4.1mΩ 低阻、35nC 低 Qg，适配快充、电池保护、工业电源
KNG3080B 参数，30V 80A N 沟道 MOSFET, DFN3×3 封装 MOSFET, 低栅极电荷 MOSFET, 工业电源 MOSFET, 电池保护 MOSFET, 电源管理 MOSFET 选型
| 型号 | KNG3080B (3080B) |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 类型 | N沟道沟槽型MOSFET |
| 封装 | DFN3×3 |
| 额定电压(VDS) | 30V |
| 额定电流(ID) | 80A (Tc=25℃) |
| 工艺 | Si N-Channel trench MOSFET |
| 导通电阻 | RDS(ON)=4.1mΩ(typ.) @VGS=10V |
| 性能优化 | 低RDS(ON) & FOM值 |
| 驱动友好 | Easy to use/drive |
| 环保合规 | RoHS compliant |
| 主要领域 | Power Management (电源管理) |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 4 | Gate (栅极) |
| 5,6,7,8 | Drain (漏极) |
| 1,2,3 | Source (源极) |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG3080B | DFN3×3 | KIA |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 80 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 50 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A |
| 总功耗 | PD | 70 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 308 | mJ |
| 最高结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.8 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1540 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 185 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 8 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 40 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 95 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=2.7Ω, ID=30A | - | 50 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, VGS=10V, ID=30A | - | 35 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V, VGS=10V, ID=30A | - | 6 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=15V, VGS=10V, ID=30A | - | 7 | - | nC |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V, IS=30A | - | - | 1.2 | V |
| 体二极管连续电流 | IS | — | - | - | 80 | A |
| 反向恢复时间 | trr | IF=80A, TJ=25℃, di/dt=100A/μs | - | 18 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=80A, TJ=25℃, di/dt=100A/μs | - | 10 | - | nC |
| 产品型号 | KNG3080B |
| 封装规格 | DFN3×3 超小型低损耗封装 |
| 核心定位 | 30V/80A大电流低阻N沟道MOSFET |
| 核心优势 | 4.1mΩ超低导通，低Qg，高效率 |
| 品质保障 | RoHS环保，宽温域，高雪崩能量 |
10、KNG3080B （(DFN3×3封装）平替替代型号完全对照表
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 参数匹配 |
|---|---|---|---|
| 万代 | AO3401A | DFN3×3 | 30V N沟道MOSFET |
| 安森美 | NTZD3155N | DFN3×3 | 30V大电流MOS |
| 德州仪器 | CSD16325Q5A | DFN3×3 | 30V同步整流专用 |
| 威兆 | VS3608DE | DFN3×3 | 30V/80A直接替代 |
| 新洁能 | NCE3080Q | DFN3×3 | 30V DFN3×3竞品 |
| 华羿 | HY3080D | DFN3×3 | 30V快充专用MOS |
| 士兰微 | SL3080DA | DFN3×3 | 30V功率MOSFET |
| 扬杰 | YJ3080Q3 | DFN3×3 | 30V DFN3×3对标 |
| 超低导通 | 4.1mΩ典型值，大幅降低发热损耗 |
| 超大电流 | 80A连续，320A脉冲，强带载能力 |
| 超小体积 | DFN3×3，节省PCB空间，易布局 |
| 高可靠性 | 308mJ雪崩能量，抗冲击不炸管 |
| 低栅电荷 | 35nC Qg，开关速度快效率高 |
| 对比进口 | 性能一致，成本更低，交期更稳 |
| 对比国产 | 导通电阻更低，温升更小更耐用 |
| 替换方案 | Pin-Pin兼容，无需改板直接换 |
| 应用适配 | 快充/电源/电池管理场景专用 |
| 消费电子 | PD快充、适配器、同步整流 |
| 电源管理 | BMS电池保护、电源管理系统 |
| 工业设备 | 小型化电源、工业控制模块 |
| 通讯设备 | 低电压大电流供电、负载开关 |
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