4.1mΩ 超低导通电阻，替代进口，高效散热，快充 / 电池管理方案首选
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| 型号 | KNY3080B (3080B) |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 类型 | N沟道沟槽型MOSFET |
| 封装 | DFN5×6 |
| 额定电压(VDS) | 30V |
| 额定电流(ID) | 80A (Tc=25℃) |
| 低导通电阻 | RDS(ON)=4.1mΩ(typ)@VGS=10V |
| 低栅极电荷 | Qg=32nC(typ) |
| 环保器件 | 支持无铅/绿色封装 |
| 抗dv/dt能力 | 优异的dv/dt抑制效果 |
| 快充同步整流 | AC/DC快速充电器 |
| 电池管理 | 电池保护/均衡电路 |
| 不间断电源 | UPS系统 |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 4 | Gate (栅极) |
| 5,6,7,8 | Drain (漏极) |
| 1,2,3 | Source (源极) |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID (Tc=25℃) | 80 | A |
| 连续漏极电流 | ID (Tc=100℃) | 30 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 160 | A |
| 总功耗 | PD (Tc=25℃) | 25 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 58 | mJ |
| 工作/存储温度 | TJ, TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 60.5 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 栅极电阻 | RG | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V, ID=30A | - | 44 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1550 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 230 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 8 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 100 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 34 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=15A | - | 101 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 32 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A | - | 8.5 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | IS | - | - | - | 80 | A |
| 体二极管脉冲电流 | ISM | - | - | - | 140 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=1A | - | - | 1 | V |
| 产品定位 | 高性能30V N沟道沟槽MOSFET，DFN5×6小型化封装 |
| 核心优势 | 超低导通电阻、低栅极电荷、大电流高可靠性 |
| 适用场景 | 快充同步整流、电池保护、电源管理、UPS设备 |
| 品质保障 | 无铅环保封装，优异dv/dt耐受，工业级温度范围 |
8、KNY3080B平替替代型号对照表
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 参数匹配 |
|---|---|---|---|
| AO | AO3400A | DFN5×6 | 30V N沟道MOSFET |
| ON | NTMS3N06P | DFN5×6 | 30V大电流MOSFET |
| TI | CSD16323Q5A | DFN5×6 | 30V同步整流专用 |
| 威兆 | VS3608DE | DFN5×6 | 30V/80A兼容替代 |
| 新洁能 | NCE3080Q | DFN5×6 | 30V N沟道直接竞品 |
| 华羿 | HY3080D | DFN5×6 | 30V快充专用MOS |
| 士兰微 | SL3080DA | DFN5×6 | 30V大电流功率器件 |
| 扬杰 | YJ3080Q5 | DFN5×6 | 30V DFN封装竞品 |
| 超低导通 | 4.1mΩ典型值，VGS=10V，大幅降低损耗 |
| 大电流 | 80A连续电流，160A脉冲电流，强带载能力 |
| 低电荷 | 32nC总栅极电荷，提升开关效率 |
| 宽温域 | -55℃~150℃，适应严苛工作环境 |
| 小体积 | DFN5×6封装，节省PCB空间，易散热 |
| 对比进口 | 性能一致，成本更低，交期更稳定 |
| 对比国产 | 导通电阻更低，温升更小，可靠性更高 |
| 方案适配 | Pin-Pin兼容，无需改板，直接替换 |
| 应用保障 | 快充/电池场景专项优化，稳定性强 |
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