解决 MOS 管发热、损耗高问题 | KND3203C 低损耗方案
KND3203C, KND3203C MOSFET, KND3203C 30V 100A, KND3203C TO-252
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| RDS(ON) | 典型值3.2mΩ @ VGS=10V |
| 工艺技术 | 采用CRM(CQ)先进沟槽MOS工艺 |
| 核心优势 | 极低导通电阻、优异FOM（Qg×Rds(on)） |
| 可靠性 | 符合JEDEC标准认证 |
| 序号 | 应用场景 |
|---|---|
| 1 | 电机控制与驱动 |
| 2 | 电池管理系统 |
| 3 | UPS不间断电源 |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| KND3203C型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3203C | TO-252 | KIA |
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | 30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | TC=25℃（硅极限） | 100 | A |
| TC=25℃（封装极限） | 80 | A | ||
| TC=100℃（硅极限） | 72 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDP | TC=25℃ | 320 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 248 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 92 | W |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-环境热阻 | RθJA | 105 | ℃/W |
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.35 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,IDS=250μA | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 0.9 | 1.3 | 2.5 | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=24V,VGS=0V,TJ=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=20V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A,TJ=25℃ | - | 3.2 | 4.0 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=15A | - | 4.7 | 8.0 | mΩ | ||
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V,ID=15A | - | 20 | - | S |
| 输入电容 | CISS | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3100 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | - | 340 | - | pF | |
| 反向传输电容 | CRSS | - | 300 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=15V,ID=15A,RG=3.3Ω,VGS=10V | - | 20 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 44 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 53 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 22 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=25V,VGS=10V,ID=20A | - | 68 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 7.5 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 21 | - | nC | |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | - | 1.5 | - | Ω |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=30A,di/dt=100A/μs | - | 25 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 15 | - | nC |
注：1) 脉冲测试：脉宽≤300μs，占空比≤2%；2) EAS测试条件：VDD=25V,VGS=10V,L=0.5mH
| 图号 | 曲线内容 |
|---|---|
| 图1 | 输出特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 图2 | 传输特性（ID vs VGS，不同温度） |
| 图3 | RDS(ON) vs ID（不同VGS） |
| 图4 | RDS(ON) vs VGS（ID=20A） |
| 图5 | RDS(ON) vs 结温（归一化） |
| 图6 | 电容特性（CISS/COSS/CRSS vs VDS） |
| 图7 | 栅极电荷特性（VGS vs Qg） |
| 图8 | 体二极管正向特性（IF vs VSD，不同温度） |
| 图9 | 功耗 vs 壳温 |
| 图10 | 连续漏极电流降额 vs 壳温 |
| 图11 | 安全工作区（SOA） |
| 图12 | 瞬态热阻抗 vs 脉冲持续时间 |
| 电路类型 | 测试项目 |
|---|---|
| 输出特性测试电路 | ID vs VDS曲线 |
| 传输特性测试电路 | ID vs VGS曲线 |
| 栅极电荷测试电路 | Qg/Qgs/Qgd |
| 电容特性测试电路 | CISS/COSS/CRSS |
| 产品型号 | 封装 | 器件类型 | 核心参数 |
|---|---|---|---|
| KND3203C | TO-252 | N沟道MOSFET | 30V/100A，典型Rds(on) 3.2mΩ |
| 竞品型号 | 品牌 | 电气参数 | 产品特点 |
|---|---|---|---|
| NCE30100 | NCE | 30V/100A | 市面流通量大，通用型功率MOS管 |
| AOD403 | AOS | 30V/100A | 开关性能均衡，适配多类电源电路 |
| IRLR7843 | IR | 30V/98A | 经典老牌型号，运行稳定性出色 |
| WST30100 | Winsok | 30V/100A | 大电流设计，主打工业供电场景 |
| SMB30100 | SM | 30V/100A | 合规认证齐全，适合批量量产项目 |
| 分类 | 详情介绍 |
|---|---|
| 整体概述 | KND3203C为TO-252封装N沟道MOS管，30V/100A大功率规格。 |
| 工艺性能 | 采用先进沟槽MOS工艺，FOM参数优异，综合性能突出。 |
| 导通特性 | 导通电阻低至3.2mΩ，导通损耗小，有效降低设备发热。 |
| 开关表现 | 电容参数优化，开关延时短，高频工况运行稳定可靠。 |
| 耐受能力 | 雪崩能量充足，抗冲击电流强，适配复杂电气环境。 |
| 合规品质 | 遵循JEDEC标准认证，品质稳定，满足量产使用要求。 |
| 应用领域 | 场景说明 |
|---|---|
| 电机驱动电路 | 大电流承载能力强，适配各类低压电机控制方案。 |
| 电池管理系统 | 损耗低、稳定性高，保障电池组安全稳定运行。 |
| UPS不间断电源 | 抗干扰、耐冲击，适合后备电源长期连续工作。 |
| 工业控制电源 | 参数余量充足，可应对工业场景多变负载工况。 |
| 大功率负载开关 | 通断响应迅速，适合大电流回路通断控制单元。 |
| 对比维度 | 详情说明 |
|---|---|
| 导通损耗 | 低导通电阻设计，相比竞品发热更少，电能利用率更高。 |
| 综合工艺 | 先进沟槽工艺加持，FOM性能优于同规格普通MOS管。 |
| 抗冲击能力 | 雪崩能量参数优秀，异常工况耐受更强，使用寿命更长。 |
| 封装兼容 | 标准TO-252引脚定义，可直接替换市面主流同型号器件。 |
| 供货与性价比 | 货源持续稳定，品质统一，适配大批量采购与生产。 |
| 用途 | 简要介绍 |
|---|---|
| 简介1 | KND3203C 30V100A MOS管，低损耗大功率TO-252器件 |
| 简介2 | 沟槽工艺MOSFET，适配电机驱动、UPS、电池管理系统 |
| 简介3 | 高可靠大电流开关管，同规格竞品优质替代选型 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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