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KNY3303C 30V/90A DFN5×6 N 沟道 | 低内阻电源开关管

信息来源:本站 日期:2026-06-11 

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KNY3303C 30V/90A DFN5×6 N 沟道 | 低内阻电源开关管

解决电源 MOS 管发热、效率低问题 | KNY3303C 低损耗方案

KNY3303C

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KIA 3303C 30V/90A N沟道MOSFET 参数规格

KIA 3303C 30V/90A N沟道MOSFET(KNG3303C/KNY3303C/KND3303C)

1. 产品特性

项目 说明
RDS(ON) DFN3×3/5×6: 2.6mΩ(typ.) @ VGS=10V
RDS(ON) TO-252: 3.2mΩ(typ.) @ VGS=10V
核心优势 极低导通电阻、低Crss、快速开关
可靠性 100%雪崩测试、改进dv/dt能力

2. 应用领域

1 PWM应用
2 负载开关
3 电源管理

3. 引脚配置

引脚号 DFN3×3/5×6 TO-252 功能
1 - >1 Gate(栅极)
2 5,6,7,8 2 Drain(漏极)
3 1,2,3 3 Source(源极)
4 4 - Gate(栅极)

4. 订购信息

型号 封装 品牌
KNG3303C DFN3×3 KIA
KNY3303C DFN5×6 KIA
KND3303C TO-252 KIA

5. 绝对最大额定值(TC=25℃)

参数 符号 DFN3×3/5×6 TO-252 单位
漏源电压 VDSS 30 30 V
连续漏极电流 ID 90(TC=25℃) 90(TC=25℃) A
59(TC=100℃) 59(TC=100℃) A
脉冲漏极电流 IDM 400 400 A
栅源电压 VGS ±20 ±20 V
单脉冲雪崩能量 EAS 289 289 mJ
功耗(TC=25℃) PD 66 70 W
结温/存储温度 TJ,TSTG -55~150 -55~150
引脚焊接温度 TL 300(5秒) 300(5秒)

6. 热性能参数

参数 符号 DFN3×3/5×6 TO-252 单位
结-壳热阻 RθJC 1.9 1.78 ℃/W

7. 电气特性(TC=25℃)

参数 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 30 - - V
漏源漏电流 IDSS VDS=30V,VGS=0V - - 1 μA
栅源漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 1.0 2.2 - V
漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=20A
DFN3×3/5×6
- 2.6 3.9
VGS=10V,ID=20A
TO-252
- 3.2 4.0
VGS=4.5V,ID=15A
DFN3×3/5×6
- 3.9 5.6
VGS=4.5V,ID=15A
TO-252
- 4.5 5.6
输入电容 CISS VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz - 3280 - pF
输出电容 COSS - 360 - pF
反向传输电容 CRSS - 320 - pF
开通延迟时间 td(on) VGS=10V,VDS=10V
RL=3Ω,ID=30A
- 10 - ns
上升时间 tr - 100 - ns
关断延迟时间 td(off) - 54 - ns
下降时间 tf - 98 - ns
总栅极电荷 Qg VDS=10V,ID=30A
VGS=10V
- 60 - nC
栅源电荷 Qgs - 28 - nC
栅漏电荷 Qgd - 3 - nC
体二极管正向电流 IS - - - 100 A
体二极管脉冲电流 ISM - - - 400 A
体二极管正向压降 VSD ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃ - - 1.2 V
反向恢复时间 Trr IF=20A,dlF/dt=100A/μs - 20 - ns
反向恢复电荷 Qrr - 10 - nC

注:1) 重复额定值:脉宽受最大结温限制;2) EAS条件:TJ=25℃,VDD=15V,VG=10V,RG=25Ω,L=0.5mH;3) 脉冲测试:脉宽≤300μs,占空比0.5%

8. 典型特性曲线(概述)

图号 曲线内容
图1 导通区特性(ID vs VDS,不同VGS
图2 传输特性(ID vs VGS,25℃)
图3 RDS(ON) vs ID(不同VGS
图4 体二极管正向特性(VF vs IF
图5 电容特性(CISS/COSS/CRSS vs VDS
图6 栅极电荷特性(VGS vs Qg
图7-12 Vds/Vgs特性、SOA、热响应、Rds(ON)曲线

9. 测试电路(概述)

10、KNY3303C产品基础信息

电路类型 测试项目
栅极电荷测试电路 Qg/Qgs/Qgd
电阻性开关测试电路 开关时间ton/toff
非钳位感性开关测试电路 EAS雪崩能量
体二极管反向恢复dv/dt测试电路 Trr/Qrr/dv/dt
产品型号 封装 器件类型 核心参数
KNY3303C DFN5×6 N沟道MOSFET 30V/90A,典型Rds(on) 2.6mΩ

11、KNY3303C同规格平替替代型号(DFN5×6 30V/90A N沟道)

KNY3303C

竞品型号 品牌 电气参数 产品特点
NCE3090K NCE 30V/90A 市场流通广,通用型电源MOS管
AOZ3303 AOS 30V/90A 开关速度快,适配高频电路场景
IRL3903S IR 30V/88A 老牌经典型号,稳定性表现优异
WSP3090 Winsok 30V/90A 低内阻设计,主打大电流应用
SMB3090 SM 30V/90A 工业级品质,长期运行可靠性高

12、产品核心优势介绍

分类 详情介绍
整体概述 KNY3303C为DFN5×6封装N沟道MOS管,30V/90A大功率规格。
导通性能 超低导通电阻2.6mΩ,导通损耗低,设备发热量大幅减少。
开关特性 结电容、反向传输电容低,开关响应快,高频工况运行稳定。
产品可靠性 全部经过雪崩测试,dv/dt耐受能力强,适配复杂工作环境。
封装特点 DFN5×6贴片封装,体积小巧,散热佳,便于高密度PCB布线。
电气余量 脉冲电流可达400A,抗冲击能力强,电路容错空间更大。

13、应用领域介绍

应用领域 场景说明
电源适配器 大电流输出回路使用,提升转换效率,降低整机能耗。
LED驱动电源 高频开关稳定,耐压充足,适配各类LED恒流驱动方案。
安防设备电源 抗干扰能力强,可满足设备7×24小时不间断运行需求。
工控小电源 大电流承载能力强,耐受冲击电流,工业场景适配度高。
PWM控制电路 开关性能出色,是脉冲调制电路的优选功率器件。
电路负载开关 通断响应灵敏,损耗低,适用于各类电路通断控制单元。

14、KNY3303C与竞品对比介绍

对比维度 详情说明
导通电阻 相比同规格竞品内阻更低,有效降低电路发热与电能损耗。
耐受能力 雪崩能量参数高,异常工况耐受强,产品使用寿命更长久。
开关表现 电容参数优化,开关延时短,高频电路运行表现更稳定。
兼容替换 标准DFN5×6引脚定义,可直接替代市面多款同封装型号。
供货与性价比 货源稳定,品质统一,兼顾使用性能与采购成本。

15、产品简短介绍(首页/列表页使用)

用途 简要介绍
简介1 KNY3303C 30V90A MOS管,低内阻低损耗,性能稳定可靠
简介2 DFN5×6大功率封装,大电流承载强,适配多类电源设备
简介3 高雪崩耐受+快速开关,同规格器件优质替代选型


座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNY3303C

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