KNB3004A TO-263 40V120A｜3.8mΩ 低内阻快充功率管
信息来源：本站 日期：2026-06-25
KNB3004A TO-263 40V120A MOS 管｜3.8mΩ 低内阻快充功率管
3.8mΩ 超低导通内阻，解决大功率电源温升超标、效率低难题
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| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 完整料号 | KNB3004A（型号简称3004A） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | TO-263贴片封装 |
| 器件类型 | N沟道沟槽功率MOSFET |
| 额定耐压Vds | 40V |
| 25℃连续漏极电流Id | 120A |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 G |
| 2 | Drain 漏极 D |
| 3 | Source 源极 S |
| 1. 先进沟槽Trench芯片工艺 | |
| 2. VGS=10V典型Rds(on)=3.8mΩ超低内阻 | |
| 3. 超低压栅极总电荷，高频损耗更低 | |
| 4. 支持无卤环保绿色版本供货 | |
| 5. 优化CdV/dt抑制，抗电压尖峰干扰 | |
| 6. 出厂100% ΔVds击穿电压全检 | |
| 7. 出厂100% UIS雪崩能量全检 |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | VGS=0V | 40 | V |
| 栅源电压范围 | VGS | VDS=0V | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃ | 120 | A |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=100℃ | 75 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IdM | 脉冲工况 | 480 | A |
| 壳温25℃最大耗散功率 | PD | Tc=25℃ | 136 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | VDD=24V L=0.5mH IAS=36A | 324 | mJ |
| 结温/存储温度区间 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.1 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | VDS=40V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,Id=250uA | 1.0 | 1.7 | 2.5 | V |
| 静态导通内阻1 | Rds(on) | VGS=10V,Id=30A | - | 3.8 | 4.6 | mΩ |
| 静态导通内阻2 | Rds(on) | VGS=4.5V,Id=20A | - | 5.0 | 6.5 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,F=1MHz | - | 1.8 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Ciss | VDS=20V,F=1MHz | - | 3350 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | VDS=20V,F=1MHz | - | 300 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | VDS=20V,F=1MHz | - | 230 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=20V,Rg=3Ω,Id=20A | - | 10 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | VDD=20V,Rg=3Ω,Id=20A | - | 28 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=20V,Rg=3Ω,Id=20A | - | 58 | - | ns |
| 下降时间tf | tf | VDD=20V,Rg=3Ω,Id=20A | - | 18 | - | ns |
| 总栅电荷Qg | Qg | VDS=20V,VGS=10V,Id=20A | - | 60 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | VDS=20V,VGS=10V,Id=20A | - | 8.1 | - | nC |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | VDS=20V,VGS=10V,Id=20A | - | 11 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | IsD | VG=VD=0V | - | - | 120 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,IsD=20A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | trr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 15 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/us | - | 11 | - | nC |
| 1.测试基板：1英寸2 FR4板、2盎司铜箔 |
| 2.脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3.EAS雪崩测试：VDD=24V L=0.5mH IAS=36A |
| 4.功耗上限受175℃芯片结温限制 |
