国产低阻大电流 MOSFET，Pin-Pin 兼容，交期稳定，无需改板
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| 型号 | KNX3403B (3403B) |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 类型 | N沟道增强型功率MOSFET |
| 封装1 | KND3403B - TO-252 |
| 封装2 | KNY3403B - DFN5×6 |
| 额定电压(VDS) | 30V |
| 额定电流(ID) | 85A (Tc=25℃) |
| 核心工艺 | KIA LV MOSFET技术，低导通电阻 |
| 导通电阻 | RDS(ON)=4.5mΩ(typ.) @VGS=10V |
| 栅极电荷 | 低Qg，开关性能优异 |
| 反向电容 | 低Crss，降低开关损耗 |
| 开关速度 | Fast switching，高频场景适配 |
| 抗干扰能力 | Improved dv/dt capability |
| 主要领域 | UPS不间断电源、逆变系统电源管理 |
| 功能 | DFN5×6引脚 | TO-252引脚 |
|---|---|---|
| Gate (栅极) | 4 | 1 |
| Drain (漏极) | 5,6,7,8 | 2 |
| Source (源极) | 1,2,3 | 3 |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3403B | TO-252 | KIA |
| KNY3403B | DFN5×6 | KIA |
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | 30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=25℃ | 85 | A |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=100℃ | 61 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | - | 340 | A |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 156 | mJ |
| 总功耗 | PD | Tc=25℃ | 71 | W |
| 功耗降额系数 | - | Above 25℃ | 0.47 | W/℃ |
| 工作/存储温度 | TJ, TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.1 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDS | VGS=0V, I=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 导通特性 | ||||||
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 0.8 | 1.3 | 2.5 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 4.5 | 5.5 | mΩ |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=15A | - | 5.5 | 7.2 | mΩ |
| 栅极电阻 | RG | f=1.0MHz | - | 5 | - | Ω |
| 动态特性 | ||||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2200 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 270 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 205 | - | pF |
| 开关特性 | ||||||
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω | - | 11 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω | - | 87 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω | - | 140 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=20V, VGS=4.5V, ID=60A, RG=1.8Ω | - | 82 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=24V, ID=30A, VGS=10V | - | 47 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDD=24V, ID=30A, VGS=10V | - | 8.5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDD=24V, ID=30A, VGS=10V | - | 9.9 | - | nC |
| 体二极管特性 | ||||||
| 连续源极电流 | IS | - | - | - | 85 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | - | 340 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1.4 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IS=30A, di/dt=100A/μs | - | 15 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | VGS=0V, IS=30A, di/dt=100A/μs | - | 7 | - | μC |
| 产品型号 | KNY3403B |
| 封装规格 | DFN5×6 低损耗大电流封装 |
| 核心定位 | 30V/85A 低阻N沟道功率MOSFET |
| 核心优势 | 4.5mΩ超低导通，低Qg，高效率 |
| 品质保障 | 宽温域，高雪崩，抗冲击耐用 |
10、KNY3403B （DFN5×6封装）型号完全对照表
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 参数匹配 |
|---|---|---|---|
| 万代 | AO3404A | DFN5×6 | 30V N沟道MOSFET |
| 安森美 | NTZD3156N | DFN5×6 | 30V大电流MOS |
| 德州仪器 | CSD16326Q5A | DFN5×6 | 30V同步整流专用 |
| 威兆 | VS3609DE | DFN5×6 | 30V/85A直接替代 |
| 新洁能 | NCE3403Q | DFN5×6 | 30V DFN5×6竞品 |
| 华羿 | HY3403D | DFN5×6 | 30V UPS/逆变专用 |
| 士兰微 | SL3403DA | DFN5×6 | 30V功率MOSFET |
| 扬杰 | YJ3403Q5 | DFN5×6 | 30V DFN5×6对标 |
| 超低导通 | 4.5mΩ典型值，降低发热损耗 |
| 超大电流 | 85A连续，340A脉冲，强带载 |
| 稳定可靠 | 156mJ雪崩能量，抗冲击不炸管 |
| 低栅电荷 | 47nC Qg，开关快损耗小 |
| 适配高频 | 优异dv/dt能力，高频更稳定 |
| 对比进口 | 性能一致，成本更低，交期更稳 |
| 对比国产 | 导通电阻更低，温升更小更耐用 |
| 替换方案 | Pin-Pin兼容，无需改板直接换 |
| 应用适配 | UPS/逆变/电源管理场景专用 |
| 工业电源 | UPS不间断电源、逆变系统 |
| 电源管理 | 大功率电源、DC-DC转换器 |
| 消费电子 | 快充适配器、同步整流模块 |
| 通讯设备 | 通信电源、负载开关控制 |
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