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1. 产品基本信息
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品牌
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KIA
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型号系列
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3080A
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产品型号
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KNY3080A
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封装规格
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DFN5*6
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器件类型
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N沟道增强型MOSFET
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额定电压VDS
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30V
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连续电流ID(Tc=25℃)
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80A
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典型Rds(on)@VGS=10V
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4.2mΩ
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2. 产品特点
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先进沟槽工艺，性能优异
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极低导通电阻，降低电路损耗
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超低栅电荷，开关速度快
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优异抗干扰能力，稳定性强
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100% ΔVds与UIS测试，可靠性高
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绿色环保器件，符合RoHS标准
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3. 引脚定义
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封装类型
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引脚编号
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引脚功能
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说明
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DFN5*6
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4
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Gate(栅极)
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控制极
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DFN5*6
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5,6,7,8
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Drain(漏极)
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电流输入端
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DFN5*6
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1,2,3
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Source(源极)
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电流输出端
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4. 绝对最大额定值 (TA=25℃)
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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VDS
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30
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V
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栅源电压
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VGS
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±20
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V
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连续漏极电流(Tc=25℃)
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ID
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80
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A
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连续漏极电流(Tc=100℃)
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ID
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51
|
A
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脉冲漏极电流
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IDM
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320
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A
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功耗(Tc=25℃)
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PD
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65.2
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W
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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156
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mJ
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工作/存储温度范围
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TJ, TSTG
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-55 ~ 150
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℃
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5. 热特性参数
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参数名称
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符号
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最大值
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单位
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结到壳热阻
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RθJC
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2.3
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℃/W
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6. 电气特性参数 (TA=25℃)
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参数名称
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测试条件
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典型/范围值
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单位
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漏源击穿电压BVdss
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VGS=0V, ID=250uA
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Min: 30V
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V
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漏源漏电流IDSS
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VDS=30V, VGS=0V
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Max: 1uA
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uA
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栅源漏电流IGSS
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VGS=±20V, VDS=0V
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Max: ±100nA
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nA
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栅极阈值电压VGS(th)
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VDS=VDS, ID=250uA
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1.0~2.5V(典型1.5V)
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V
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导通电阻Rds(on)
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VGS=10V, ID=30A
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4.2~5.0mΩ(典型4.2mΩ)
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mΩ
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导通电阻Rds(on)
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VGS=4.5V, ID=20A
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6.5~8.5mΩ(典型6.5mΩ)
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mΩ
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栅极电阻Rg
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VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz
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典型2.8Ω
|
Ω
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输入电容Ciss
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VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
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典型1675pF
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pF
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输出电容Coss
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VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
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典型230pF
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pF
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反向传输电容Crss
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VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
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典型188pF
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pF
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开通延迟时间td(on)
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VDS=15V, VGS=10V, RG=5Ω, ID=20A
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典型6.8ns
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ns
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上升时间tr
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VDS=15V, VGS=10V, RG=5Ω, ID=20A
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典型12ns
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ns
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关断延迟时间td(off)
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VDS=15V, VGS=10V, RG=5Ω, ID=20A
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典型30ns
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ns
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下降时间tf
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VDS=15V, VGS=10V, RG=5Ω, ID=20A
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典型8ns
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ns
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总栅极电荷Qg
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VDS=15V, VGS=10V, ID=20A
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典型33nC
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nC
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栅源电荷Qgs
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VDS=15V, VGS=10V, ID=20A
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典型4.3nC
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nC
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栅漏电荷Qgd
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VDS=15V, VGS=10V, ID=20A
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典型7.2nC
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nC
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连续二极管正向电流IsD
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—
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80
|
A
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二极管正向电压VSD
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VGS=0V, ISD=20A, TJ=25℃
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1.2
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V
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反向恢复时间trr
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TJ=25℃, IF=20A, di/dt=100A/us
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典型10.5ns
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ns
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反向恢复电荷Qrr
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TJ=25℃, IF=20A, di/dt=100A/us
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典型3.2nC
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nC
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