| 5.体二极管电流理论等同Id，实际受功耗约束 |
| Fig1 输出特性曲线 Id-Vds 多VGS对比 |
| Fig2 转移特性曲线 Id-VGS 25℃脉冲测试 |
| Fig3 导通内阻Rds(on)随漏极电流变化曲线 |
| Fig4 最大连续Id随外壳温度变化曲线 |
| Fig5 栅极电荷Qg-VGS充电特性曲线 |
| Fig6 Ciss/Coss/Crss电容随VDS变化曲线 |
| Fig7 归一化击穿电压BVdss随结温变化 |
| Fig8 归一化Rds(on)随芯片结温变化曲线 |
| Fig9 SOA安全工作区 单脉冲/直流边界曲线 |
| Fig10 体二极管正向Isd-VSD特性曲线 |
| Fig11 瞬态热阻抗ZθJC 多占空比曲线 |
| 图号 | 测试用途说明 |
|---|---|
| Fig12 | 栅极电荷Qg测试电路+充放电波形 |
| Fig13 | 电阻负载开关时序测试电路与波形 |
| Fig14 | 无钳位电感雪崩EAS测试电路与波形 |
| 文案板块 | 完整文案内容 |
|---|---|
| 产品标题 | KNB3004A TO-263 40V120A沟槽N沟道功率MOS管 |
| 引流短标语 | 3.8mΩ低内阻｜324mJ高雪崩｜100%双重全检更可靠 |
| 产品简介 | KIA原厂KNB3004A采用先进沟槽工艺，TO-263贴片封装，额定40V耐压、120A连续大电流。 典型Rds(on)仅3.8mΩ，导通损耗低，搭配超低栅电荷，大幅降低高频开关损耗。 优化CdV/dt抑制结构，减少EMI电压尖峰；出厂100%ΔVds、UIS双重全检， 324mJ雪崩能量，电感、电机负载不易击穿，宽温-55~150℃稳定运行。 支持无卤环保版本，国产平替进口同规格TO263 MOS，现货稳定供货。 |
| 核心产品优势 | 1.新一代沟槽芯片工艺，120A大电流承载余量充足 2.VGS=10V典型3.8mΩ内阻，大功率工况温升更低 3.324mJ超高单脉冲雪崩能量，杜绝电感负载炸管 4.超低总栅电荷60nC，高频电源转换效率显著提升 5.优化抗dv/dt结构，降低整机EMI整改成本 6.出厂双重可靠性全检，品质优于仅抽样竞品 7.RθJC仅1.1℃/W导热优异，散热表现突出 8.国产原厂自有产线，规避进口器件涨价断货风险 |
| 适用行业场景 | 大功率PD快充同步整流、DC-DC升降压电源模块、 两轮电动车控制器、车载供电电源、锂电池储能保护板、 工业LED驱动电源、小型UPS逆变、大功率负载开关 |
| 采购转化话术 | 完美替代安森美、英飞凌、富鼎40V100~120A TO263 MOS； 免费提供样品、原厂完整规格书，配套电路散热技术支持； 批量订货阶梯价优惠，长期稳定库存，交期可控无波动。 |
| 参数项目 | 对应参数值 |
|---|---|
| 原厂料号 | KNB3004A（简称3004A，TO-263封装） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 封装规格 | TO-263(DPAK)三引脚贴片 |
| 器件类型 | N沟道沟槽功率MOSFET |
| 漏源耐压Vds | 40V |
| 25℃连续电流Id | 120A |
| 脉冲峰值电流IdM | 480A |
| Rds(on)@Vgs=10V | 典型3.8mΩ |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 324mJ |
| 总栅电荷Qg | 典型60nC |
| 结壳热阻RθJC | 1.1℃/W |
| 工作结温范围 | -55℃ ~ 150℃ |
| 引脚功能定义 | 1-G；2-D；3-S |
| 平替品牌 | 平替型号（竖排换行窄屏适配） |
|---|---|
| 安森美 ON Semiconductor |
NTD120N04T4G NTD110N04T4G NTD100N04T4G |
| 英飞凌 Infineon |
IRLB12040 IRLR12040 BSC120N04LSG |
| 富鼎 APEC |
AP120T40GP AP110T40GP AP100T40GP |
| 意法半导体 ST |
STD120N40F6 STD110N40F6 STD100N40F6 |
| 东芝 Toshiba |
TK120S40N1 TK110S40N1 TK100S40N1 |
| 扬杰 YANGJIE |
YJD120N40A YJD110N40A YJD100N40A |
| 华润华晶 CRMicro |
CJ120N40 CJ110N40 CJ100N40 |
| 士兰微 Silan |
SDM12040 SDM11040 SDM10040 |
| 台富微 UTC |
120N40L 110N40L 100N40L |
| 平伟 PW |
PW120N40 PW110N40 PW100N40 |
| 对比维度 | KNB3004A独有竞争优势 |
|---|---|
| 导通内阻表现 | 典型3.8mΩ，同电流档位内阻更低，大功率发热更少 |
| 雪崩耐受能力 | 324mJ高EAS，优于多数竞品，电机电感负载不易击穿 |
| 出厂检测标准 | 100%UIS+ΔVds双重全检，竞品大多仅抽样检测，一致性更高 |
| EMI抑制设计 | 优化CdV/dt结构，开关尖峰更小，节省RC吸收器件成本 |
| 散热导热性能 | RθJC仅1.1℃/W，TO-263封装散热性能领先同级竞品 |
| 供货成本优势 | 国产原厂自研产线，现货充足，价格交期优于进口竞品 |
| 参数分类 | 核心电气数值 |
|---|---|
| 栅电荷参数 | Qg=60nC Qgs=8.1nC Qgd=11nC |
| 开关时序参数 | td(on)=10ns tr=28ns td(off)=58ns tf=18ns |
| 寄生电容参数 | Ciss=3350pF Coss=300pF Crss=230pF |
| 体二极管参数 | IsD=120A Vsd最大1.2V trr=15ns |
| 栅极开启阈值 | VGS(th) 1.0V~2.5V，典型值1.7V |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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