KNG3080B DFN3*3 MOS｜4.1mΩ 超低内阻，大电流不发烫炸管
30V80A 沟槽 N 沟道 MOS，308mJ 高雪崩，快充电源专用
KNG3080B,KNG3080B DFN33,DFN33 30V80A MOS 管，低内阻大电流 MOS, 快充电源 MOS, 锂电保护场效应管，高雪崩 MOS,4.5V 逻辑驱动 MOS, 替代 BSZ080N03LSG, 国产贴片 MOS 现货
KNG3080B DFN3*3 30V80A沟槽N沟道MOS管完整参数规格
一、产品基础订单信息
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项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KNG3080B，丝印3080B
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
DFN3*3 贴片封装
|
|
器件类型
|
Si沟槽工艺N-CHANNEL MOSFET
|
|
额定规格
|
30V耐压，80A连续漏极电流
|
|
环保标准
|
RoHS合规无铅环保器件
|
二、核心产品特性 Features
|
1. 硅基沟槽型N沟道MOS工艺，导通性能优异
|
|
2. 低导通内阻：Rds(on)=4.1mΩ典型值@VGS=10V
|
|
3. 超低导通内阻与优值系数FOM，降低整机损耗
|
|
4. 驱动门槛友好，简易驱动电路即可稳定工作
|
|
5. 符合RoHS环保标准，无有害物质
|
三、标准应用场景 Application
四、DFN3*3引脚定义 Pin configuration
|
引脚编号
|
引脚功能
|
|
Pin 4
|
Gate 栅极控制端
|
|
Pin 5、6、7、8
|
Drain 漏极功率端
|
|
Pin 1、2、3
|
Source 源极低电位端
|
|
内部结构
|
N沟道MOS集成内置体二极管
|
五、绝对最大额定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDSS
|
30
|
V
|
|
栅源电压范围
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
80
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID
|
50
|
A
|
|
脉冲峰值漏极电流
|
IDM
|
320
|
A
|
|
25℃总耗散功率
|
PD
|
70
|
W
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
308
|
mJ
|
|
最高工作结温
|
TJ
|
150
|
℃
|
|
存储温度区间
|
TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
六、热特性 Thermal characteristics
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
1.8
|
℃/W
|
七、电气特性 Electrical characteristics(TJ=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
30
|
-
|
-
|
V
|
|
零栅压漏电流IDSS
|
IDSS
|
VDS=30V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅源漏电流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
1.0
|
1.5
|
2.0
|
V
|
|
导通内阻Rds(on)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=30A
|
-
|
4.1
|
6
|
mΩ
|
|
VGS=4.5V,ID=20A
|
-
|
7.0
|
10
|
mΩ
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
|
-
|
1540
|
-
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
-
|
200
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
-
|
185
|
-
|
pF
|
|
开通延迟时间td(on)
|
td(on)
|
VDD=15V,VGS=10V,RG=2.7Ω,ID=30A
|
-
|
8
|
-
|
ns
|
|
开通上升时间tr
|
tr
|
-
|
40
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
td(off)
|
-
|
95
|
-
|
ns
|
|
关断下降时间tf
|
tf
|
-
|
50
|
-
|
ns
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
VDS=15V,VGS=10V,ID=30A
|
-
|
35
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
6
|
-
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
7
|
-
|
nC
|
|
