KND2904A TO-252 40V130A｜2.5mΩ 低内阻快充功率管
信息来源：本站 日期：2026-06-25
KND2904A TO-252 40V130A MOS 管｜2.5mΩ 低内阻快充功率管
2.5mΩ 超低导通内阻，解决大功率电源温升超标、效率低难题
KND2904A，KND2904A MOS 管，TO-252 130A MOS，KIA TO252 功率 MOS，40V130A N 沟道 MOS，2.5mΩ 低内阻 MOS，DPAK 同步整流 MOS 管
| 完整料号 | 封装规格 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY2904A | DFN5*6 | KIA |
| KND2904A | TO-252 | KIA |
| KNB2904A | TO-263 | KIA |
| KNP2904A | TO-220 | KIA |
| 1.DFN5*6版本VGS=10V典型Rds(on)=2.0mΩ | |
| 2.TO252/263/220典型Rds(on)=2.5mΩ@VGS=10V | |
| 3.极低反向传输电容Crss，降低开关损耗 | |
| 4.高速开关特性，适配高频PWM电源 | |
| 5.出厂100%雪崩UIS可靠性全检 | |
| 6.优化dv/dt耐受能力，抑制电压尖峰EMI |
| 1.各类高频PWM开关电源电路 | |
| 2.大功率负载开关、OR-ing防倒灌电路 | |
| 3.各类DC-DC电源管理模块 |
| 引脚编号 | DFN5*6功能 | TO252/263/TO220功能 |
|---|---|---|
| 1 | Source 源极S | Source 源极S |
| 2 | Drain 漏极D | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S | Gate 栅极G |
| 4 | Gate 栅极G | - |
| 5/6/7/8 | Drain 漏极D | - |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6 | TO-252 | TO-263 | TO-220 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 40 | 40 | 40 | 40 | V |
| 栅源耐压范围 | Vgss | ±20 | ±20 | ±20 | ±20 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | Id | 130 | 130 | 130 | 130 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | Id | 84 | 84 | 84 | 84 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IdM | 400 | 400 | 400 | 400 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 250 | 250 | 250 | 250 | mJ |
| 壳温25℃最大耗散功率Pd | Pd | 54 | 130 | 130 | 328 | W |
| 引脚焊接短时极限温度 | TL | 300 | 300 | 300 | 300 | ℃ |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55~150 | -55~150 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | DFN5*6 | TO-252 | TO-263/TO-220 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻RθJC | RθJC | 2.3 | 0.96 | 0.38 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=40V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,Id=250uA | 1.0 | 2.0 | 2.3 | V |
| Rds(on) DFN5*6 | Rds(on) | VGS=10V,Id=20A | - | 2.0 | 2.7 | mΩ |
| VGS=4.5V,Id=15A | - | 2.6 | 3.5 | mΩ | ||
| Rds(on) TO系列 | Rds(on) | VGS=10V,Id=20A | - | 2.5 | 3.2 | mΩ |
| VGS=4.5V,Id=15A | - | 3.1 | 4.2 | mΩ | ||
| 栅极内阻Rg | Rg | F=1MHz,Vds=0V | - | 1.3 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Ciss | Vds=15V,F=1MHz | - | 6260 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | Vds=15V,F=1MHz | - | 580 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | Vds=15V,F=1MHz | - | 570 | - | pF |
| 开通延迟时间td(on) | td(on) | VGS=10V,Vds=20V Rg=3Ω,Id=10A | - | 18 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | - | 20 | - | ns | |
| 关断延迟td(off) | td(off) | - | 50 | - | ns | |
| 下降时间tf | tf | - | 16 | - | ns | |
| 总栅电荷Qg | Qg | Vds=15V,Id=20A VGS=10V | - | 135 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | - | 30 | - | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | - | 19 | - | nC | |
| 体二极管连续电流Is | Is | VG=VD=0V | - | - | 130 | A |
| 体二极管脉冲电流IsM | IsM | - | - | - | 400 | A |
| 二极管正向压降Vsd | Vsd | Isd=20A,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 1.重复额定值：脉宽受芯片最高结温限制 |
| 2.EAS雪崩测试：Tj=25℃ Vdd=20V Vg=10V Rg=25Ω L=0.5mH |
