KCD3008C 120A 85V TO-252 MOS管｜解决电源发热缺货难题

信息来源：本站　日期：2026-06-15　

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KCD3008C 120A 85V TO-252 MOS管｜解决电源发热缺货难题

英飞凌IPP120N08S5替代料 KCD3008C TO252国产MOS现货

安森美NTD120N08替代方案 KCD3008C性能更优供货稳

SGT高密度沟槽工艺，4.7mΩ超低内阻，UIS全检，储能/工业电源通用

KCD3008C

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KCD3008C 120A 85V N沟道MOSFET规格书

KIA（KMOS Semiconductor）

120A, 85V N-Channel MOSFET

3008C

1. KCD3008C产品特性（Features）

? 采用先进SGT工艺技术

? R_DS(on)=4.7mΩ(典型值) @V_GS=10V

? 超低栅极电荷（Super Low Gate Charge）

? 支持绿色环保器件标准

? 优异的Cdv/dt效应抑制能力

? 高密度沟槽工艺（High cell density Trench）

? 100% ΔV_DS测试合格

? 100% UIS（非钳位感性开关）测试合格

2. KCD3008C引脚配置（Pin Configuration）

封装形式 TO-252

引脚定义

引脚1：Gate（栅极）

引脚2：Drain（漏极）

引脚3：Source（源极）

符号说明 1:Gate 2:Drain 3:Source（含内置续流二极管）

3. KCD3008C订购信息（Ordering Information）

产品型号封装形式品牌

KCD3008C TO-252 KIA

4. KCD3008C绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）

参数名称符号额定值单位备注

漏源电压(V_GS=0V) V_DSS 85 V -

栅源电压(V_DS=0V) V_GS ±20 V -

连续漏极电流(T_C=25℃) I_D 120 A -

连续漏极电流(T_C=100℃) I_D 99 A -

脉冲漏极电流 I_DM(pulse) 520 A -

总功耗(T_C=25℃) P_D 150 W 结温≤150℃限制

单脉冲雪崩能量 E_AS 306 mJ -

结温与存储温度范围 T_J & T_STG -55 ~ 150 ℃ -

5.KCD3008C热特性（Thermal Characteristics）

参数名称符号额定值单位

结到壳热阻 R_θJC 1.0 ℃/W

6. KCD3008C电气特性（Electrical Characteristics）

测试条件：T_A=25℃，特殊标注除外

参数类别参数名称符号测试条件 Min Typ Max 单位

开关/静态参数漏源击穿电压 BV_DSS V_GS=0V, I_D=250μA 85 - - V

零栅压漏极电流(25℃) I_DSS V_DS=72V, V_GS=0V - - 1 μA

零栅压漏极电流(55℃) I_DSS V_DS=72V, V_GS=0V - - 5 μA

栅极漏电流 I_GSS V_GS=±20V, V_DS=0V - - ±100 nA

栅极阈值电压 V_GS(th) V_DS=V_GS, I_D=250μA 2 3 4 V

导通特性漏源导通电阻 R_DS(on) V_GS=10V, I_D=50A - 4.7 5.5 mΩ

栅极电阻 R_G V_GS=0V, V_DS=0V, F=1MHz - 2.3 - Ω

电容特性输入电容 C_iss V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz - 3700 - pF

输出电容 C_oss V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz - 650 - pF

反向传输电容 C_rss V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz - 25 - pF

开关时间开通延迟时间 t_d(on) V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 20 - ns

上升时间 t_r V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 40 - ns

关断延迟时间 t_d(off) V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 44 - ns

下降时间 t_f V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω - 20 - ns

栅极电荷总栅极电荷 Q_g V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A - 68 - nC

栅源电荷 Q_gs V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A - 19 - nC

栅漏电荷 Q_gd V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A - 17 - nC

体二极管参数体二极管正向电流 I_SD - - - 120 A

二极管正向电压 V_SD V_GS=0V, I_SD=50A - - 1.2 V

反向恢复时间 t_rr T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs - - 67 ns

反向恢复电荷 Q_rr T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs - - 150 nC

7. KCD3008C典型特性曲线（Typical Characteristics）

Fig1: 典型输出特性曲线 Fig2: 典型转移特性曲线

Fig3: 导通电阻与漏极电流关系曲线 Fig4: 最大连续漏极电流与壳温关系曲线

Fig5: 栅极电荷特性曲线 Fig6: 电容特性曲线

Fig7: 归一化击穿电压与结温关系曲线 Fig8: 归一化导通电阻与结温关系曲线

Fig9: 最大安全工作区（SOA） Fig10: 体二极管正向特性曲线

Fig11: 结到壳的最大有效瞬态热阻抗曲线

8. KCD3008C测试电路与波形（Test Circuit & Waveform）

Fig12: 栅极电荷测试电路与波形

Fig13: 电阻性开关测试电路与波形

Fig14: 非钳位感性开关（UIS）测试电路与波形

备注说明（Notes）

KCD3008C 120A 85V N沟道MOSFET | TO-252封装

9、KCD3008C产品核心简介

1) 测试条件：表面贴装于1平方英寸FR-4板，2OZ铜厚
2) 脉冲测试条件：脉宽≤300μs，占空比≤2%
3) 雪崩测试条件：V_DD=50V, V_GS=10V, L=0.5mH
4) 功耗限制：受150℃结温限制
5) 体二极管电流理论值与I_D、I_DM相同，实际应用中受总功耗限制

