KNF20N65A TO-220F MOS｜低内阻低损耗，高压不易炸管
650V20A 平面 N 沟道 MOS，快恢复二极管，原厂足标现货
KNF20N65A,KNF20N65A TO-220F,TO220F 650V MOS 管，20A 高压场效应管，低内阻 20N65, 开关电源 MOS, 电视主板电源 MOS, 适配器功率 MOS, 替代 FQPF20N65, 国产高压 MOS 现货
KNF20N65A TO-220F 20A65V平面MOS管完整参数规格
一、KNF20N65A 产品基础订单信息
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项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KNF20N65A，丝印20N65A
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TO-220F 直插封装
|
|
器件类型
|
N-CHANNEL PLANAR MOSFET平面功率MOS
|
|
额定规格
|
650V耐压，20A连续漏极电流
|
二、KNF20N65A 核心产品特性 Features
|
1. 自研全新平面工艺，耐压稳定性更强
|
|
2. 低导通内阻：Rds(on)=0.38Ω典型值@VGS=10V
|
|
3. 栅电荷低，有效降低开关损耗，电源效率更高
|
|
4. 内置快恢复体二极管，反向恢复特性优异
|
三、KNF20N65A 标准应用场景 Application
|
1. 各类电源适配器 Adaptor
|
|
2. 电视机主板主电源 TV Main Power
|
|
3. 开关电源 SMPS Power Supply
|
|
4. LCD液晶面板供电电源 LCD Panel Power
|
四、KNF20N65A TO-220F引脚定义 Pin configuration
|
引脚序号
|
引脚功能
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极
|
|
Pin 3
|
Source 源极
|
|
内部结构
|
N沟道MOS集成快恢复体二极管
|
五、KNF20N65A 绝对最大额定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDSS
|
650
|
V
|
|
栅源电压
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
20
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID@Tc=100℃
|
见图3曲线
|
A
|
|
VGS=10V脉冲峰值漏电流
|
IDM
|
见图6曲线
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
850
|
mJ
|
|
二极管最大恢复dv/dt
|
dv/dt
|
5.0
|
V/ns
|
|
25℃单管耗散功率
|
PD
|
65
|
W
|
|
25℃以上功率降额系数
|
PD
|
0.52
|
W/℃
|
|
引脚最高焊接温度10s
|
TL
|
300
|
℃
|
|
封装本体焊接峰值温度10s
|
TPAK
|
260
|
℃
|
|
工作与存储温度区间
|
TJ&TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、KNF20N65A 热特性 Thermal characteristics
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
1.92
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
100
|
℃/W
|
七、KNF20N65A 电气特性 Electrical characteristics(TJ=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
650
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流IDSS
|
IDSS
|
VDS=650V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
VDS=520V,VGS=0V,TJ=125℃
|
-
|
-
|
100
|
uA
|
|
栅源漏电流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
导通内阻Rds(on)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=10A
|
-
|
0.38
|
0.50
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
正向跨导gfs
|
gfs
|
VDS=15V,ID=10A
|
-
|
15
|
-
|
S
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
-
|
2500
|
-
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
-
|
220
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
-
|
34
|
-
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
VDD=325V,ID=20A,VGS=0~10V
|
-
|
62
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
23
|
-
|
nC
|
|
开通延迟时间td(on)
|
td(on)
|
VDD=325V,ID=20A,RG=25Ω,VGS=10V
|
-
|
32
|
-
|
ns
|
|
开通上升时间trise
|
trise
|
-
|
180
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
td(OFF)
|
-
|
71
|
-
|
ns
|
|
关断下降时间tfall
|
tfall
|
