KCY3008C 120A 85V MOSFET | 解决大功率电源发热难题

英飞凌IAUA120N08S5N01替代方案 | KCY3008C国产MOS管

SGT工艺加持，4.2mΩ低内阻，UIS全检，储能/电源场景优选

安森美NVMFS120N08替代 选KCY3008C 交期快性能稳

KCY3008C, KCY3008C MOSFET, 120A 85V MOSFET, DFN5*6 MOSFET, 85V N沟道MOSFET, SGT工艺MOSFET

KIA（KMOS Semiconductor）

120A, 85V N-Channel MOSFET

3008C

1. 产品特性（Features）

? 采用先进SGT工艺技术

? RDS(on)=4.2mΩ(典型值) @VGS=10V

? 超低栅极电荷（Super Low Gate Charge）

? 支持绿色环保器件标准

? 优异的Cdv/dt效应抑制能力

? 100% ΔVDS测试合格

? 100% UIS（非钳位感性开关）测试合格

2. KCY3008C引脚配置（Pin Configuration）

封装形式	DFN5*6
引脚定义	引脚1,2,3：Gate（栅极） 引脚4：Drain（漏极） 引脚5,6,7,8：Source（源极）
符号说明	1:Gate 2:Drain 3:Source（含内置续流二极管）

3. KCY3008C订购信息（Ordering Information）

产品型号	封装形式	品牌
KCY3008C	DFN5*6	KIA

4. 绝对最大额定值（Absolute Maximum Ratings）

参数名称	符号	额定值	单位	备注
漏源电压(VGS=0V)	VDSS	85	V	-
栅源电压(VDS=0V)	VGS	±20	V	-
连续漏极电流(TC=25℃)	ID	120	A	-
连续漏极电流(TC=100℃)	ID	77	A	-
脉冲漏极电流	IDM(pulse)	480	A	-
总功耗(TC=25℃)	PD	150	W	结温≤175℃限制
单脉冲雪崩能量	EAS	625	mJ	-
结温与存储温度范围	TJ & TSTG	-55 ~ 150	℃	-

5. KCY3008C热特性（Thermal Characteristics）

参数名称	符号	额定值	单位
结到壳热阻	RθJC	1.0	℃/W

6. KCY3008C电气特性（Electrical Characteristics）

测试条件：T_A=25℃，特殊标注除外

参数类别	参数名称	符号	测试条件	Min	Typ	Max	单位
开关/静态参数	漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V, ID=250μA	85	-	-	V
	零栅压漏极电流	IDSS	VDS=85V, VGS=0V, TC=25℃	-	-	1	μA
	栅极漏电流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
	栅极阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS, ID=250μA	2	3	4	V
导通特性	漏源导通电阻	RDS(on)	VGS=10V, ID=30A	-	4.2	5.0	mΩ
	栅极电阻	RG	VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz	-	2.0	-	Ω
电容特性	输入电容	Ciss	VDS=50V, VGS=0V, F=0.3MHz	-	3800	-	pF
	输出电容	Coss	VDS=50V, VGS=0V, F=0.3MHz	-	590	-	pF
	反向传输电容	Crss	VDS=50V, VGS=0V, F=0.3MHz	-	20	-	pF
开关时间	开通延迟时间	td(on)	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	20	-	ns
	上升时间	tr	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	40	-	ns
	关断延迟时间	td(off)	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	42	-	ns
	下降时间	tf	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A, RG=2Ω	-	21	-	ns
栅极电荷	总栅极电荷	Qg	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A	-	58	-	nC
	栅源电荷	Qgs	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A	-	15.6	-	nC
	栅漏电荷	Qgd	VDS=50V, VGS=10V, ID=30A	-	14.5	-	nC
体二极管参数	体二极管正向电流	ISD	-	-	-	120	A
	二极管正向电压	VSD	VGS=0V, ISD=30A, TJ=25℃	-	-	1.2	V
	反向恢复时间	trr	TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs	-	-	65	ns
	反向恢复电荷	Qrr	TJ=25℃, IF=30A, di/dt=100A/μs	-	-	155	nC