| 3.脉冲测试标准：脉宽≤300us，占空比≤0.5% |
| 4.超最大额定值会造成器件永久性损坏 |
| Fig1 导通区域输出特性 Id-Vds 多VGS对比 |
| Fig2 转移特性曲线 Id-VGS 25℃脉冲测试 |
| Fig3 Rds(on)随漏极电流、栅压变化曲线 |
| Fig4 体二极管正向VF-Isd特性曲线 |
| Fig5 Ciss/Coss/Crss电容随VDS变化曲线 |
| Fig6 栅极电荷Qg-VGS充电特性曲线 |
| Fig7 Vds击穿电压随栅压变化曲线 |
| Fig8 Rds(on)随栅极VGS电压变化曲线 |
| Fig9.1 DFN5*6 SOA安全工作区曲线 |
| Fig9.2 TO-252 SOA安全工作区曲线 |
| Fig9.3 TO263/TO220 SOA安全工作区曲线 |
| Fig10 最大连续Id随芯片结温变化曲线 |
| Fig11 DFN5*6瞬态热阻抗多占空比曲线 |
| Fig12 TO-252瞬态热阻抗多占空比曲线 |
| Fig13 TO263/TO220瞬态热阻抗多占空比曲线 |
| 测试电路名称 | 测试用途说明 |
|---|---|
| 栅极电荷测试电路 | 测试Qg/Qgs/Qgd，输出充放电波形 |
| 电阻负载开关测试电路 | 测td/tr/tf开关时序波形 |
| 无钳位电感雪崩EAS测试电路 | 单脉冲雪崩能量测试波形 |
| 二极管反向恢复dv/dt测试电路 | 体二极管反向恢复、尖峰波形测试 |
| 文案板块 | 完整文案内容 |
|---|---|
| 产品标题 | KND2904A TO-252 40V130A N沟道低内阻功率MOS管 |
| 引流短标语 | 2.5mΩ低导通内阻｜100%雪崩全检｜高频高速开关MOS |
| 产品简介 | KIA原厂KND2904A为TO-252贴片封装40V功率MOS，持续电流130A，脉冲峰值400A。 VGS=10V典型Rds(on)=2.5mΩ，导通损耗低；Crss极小，开关损耗大幅降低。 优化dv/dt抗尖峰结构，抑制EMI干扰；出厂全部做UIS雪崩可靠性检测， 单脉冲雪崩能量250mJ，电感负载不易击穿，-55~150℃宽温稳定工作。 适配高频PWM、负载开关、DC-DC电源，国产平替进口TO252同规格MOS，现货稳定供货。 |
| 核心产品优势 | 1.130A超大持续电流，小封装承载大功率，节省PCB布板空间 2.典型2.5mΩ超低导通内阻，大电流工况温升更低，散热成本下降 3.极小Crss反向电容，高频电源转换效率显著提升 4.高速开关时序，td(on)=18ns、tr=20ns，适配高频快充电路 5.250mJ雪崩耐受，电机、电感负载杜绝炸管失效 6.100%出厂雪崩全检，批次一致性优于仅抽样竞品 7.优化dv/dt耐受能力，降低整机EMI整改物料成本 8.TO-252贴片标准化封装，兼容现有贴片产线，可直接替代进口料 |
| 适用行业场景 | 大功率PD快充同步整流、车载DC-DC降压模块、 锂电储能OR-ing防倒灌电路、两轮电动车控制器、 工业LED驱动电源、笔记本适配器、服务器负载开关 |
| 采购转化话术 | 完美平替安森美、英飞凌、富鼎40V120~130A TO-252功率MOS； 免费提供样品、原厂完整规格书，配套电路散热技术支持； 批量订货阶梯价优惠，长期稳定库存，交期可控无波动。 |
| 参数项目 | 对应参数值 |
|---|---|
| 原厂料号 | KND2904A（TO-252贴片封装） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | TO-252(DPAK)三引脚贴片 |
| 器件类型 | N沟道功率MOSFET |
| 漏源耐压Vds | 40V |
| 25℃连续电流Id | 130A |
| 脉冲峰值电流IdM | 400A |
| Rds(on)@Vgs=10V | 典型2.5mΩ |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 250mJ |
| 总栅电荷Qg | 典型135nC |
| 结壳热阻RθJC | 0.96℃/W |
| 工作结温范围 | -55℃ ~ 150℃ |
| 引脚功能定义 | 1-G；2-D；3-S |
| 平替品牌 | 平替型号（竖排换行窄屏适配） |
|---|---|
| 安森美 ON Semiconductor |
NTD130N04T4G NTD120N04T4G NTD110N04T4G |
| 英飞凌 Infineon |
IRLR13040 IRLB13040 BSC130N04LSG |
| 富鼎 APEC |
AP130T40GP AP120T40GP AP110T40GP |
| 意法半导体 ST |
STD130N40F6 STD120N40F6 STD110N40F6 |
| 东芝 Toshiba |
TK130S40N1 TK120S40N1 TK110S40N1 |
| 扬杰 YANGJIE |
YJD130N40A YJD120N40A YJD110N40A |
| 华润华晶 CRMicro |
CJ130N40 CJ120N40 CJ110N40 |
| 士兰微 Silan |
SDM13040 SDM12040 SDM11040 |
| 台富微 UTC |
130N40L 120N40L 110N40L |
| 平伟 PW |
PW130N40 PW120N40 PW110N40 |
| 对比维度 | KND2904A独有竞争优势 |
|---|---|
| 导通内阻表现 | 2.5mΩ典型值，同级内阻更低，大功率发热更少 |
| 雪崩耐受能力 | 250mJ标准EAS，电感电机负载抗冲击能力更强 |
| 出厂检测标准 | 全批次100%UIS雪崩全检，竞品多为抽样检测 |
| 高频开关性能 | Crss极小，开关损耗低，快充整机转换效率更高 |
| EMI抑制设计 | 强化dv/dt耐受，开关电压尖峰小，减少吸收器件 |
| 散热导热性能 | RθJC仅0.96℃/W，TO-252封装散热优于多数竞品 |
| 供货成本优势 | 国产原厂自研产线，现货充足，价格交期优于进口竞品 |
| 参数分类 | 核心电气数值 |
|---|---|
| 栅电荷参数 | Qg=135nC Qgs=30nC Qgd=19nC |
| 开关时序参数 | td(on)=18ns tr=20ns td(off)=50ns tf=16ns |
| 寄生电容参数 | Ciss=6260pF Coss=580pF Crss=570pF |
| 体二极管参数 | Is=130A Vsd最大1.2V，脉冲400A |
| 栅极开启阈值 | VGS(th) 1.0V~2.3V，典型值2.0V |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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