产品型号 KCD3008C 封装形式 TO-252

基础参数 VDSS=85V，ID=120A，SGT工艺，内置续流二极管

产品定位工业电源、BMS、储能专用，PIN对PIN替代同规格器件

10、KCD3008C产品核心优势

优势分类亮点说明客户价值

先进制程 SGT+高密度沟槽工艺，性能稳定适配各类大功率开关电路

低导通内阻 RDS(on)典型4.7mΩ@VGS=10V 降低导通损耗，减少设备温升

优秀开关特性低栅极电荷，开关速度快高频工况下损耗低，抗干扰强

高可靠性全检UIS、ΔVDS，雪崩能量306mJ 耐冲击负载，设备运行更稳定

标准封装通用TO-252，引脚定义行业通用无需修改PCB，直接替换物料

供应链稳定国产自主产线，现货充足交期快解决进口缺货、交期漫长问题

11、KCD3008C适用应用领域

锂电池管理系统BMS、储能电源

大功率AC/DC、DC/DC开关电源

工业电源、不间断电源UPS

大功率快充、电动控制设备

逆变器、车载电源等大电流场景

12、KCD3008C平替替代型号对标表（TO-252 85V/120A）

品牌竞品型号耐压(V) 电流(A) RDS(on)(mΩ) 对标结论

KIA可易亚 KCD3008C 85 120 4.7 基准型号

英飞凌 IPP120N08S5 85 120 4.9 性能更优，可直接替代

安森美 NTD120N08 85 120 5.0 性能更优，可直接替代

东芝 TPH4R208NH 85 120 4.8 性能持平，可直接替代

新洁能 NCE85H120D 85 120 5.1 参数领先，性价比更高

华润微 CRTD120N08 85 120 5.0 参数领先，性价比更高

士兰微 SLT120N08 85 120 4.9 参数领先，性价比更高

扬杰科技 YJT120N08 85 120 5.2 参数领先，性价比更高

13、KCD3008C核心电气参数汇总

参数名称符号数值/范围单位

漏源击穿电压 VDSS 85 V

连续漏极电流(25℃) ID 120 A

连续漏极电流(100℃) ID 99 A

脉冲漏极电流 IDM 520 A

导通电阻@10V RDS(on) 4.7 mΩ

总栅极电荷 Qg 68 nC

单脉冲雪崩能量 EAS 306 mJ

工作温度范围 Tj -55 ~ 150 ℃

14、KCD3008C订购信息

产品型号封装品牌包装规格

KCD3008C TO-252 KIA可易亚 3000PCS/卷

15、KCD3008C客户痛点与解决方案

常见使用痛点对应解决方案

大功率设备工作发热严重低导通内阻，有效降低整机温升

进口MOS管缺货、交期不稳定国产自主产能，常备现货快速交付

替换器件需要重新改板标准TO-252封装，引脚完全兼容

高频电路开关损耗偏大低栅极电荷，开关特性表现优异

负载冲击易造成器件损坏高雪崩能量，可靠性测试全项合格

产品型号	封装形式	品牌
KCD3008C	TO-252	KIA

参数名称	符号	额定值	单位	备注
漏源电压(V_GS=0V)	V_DSS	85	V	-
栅源电压(V_DS=0V)	V_GS	±20	V	-
连续漏极电流(T_C=25℃)	I_D	120	A	-
连续漏极电流(T_C=100℃)	I_D	99	A	-
脉冲漏极电流	I_DM(pulse)	520	A	-
总功耗(T_C=25℃)	P_D	150	W	结温≤150℃限制
单脉冲雪崩能量	E_AS	306	mJ	-
结温与存储温度范围	T_J & T_STG	-55 ~ 150	℃	-