-
|
120
|
-
|
ns
|
|
体二极管连续源电流
|
ISD
|
MOS集成PN二极管
|
-
|
-
|
20
|
A
|
|
体二极管脉冲源电流
|
ISM
|
脉冲测试条件
|
-
|
-
|
80
|
A
|
|
体二极管正向压降VSD
|
VSD
|
IS=20A,VGS=0V
|
-
|
-
|
1.5
|
V
|
|
二极管反向恢复时间trr
|
trr
|
IF=20A,VGS=0V,di/dt=100A/us
|
-
|
800
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
-
|
3.5
|
-
|
uC
|
八、KNF20N65A 典型特性曲线图表说明（共16组曲线）
|
Fig1：结到外壳最大瞬态热阻抗曲线（不同占空比）
|
|
Fig2：器件最大耗散功率随外壳温度变化曲线
|
|
Fig3：最大连续漏极电流随外壳温度衰减曲线
|
|
Fig4：输出特性曲线ID-VDS，不同栅压VGS
|
|
Fig5：导通内阻Rds(on)随栅压、漏电流变化曲线
|
|
Fig6：峰值脉冲电流随脉冲宽度变化曲线
|
|
Fig7：转移特性ID-VGS，不同结温TJ(-55~+150℃)
|
|
Fig8：非钳位电感雪崩耐受曲线IAS-雪崩时长tAV
|
|
Fig9：导通内阻Rds(on)随漏极电流ID变化曲线
|
|
Fig10：归一化导通内阻随结温TJ变化曲线
|
|
Fig11：归一化击穿电压BVdss随结温变化曲线
|
|
Fig12：归一化阈值电压VGS(th)随结温变化曲线
|
|
Fig13：正向偏置安全工作区SOA曲线ID-VDS
|
|
Fig14：电容Ciss/Coss/Crss随漏源电压VDS变化曲线
|
|
Fig15：栅电荷充电曲线VGS-Qg总栅电荷
|
|
Fig16：体二极管反向电流ISD随源漏电压VSD曲线
|
九、KNF20N65A 测试电路与波形说明（4套测试回路）
|
Fig1.1：二极管恢复dv/dt测试电路；Fig1.2：对应电流电压波形
|
|
Fig2.1：开关特性测试电路；Fig2.2：开通/关断时序波形
|
|
Fig3.1：栅电荷测试电路；Fig3.2：栅电荷VGS充电波形
|
|
Fig4.1：非钳位电感雪崩测试电路；Fig4.2：雪崩击穿波形
|
十、KNF20N65A 文档测试备注说明 Notes
|
1. 击穿电压测试温度范围：TJ=25℃~150℃
|
|
2. 脉冲参数为重复额定值，脉宽受最高结温限制
|
|
3. 二极管dv/dt测试条件：ISD=20A、di/dt＜100A/us、TJ=150℃
|
|
4. Rds(on)、gfs、ISD脉冲测试：脉宽≤380us，占空比≤2%
|
|
5. 超过最大额定值会造成器件永久性损坏
|
十一、KNF20N65A 可直接替代竞品清单（竖排窄幅单列展示）
|
序号
|
竞品型号
|
封装
|
核心对标差异
|
|
1
|
FQPF20N65
|
TO-220F
|
内阻偏大，体二极管恢复速度慢
|
|
2
|
20N65C
|
TO-220F
|
栅电荷更高，开关损耗更大
|
|
3
|
IPA20N65S3
|
TO-220F
|
进口料交期长，采购成本高
|
|
4
|
SPP20N65C3
|
TO-220F
|
雪崩能量偏低，高压易炸管
|
|
5
|
FMV20N65E
|
TO-220F
|
导通内阻上限达0.55Ω，发热严重
|
|
6
|
STW20N65M5
|
TO-220F
|
热阻更高，大功率温升明显
|
|
7
|
20N60 TO220F
|
TO-220F
|
仅600V耐压，高压余量不足
|
十二、KNF20N65A 官网多场景宣传文案
2.1 Banner首页短标题（≤35字）
|
KNF20N65A TO220F 650V20A MOS，低损耗适配电视/开关电源
|
2.2 产品详情主介绍文案
|
KIA原厂KNF20N65A为TO-220F直插N沟道平面MOS管，额定650V耐压、20A连续电流。
采用自研全新平面工艺，典型导通内阻仅0.38Ω，大幅降低导通发热。
低栅电荷设计减小开关损耗，内置快恢复体二极管，反向恢复特性优异。
单脉冲雪崩能量850mJ，高压浪涌工况抗冲击能力强，最高耗散功率65W。
适配电源适配器、电视主板电源、SMPS开关电源、LCD屏供电电路，
可直接替代FQPF20N65、IPA20N65S3等进口型号，原厂现货稳定供货。
|
2.3 选型列表精简简介（选型页展示）
|
TO-220F封装650V/20A平面功率MOS，低Rds(on)、低栅电荷，
快恢复体二极管，适配电视、适配器、工业开关电源，替代进口20N65系列。
|
2.4 采购批发推广文案（面向电源厂批量采购）
|
批量做开关电源、电视适配器选型优选KNF20N65A，国产替代进口20N65MOS。
650V足耐压不虚标，低内阻降低整机散热成本，开关效率更高。
850mJ高雪崩能量，老化测试故障率低，TO220F封装散热性能优秀。
原厂长期现货，交期稳定，量大价优，支持免费寄样上机测试。
|
2.5 工程师选型痛点文案（解决研发难点）
|
还在困扰开关电源MOS发热、高压浪涌炸机、电源效率低？
KNF20N65A低导通内阻+低栅电荷，减小整机损耗；850mJ雪崩能量
抵御尖峰电压，快恢复二极管降低反向损耗，650V耐压充足余量，
适配大功率SMPS、TV主电源，完美解决高温老化、耐压击穿问题。
|
十三、KNF20N65A 完整原厂紧凑参数总表
3.1 产品基础订单信息
|
项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KNF20N65A，丝印20N65A
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
TO-220F 绝缘直插封装
|
|
器件类型
|
N-CHANNEL PLANAR MOSFET平面功率MOS
|
|
单管额定规格
|
650V Vds，20A Id连续漏极电流
|
3.2 产品核心特性
|
1. 自研全新平面工艺，高压稳定性更强
|
|
2. 低导通内阻：Rds(on)=0.38Ω典型@VGS=10V
|
|
3. 低栅电荷，显著降低开关损耗，提升电源效率
|
|
4. 集成快恢复体二极管，反向恢复特性优异
|
3.3 标准应用场景
|
1. 各类开关电源适配器 Adaptor
|
|
2. 液晶电视主板主电源 TV Main Power
