | 4.5~6.0mΩ(典型4.5mΩ) | mΩ |
| 导通电阻Rds(on)(DFN) | VGS=4.5V, ID=20A | 6.7~9.2mΩ(典型6.7mΩ) | mΩ |
| 导通电阻Rds(on)(TO) | VGS=4.5V, ID=20A | 7.5~9.2mΩ(典型7.5mΩ) | mΩ |
| 输入电容Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型1972pF | pF |
| 输出电容Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型214pF | pF |
| 反向传输电容Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型176pF | pF |
| 开通延迟时间td(on) | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型21ns | ns |
| 上升时间tr | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型16ns | ns |
| 关断延迟时间td(off) | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型62ns | ns |
| 下降时间tf | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型12ns | ns |
| 总栅极电荷Qg | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型37.2nC | nC |
| 栅源电荷Qgs | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型5.7nC | nC |
| 栅漏电荷Qgd | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型7.6nC | nC |
| 连续二极管正向电流Is | — | 80 | A |
| 脉冲二极管正向电流Ism | — | 320 | A |
| 二极管正向电压VSD | ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ | 典型32ns | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ | 典型12nC | nC |
| KNG/KNY/KND/KNB3403C 型号封装表 | |||
| 产品型号 | 封装规格 | 产品型号 | 封装规格 |
| KNG3403C | DFN3*3 | KNY3403C | DFN5*6 |
| KND3403C | TO-252 | KNB3403C | TO-263 |
| 核心参数 | |||
| 类型 | N沟道MOSFET | 耐压 | 30V |
| 电流 | 80A | 内阻 | 4.3mΩ起 |
| 特性 | 低损耗、低发热、高频快速开关 | ||
| 官方官宣KNY3403C（客户痛点版） | |||
| 1. 解决电源发热大、效率低、温升超标 | |||
| 2. 超低内阻，降低损耗，提升转换效率 | |||
| 3. 开关速度快，适合高频快充与电源 | |||
| 4. 全系列封装，满足不同结构设计 | |||
| 5. 高可靠性，雪崩测试，减少烧管风险 | |||
| 6. 完美替代进口，性价比高交期稳定 | |||
| 7. 符合RoHS，适用于工业与消费类产品 | |||
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全系列直接平替替代型号
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| 品牌 | 竞品型号 | 参数 | 对应封装 |
| AOS万代 | AON3403 / AO3403 | 30V 80A | DFN3*3/DFN5*6 |
| ON安森美 | NTMS3403 | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| TI德州仪器 | CSD16340Q5A | 30V 80A | DFN3*3 |
| 威兆 | VS3403DE | 30V 80A | DFN3*3 |
| 新洁能 | NCE30ND80 | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| 华羿 | HY3403A | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| 扬杰 | YJQ3403A | 30V 80A | DFN3*3 |
| 长电 | CJAC3403 | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| 典型应用领域 | |||
| PD/QC快充、同步整流、DC-DC电源 | |||
| BMS电池管理、电池保护板、负载开关 | |||
| UPS、工控设备、电机驱动、消费电子 | |||
注：以上参数数据来源于KIA官方规格书，仅供选型参考。
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