体二极管正向压降VSD
|
VSD
|
VGS=0V,IS=30A
|
-
|
-
|
1.2
|
V
|
|
二极管连续正向电流IS
|
IS
|
MOS内置体二极管
|
-
|
-
|
80
|
A
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
IF=80A,TJ=25℃,di/dt=100A/μs
|
-
|
18
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
八、典型特性曲线图表说明（共11组曲线）
|
Fig1：导通区输出特性ID-VDS，不同栅压VGS
|
|
Fig2：转移特性曲线ID-VGS，25℃常温工况
|
|
Fig3：导通内阻随漏电流、栅压变化曲线
|
|
Fig4：体二极管正向压降随源极电流变化曲线
|
|
Fig5：电容Ciss/Coss/Crss随VDS电压变化曲线
|
|
Fig6：栅电荷充电VGS-Qg总栅电荷曲线
|
|
Fig7：漏源电压Vds与栅压Vgs关联曲线
|
|
Fig8：导通内阻Rds(on)随栅源电压VGS变化曲线
|
|
Fig9：正向偏置安全工作区SOA ID-VDS曲线
|
|
Fig10：最大连续漏极电流随结温TJ衰减曲线
|
|
Fig11：归一化瞬态热阻抗曲线（不同占空比脉冲）
|
九、测试电路与波形说明（3套测试回路）
|
FigA：二极管恢复dv/dt测试电路、对应电流电压波形
|
|
FigB：开关特性测试电路、开通关断时序波形图
|
|
FigC：非钳位电感雪崩测试电路、雪崩击穿波形
|
十、文档版本备注
十一、KNG3080B 可直接替代竞品清单（竖排窄幅单列展示）
|
1. Datasheet版本Rev1.0，2026年3月发布
|
|
2. 超出最大额定值会造成器件永久性损坏
|
|
3. 脉冲测试参数受器件最高允许结温限制
|
|
序号
|
竞品型号
|
封装
|
核心对标差异
|
|
1
|
BSZ080N03LSG
|
DFN3*3
|
导通内阻更高，雪崩能量偏低
|
|
2
|
AON6404
|
DFN3*3
|
峰值电流仅200A，浪涌耐受弱
|
|
3
|
PMV80XP
|
DFN3*3
|
FOM优值系数差，开关损耗大
|
|
4
|
NVMFS3080NL
|
DFN3*3
|
进口料交期长，采购成本高
|
|
5
|
FDMS0308AS
|
DFN3*3
|
4.5V驱动内阻达9mΩ，发热严重
|
|
6
|
SI7132DP
|
DFN3*3
|
反向恢复时间长，二极管损耗高
|
|
7
|
DMN3080LFG
|
DFN3*3
|
单脉冲雪崩能量仅220mJ，易炸管
|
十二、KNG3080B 官网多场景宣传文案
2.1 Banner首页短标题（≤35字）
|
KNG3080B DFN3*3 30V80A MOS，超低内阻高效电源管理专用
|
2.2 产品详情主介绍文案
|
KIA原厂KNG3080B为DFN3*3贴片沟槽N沟道MOS管，额定30V耐压、80A连续电流。
采用硅基沟槽工艺，典型Rds(on)仅4.1mΩ，搭配优异FOM优值系数，大幅降低整机导通损耗。
4.5V/10V双驱动兼容，外围驱动电路简单；单脉冲雪崩能量308mJ，抗浪涌冲击能力强。
内置超快恢复体二极管，trr仅18ns，开关损耗更低；70W大功率耗散，热阻低散热优异。
适配各类消费电子、工控设备电源管理电路，可直接替代BSZ080N03LSG、AON6404等进口型号，原厂现货稳定供货。
|
2.3 选型列表精简简介（选型页展示）
|
DFN3*3封装30V/80A沟槽功率MOS，4.1mΩ超低内阻，高雪崩308mJ，
超快恢复二极管，适配快充、锂电保护、负载开关电源管理，替代进口30V80A MOS。
|
2.4 采购批发推广文案（面向电源厂批量采购）
|
快充、便携电源批量选型优选KNG3080B，国产平替进口DFN3*3大电流MOS。
30V足耐压不虚标，4.1mΩ低内阻减少整机散热成本，308mJ高雪崩降低老化返修率。
DFN3*3小尺寸节省PCB空间，RoHS环保合规，原厂长期现货，量大价优，支持免费寄样上机测试。
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2.5 工程师选型痛点文案（解决研发难点）
|
还在困扰大电流电源MOS发热、浪涌炸机、开关效率低？
KNG3080B沟槽工艺实现4.1mΩ超低导通内阻，308mJ雪崩能量抵御尖峰冲击；
18ns超快恢复二极管降低反向损耗，320A峰值电流适配瞬时大电流工况，
30V耐压适配锂电、快充、负载开关，完美解决温升超标、电感冲击击穿难题。
|
十三、KNG3080B 完整原厂紧凑参数总表
3.1 产品基础订单信息
|
项目
|
参数详情
|
|
完整料号
|
KNG3080B，丝印3080B
|
|
品牌厂商
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
封装形式
|
DFN3*3 贴片小型化封装
|
|
器件类型
|
Si沟槽工艺N-CHANNEL MOSFET
|
|
单管额定规格
|
30V Vds，80A Id连续漏极电流
|
|
环保等级
|
RoHS无铅环保合规器件
|
3.2 产品核心特性
|
1. 硅基沟槽型MOS工艺，导电性能优异稳定
|
|
2. 超低导通内阻：Rds(on)=4.1mΩ典型@VGS=10V
|
|
3. 低Rds(on)+优质FOM优值系数，降低开关损耗
|
|
4. 驱动门槛友好，简易外围电路即可稳定驱动
|
|
5. 符合RoHS环保标准，无有害重金属