7.KCY3008C 典型特性曲线（Typical Characteristics）

Fig1: 典型输出特性曲线	Fig2: 典型转移特性曲线
Fig3: 导通电阻与漏极电流关系曲线	Fig4: 最大连续漏极电流与壳温关系曲线
Fig5: 栅极电荷特性曲线	Fig6: 电容特性曲线
Fig7: 归一化击穿电压与结温关系曲线	Fig8: 归一化导通电阻与结温关系曲线
Fig9: 最大安全工作区（SOA）	Fig10: 体二极管正向特性曲线
Fig11: 结到壳的最大有效瞬态热阻抗曲线

8. KCY3008C测试电路与波形（Test Circuit & Waveform）

Fig12: 栅极电荷测试电路与波形

Fig13: 电阻性开关测试电路与波形

Fig14: 非钳位感性开关（UIS）测试电路与波形

备注说明（Notes）

1) 测试条件：表面贴装于1平方英寸FR-4板，2OZ铜厚 2) 脉冲测试条件：脉宽≤300μs，占空比≤2% 3) 雪崩测试条件：VDD=50V, VGS=10V, L=0.5mH, IAS=50A 4) 功耗限制：受175℃结温限制 5) 体二极管电流理论值与ID、IDM相同，实际应用中受总功耗限制

KCY3008C 120A 85V N沟道MOSFET | DFN5*6封装

9、KCY3008C产品核心简介

产品型号	KCY3008C	封装形式	DFN5*6
基本参数	VDSS=85V，ID=120A，采用SGT工艺，内置续流二极管
核心定位	大电流电源、BMS、储能专用，可直接PIN对PIN替代进口/国产同规格器件

10、KCY3008C产品核心优势

优势类别	详细说明	客户价值
先进工艺	采用SGT工艺，导通损耗低	降低整机温升，提升工作效率
超低内阻	RDS(on)典型4.2mΩ@VGS=10V	大电流工况下发热更小
低栅极电荷	Qg典型58nC，开关速度优异	适配高频电路，降低开关损耗
高可靠性	通过UIS、ΔVDS全检，雪崩能量625mJ	抗冲击能力强，设备运行稳定
封装兼容	标准DFN5*6，引脚定义通用	无需改PCB，直接替换原有物料
供货稳定	国产自主产线，常备现货	解决进口缺货、交期长难题

11、KCY3008C典型应用领域

锂电池管理系统BMS、储能电源 大功率AC/DC、DC/DC开关电源 工业电源、不间断电源UPS 电动工具、大功率快充设备 逆变器、车载电源等大电流场景

12、KCY3008C平替替代型号对标表（同规格 DFN5*6 85V/120A）

品牌	竞品型号	VDSS(V)	ID(A)	RDS(on)(mΩ)	对标结论
KIA可易亚	KCY3008C	85	120	4.2	基准型号
英飞凌	IAUA120N08S5N01	85	120	4.4	性能更优，可直接替代
安森美	NVMFS120N08	85	120	4.5	性能更优，可直接替代
东芝	TPH4R085NH	85	120	4.3	性能持平，可直接替代
新洁能	NCE85H120	85	120	4.6	参数领先，性价比更高
华润微	CRSM120N08	85	120	4.5	参数领先，性价比更高
士兰微	SL120N08DF	85	120	4.4	参数领先，性价比更高
扬杰科技	YJQ120N08	85	120	4.7	参数领先，性价比更高

13、KCY3008C核心电气参数汇总

参数名称	符号	典型值/范围	单位
漏源击穿电压	VDSS	85	V
连续漏极电流(25℃)	ID	120	A
脉冲漏极电流	IDM	480	A
导通电阻@10V	RDS(on)	4.2	mΩ
总栅极电荷	Qg	58	nC
单脉冲雪崩能量	EAS	625	mJ
工作温度范围	Tj	-55 ~ 150	℃

14、KCY3008C订购信息

产品型号	封装	品牌	包装规格
KCY3008C	DFN5*6	KIA可易亚	3000PCS/卷

15、KCY3008C客户痛点解决方案

常见痛点	对应解决方案
大功率电源发热严重	低导通内阻，有效降低温升与损耗
进口器件缺货、交期漫长	国产稳定供货，现货充足交期快
替换物料需要重新改板	标准DFN5*6，引脚全兼容无需改板
高频电路开关损耗大	低栅极电荷，开关特性优秀
产品冲击负载易损坏	高雪崩能量，抗干扰耐冲击可靠性强

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

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