|
|
3. 工业SMPS隔离开关电源
|
|
4. LCD液晶面板供电电源电路
|
3.4 TO-220F引脚功能定义
|
引脚序号
|
引脚功能说明
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极控制脚
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极高压端
|
|
Pin 3
|
Source 源极低电位端
|
|
内部结构
|
N沟道MOS并联快恢复体二极管
|
3.5 绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDSS
|
650
|
V
|
|
栅源电压范围
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
20
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID@Tc=100℃
|
见图3特性曲线
|
A
|
|
VGS=10V脉冲峰值漏电流
|
IDM
|
见图6峰值电流曲线
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
850
|
mJ
|
|
二极管最大恢复dv/dt
|
dv/dt
|
5.0
|
V/ns
|
|
25℃最大耗散功率
|
PD
|
65
|
W
|
|
25℃以上功率降额系数
|
PD
|
0.52
|
W/℃
|
|
引脚短时焊接温度(10s)
|
TL
|
300
|
℃
|
|
封装本体峰值焊接温度(10s)
|
TPAK
|
260
|
℃
|
|
工作/存储温度区间
|
TJ&TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.6 热特性参数
|
参数名称
|
符号
|
数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
1.92
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
100
|
℃/W
|
3.7 静态电气参数(TJ=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
650
|
-
|
-
|
V
|
|
零栅压漏电流IDSS
|
IDSS
|
VDS=650V,25℃
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
VDS=520V,125℃
|
-
|
-
|
100
|
uA
|
|
栅极漏电流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
导通内阻RDS(ON)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=10A
|
-
|
0.38
|
0.50
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
正向跨导gfs
|
gfs
|
VDS=15V,ID=10A
|
-
|
15
|
-
|
S
|
3.8 电容与栅电荷动态参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Typ
|
单位
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
VDS=25V,f=1MHz,VGS=0V
|
2500
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
220
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
34
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
VDD=325V,ID=20A,VGS=0~10V
|
62
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
10
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
23
|
nC
|
3.9 开关时序特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Typ
|
单位
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=325V,ID=20A,RG=25Ω
|
32
|
ns
|
|
开通上升时间
|
trise
|
180
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(OFF)
|
71
|
ns
|
|
关断下降时间
|
tfall
|
120
|
ns
|
3.10 体二极管电气特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Max/Typ
|
单位
|
|
二极管连续电流
|
ISD
|
MOS内置PN体二极管
|
20
|
A
|
|
二极管脉冲峰值电流
|
ISM
|
脉冲短时工况
|
80
|
A
|
|
二极管正向压降
|
VSD
|
IS=20A,VGS=0V
|
1.5
|
V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
IF=20A,di/dt=100A/us
|
800
|
ns
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
IF=20A,di/dt=100A/us
|
3.5
|
uC
|
3.11 原厂文档备注说明
|
1. 击穿电压测试温度区间TJ=+25℃ ~ +150℃
|
|
2. 脉冲参数为重复额定值，脉宽受最高结温限制
|
|
3. dv/dt测试条件：ISD=20A、di/dt＜100A/us、TJ=150℃
|
|
4. Rds(on)脉冲测试：脉宽≤380us，占空比≤2%
|
|
5. 超出最大额定值会造成器件永久性损坏
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