|
3.3 标准应用场景
|
全品类电源管理电路：快充、锂电保护、负载开关、工控降压电源
|
3.4 DFN3*3引脚功能定义
|
引脚序号
|
引脚功能说明
|
|
Pin 4
|
Gate 栅极控制引脚
|
|
Pin5、6、7、8
|
Drain 漏极功率多并联引脚
|
|
Pin1、2、3
|
Source 源极低电位多并联引脚
|
|
内部结构
|
N沟道MOS并联超快恢复体二极管
|
3.5 绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定数值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
VDSS
|
30
|
V
|
|
栅源电压范围
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
25℃连续漏极电流
|
ID
|
80
|
A
|
|
100℃连续漏极电流
|
ID@Tc=100℃
|
50
|
A
|
|
脉冲峰值漏电流
|
IDM
|
320
|
A
|
|
25℃最大总耗散功率
|
PD
|
70
|
W
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
308
|
mJ
|
|
最高工作结温
|
TJ
|
150
|
℃
|
|
工作/存储温度区间
|
TSTG
|
-55 ~ +150
|
℃
|
3.6 热特性参数
|
参数名称
|
符号
|
数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
1.8
|
℃/W
|
3.7 静态电气参数(TJ=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
30
|
-
|
-
|
V
|
|
零栅压漏电流IDSS
|
IDSS
|
VDS=30V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅极漏电流IGSS
|
IGSS
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
1.0
|
1.5
|
2.0
|
V
|
|
导通内阻RDS(ON)
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=30A
|
-
|
4.1
|
6
|
mΩ
|
|
VGS=4.5V,ID=20A
|
-
|
7.0
|
10
|
mΩ
|
3.8 电容与栅电荷动态参数
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Typ
|
单位
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
VDS=15V,f=1MHz,VGS=0V
|
1540
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
200
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
185
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
VDS=15V,ID=30A,VGS=10V
|
35
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
6
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
7
|
nC
|
3.9 开关时序特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Typ
|
单位
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=15V,ID=30A,RG=2.7Ω
|
8
|
ns
|
|
开通上升时间
|
tr
|
40
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(OFF)
|
95
|
ns
|
|
关断下降时间
|
tf
|
50
|
ns
|
3.10 体二极管电气特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Max/Typ
|
单位
|
|
二极管连续正向电流
|
IS
|
MOS内置PN体二极管
|
80
|
A
|
|
二极管正向压降
|
VSD
|
VGS=0V,IS=30A
|
1.2
|
V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
IF=80A,di/dt=100A/μs
|
18
|
ns
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
IF=80A,di/dt=100A/μs
|
10
|
nC
|
3.11 原厂文档备注说明
|
1. Datasheet版本Rev1.0，2026年3月正式发布
|
|
2. 脉冲参数受器件最大允许结温限制，不可超规格使用
|
|
3. 超出绝对最大额定值会造成器件永久性不可逆损坏
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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