参数名称	符号	额定值	单位
结到壳热阻	R_θJC	1.0	℃/W

参数类别	参数名称	符号	测试条件	Min	Typ	Max	单位
开关/静态参数	漏源击穿电压	BV_DSS	V_GS=0V, I_D=250μA	85	-	-	V
零栅压漏极电流(25℃)	I_DSS	V_DS=72V, V_GS=0V	-	-	1	μA
零栅压漏极电流(55℃)	I_DSS	V_DS=72V, V_GS=0V	-	-	5	μA
栅极漏电流	I_GSS	V_GS=±20V, V_DS=0V	-	-	±100	nA
栅极阈值电压	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250μA	2	3	4	V
导通特性	漏源导通电阻	R_DS(on)	V_GS=10V, I_D=50A	-	4.7	5.5	mΩ
栅极电阻	R_G	V_GS=0V, V_DS=0V, F=1MHz	-	2.3	-	Ω
电容特性	输入电容	C_iss	V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz	-	3700	-	pF
输出电容	C_oss	V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz	-	650	-	pF
反向传输电容	C_rss	V_DS=45V, V_GS=0V, F=1MHz	-	25	-	pF
开关时间	开通延迟时间	t_d(on)	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	20	-	ns
上升时间	t_r	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	40	-	ns
关断延迟时间	t_d(off)	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	44	-	ns
下降时间	t_f	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A, R_G=3Ω	-	20	-	ns
栅极电荷	总栅极电荷	Q_g	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A	-	68	-	nC
栅源电荷	Q_gs	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A	-	19	-	nC
栅漏电荷	Q_gd	V_DS=45V, V_GS=10V, I_D=50A	-	17	-	nC
体二极管参数	体二极管正向电流	I_SD	-	-	-	120	A
二极管正向电压	V_SD	V_GS=0V, I_SD=50A	-	-	1.2	V
反向恢复时间	t_rr	T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs	-	-	67	ns
反向恢复电荷	Q_rr	T_J=25℃, I_F=20A, di/dt=100A/μs	-	-	150	nC

优势分类	亮点说明	客户价值
先进制程	SGT+高密度沟槽工艺，性能稳定	适配各类大功率开关电路
低导通内阻	RDS(on)典型4.7mΩ@VGS=10V	降低导通损耗，减少设备温升
优秀开关特性	低栅极电荷，开关速度快	高频工况下损耗低，抗干扰强
高可靠性	全检UIS、ΔVDS，雪崩能量306mJ	耐冲击负载，设备运行更稳定
标准封装	通用TO-252，引脚定义行业通用	无需修改PCB，直接替换物料
供应链稳定	国产自主产线，现货充足交期快	解决进口缺货、交期漫长问题

品牌	竞品型号	耐压(V)	电流(A)	RDS(on)(mΩ)	对标结论
KIA可易亚	KCD3008C	85	120	4.7	基准型号
英飞凌	IPP120N08S5	85	120	4.9	性能更优，可直接替代
安森美	NTD120N08	85	120	5.0	性能更优，可直接替代
东芝	TPH4R208NH	85	120	4.8	性能持平，可直接替代
新洁能	NCE85H120D	85	120	5.1	参数领先，性价比更高
华润微	CRTD120N08	85	120	5.0	参数领先，性价比更高
士兰微	SLT120N08	85	120	4.9	参数领先，性价比更高
扬杰科技	YJT120N08	85	120	5.2	参数领先，性价比更高

参数名称	符号	数值/范围	单位
漏源击穿电压	VDSS	85	V
连续漏极电流(25℃)	ID	120	A
连续漏极电流(100℃)	ID	99	A
脉冲漏极电流	IDM	520	A
导通电阻@10V	RDS(on)	4.7	mΩ
总栅极电荷	Qg	68	nC
单脉冲雪崩能量	EAS	306	mJ
工作温度范围	Tj	-55 ~ 150	℃

产品型号	封装	品牌	包装规格
KCD3008C	TO-252	KIA可易亚	3000PCS/卷

常见使用痛点	对应解决方案
大功率设备工作发热严重	低导通内阻，有效降低整机温升
进口MOS管缺货、交期不稳定	国产自主产能，常备现货快速交付
替换器件需要重新改板	标准TO-252封装，引脚完全兼容
高频电路开关损耗偏大	低栅极电荷，开关特性表现优异
负载冲击易造成器件损坏	高雪崩能量，可靠性测试全项合格

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KCD3008C

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引脚定义	引脚1：Gate（栅极）引脚2：Drain（漏极）引脚3：Source（源极）
符号说明	1:Gate 2:Drain 3:Source（含内置续流二极管）

Fig1: 典型输出特性曲线	Fig2: 典型转移特性曲线
Fig3: 导通电阻与漏极电流关系曲线	Fig4: 最大连续漏极电流与壳温关系曲线
Fig5: 栅极电荷特性曲线	Fig6: 电容特性曲线
Fig7: 归一化击穿电压与结温关系曲线	Fig8: 归一化导通电阻与结温关系曲线
Fig9: 最大安全工作区（SOA）	Fig10: 体二极管正向特性曲线
Fig11: 结到壳的最大有效瞬态热阻抗曲线

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