DFN3*3 4.3mΩ 低内阻 高效低耗
KNG3403C、KNG3403C MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN3*3 MOSFET、N沟道MOSFET
| 1. 产品基本信息 | ||||
| 品牌 | KIA | 器件类型 | N沟道增强型MOSFET | |
| 额定电压VDS | 30V | 额定电流ID(Tc=25℃) | 80A | |
| DFN封装典型Rds(on) | 4.3mΩ@VGS=10V | TO封装典型Rds(on) | 4.5mΩ@VGS=10V | |
| 2. 型号与对应封装 | ||||
| Part Number | Package | Brand | 备注 | |
| KNG3403C | DFN3*3 | KIA | 8引脚封装 | |
| KNY3403C | DFN5*6 | KIA | 8引脚封装 | |
| KND3403C | TO-252 | KIA | 3引脚封装 | |
| KNB3403C | TO-263 | KIA | 3引脚封装 | |
| 3. 产品特点 | ||||
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| 4. 典型应用 | ||||
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| 5. 引脚定义 | ||||
| 封装类型 | 引脚编号 | 引脚功能 | 说明 | |
| DFN3*3/DFN5*6 | 4 | Gate(栅极) | 控制极 | |
| DFN3*3/DFN5*6 | 5,6,7,8 | Drain(漏极) | 电流输入端 | |
| DFN3*3/DFN5*6 | 1,2,3 | Source(源极) | 电流输出端 | |
| TO-252/TO-263 | 1 | Gate(栅极) | 控制极 | |
| TO-252/TO-263 | 2 | Drain(漏极) | 电流输入端 | |
| TO-252/TO-263 | 3 | Source(源极) | 电流输出端 | |
| 6. 绝对最大额定值 (Tc=25℃) | ||||
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | |
| 漏源电压 | VDSS | 30 | V | |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 80 | A | |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 45 | A | |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A | |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 306 | mJ | |
| 功耗(DFN封装, Tc=25℃) | PD | 70 | W | |
| 功耗(TO封装, Tc=25℃) | PD | 83 | W | |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | |
| 焊接最高温度(5秒) | TL | 300 | ℃ | |
| 7. 热特性参数 | ||||
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 | |
| 结到壳热阻(DFN封装) | RθJC | 1.8 | ℃/W | |
| 结到壳热阻(TO封装) | RθJC | 1.5 | ℃/W | |
| 8. 电气特性参数 (Tc=25℃) | ||||
| 参数名称 | 测试条件 | 典型/范围值 | 单位 | |
| 漏源击穿电压BVdss | VGS=0V, ID=250uA | Min: 30V | V | |
| 漏源漏电流IDSS | VDS=30V, VGS=0V | Max: 1uA | uA | |
| 栅源漏电流IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | Max: ±100nA | nA | |
| 栅极阈值电压VGS(th) | VDS=VDS, ID=250uA | 1.0~2.2V(典型1.6V) | V | |
| 导通电阻Rds(on)(DFN) | VGS=10V, ID=20A | 4.3~6.0mΩ(典型4.3mΩ) | mΩ | |
| 导通电阻Rds(on)(TO) | VGS=10V, ID=20A | 4.5~6.0mΩ(典型4.5mΩ) | mΩ | |
| 导通电阻Rds(on)(DFN) | VGS=4.5V, ID=20A | 6.7~9.2mΩ(典型6.7mΩ) | mΩ | |
| 导通电阻Rds(on)(TO) | VGS=4.5V, ID=20A | 7.5~9.2mΩ(典型7.5mΩ) | mΩ | |
| 输入电容Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型1972pF | pF | |
| 输出电容Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型214pF | pF | |
| 反向传输电容Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 典型176pF | pF | |
| 开通延迟时间td(on) | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型21ns | ns | |
| 上升时间tr | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型16ns | ns | |
| 关断延迟时间td(off) | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型62ns | ns | |
| 下降时间tf | VGS=10V, VDS=15V, RG=2.7Ω, ID=30A | 典型12ns | ns | |
| 总栅极电荷Qg | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型37.2nC | nC | |
| 栅源电荷Qgs | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型5.7nC | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 典型7.6nC | nC | |
| 连续二极管正向电流Is | — | 80 | A | |
| 脉冲二极管正向电流Ism | — | 320 | A | |
| 二极管正向电压VSD | ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ | 1.2 | V | |
| 反向恢复时间trr | IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ | 典型32ns | ns | |
| 反向恢复电荷Qrr | IF=80A, di/dt=100A/us, TJ=25℃ | 典型12nC | nC | |
| KNG/KNY/KND/KNB3403C 型号与封装 | |||
| 产品型号 | 封装规格 | 产品型号 | 封装规格 |
| KNG3403C | DFN3*3 | KNY3403C | DFN5*6 |
| KND3403C | TO-252 | KNB3403C | TO-263 |
| 核心性能参数 | |||
| 类型 | N沟道MOSFET | 电压 | 30V |
| 电流 | 80A | 内阻 | 4.3mΩ起 |
| 应用 | 快充、BMS、电源、整流、开关 | ||
| 官方宣传KNG3403C介绍（核心优势） | |||
| 1. 30V/80A大电流，全规格封装覆盖 | |||
| 2. 超低导通电阻，发热小、效率更高 | |||
| 3. 开关速度快，适合高频电源应用 | |||
| 4. 100%雪崩测试，可靠性强更耐用 | |||
| 5. 抗干扰能力强，电路运行更稳定 | |||
| 6. 环保无铅，符合RoHS指令要求 | |||
| 7. 完美替代进口，性价比与交期更优 | |||
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全系列直接平替替代型号对照表 |
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| 品牌 | 竞品型号 | 参数 | 对应封装 |
| AOS万代 | AON3403 / AO3403 | 30V 80A | DFN3*3/DFN5*6 |
| ON安森美 | NTMS3403 | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| TI德州仪器 | CSD16340Q5A | 30V 80A | DFN3*3 |
| 威兆半导体 | VS3403DE | 30V 80A | DFN3*3 |
| 新洁能 | NCE30ND80 | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| 华羿微 | HY3403A | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| 扬杰科技 | YJQ3403A | 30V 80A | DFN3*3 |
| 长电科技 | CJAC3403 | 30V 80A | DFN3*3/TO-252 |
| 典型应用领域 | |||
| PD/QC快充适配器、同步整流电路 | |||
| BMS电池管理、电池保护板、负载开关 | |||
| DC-DC电源、UPS、工控、消费电子 | |||
注：以上参数数据来源于KIA官方规格书，仅供选型参考。
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