KCB2904A TO-263 45V130A 低内阻｜快充同步整流专用
信息来源：本站 日期：2026-06-26
KCB2904A TO-263 45V130A 低内阻 MOS 管｜快充同步整流专用
SGT 先进工艺｜130A 大电流承载｜2mΩ 超低导通内阻，解决快充发热、电源损耗高痛点
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型号：2904A | 规格：45V/130A N-CHANNEL SGT MOSFET
| 采用先进SGT工艺 |
| 高耐用性、高可靠性 |
| 提升最大通流能力 |
| 低损耗、高功率密度 |
| 易于多管并联使用 |
| Rds(on)典型2.0mΩ@Vgs=10V |
| 极低导通内阻Rds(on) |
| 优异低输入电容Ciss |
| AC-DC快充同步整流电路 |
| 电池管理系统BMS |
| 不间断电源UPS |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
封装引脚：TO-263 / TO-220，内部N沟道MOS并联体二极管
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KCB2904A | TO-263 | KIA |
| KCP2904A | TO-220 | KIA |
| 参数Parameter | 符号Symbol | 数值Value | 单位Unit |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 45 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃芯片极限) | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流(Tc=25℃封装极限) | ID | 300 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃芯片极限) | ID | 137 | A |
| 连续漏极电流(Ta=25℃) | ID | 24 | A |
| 脉冲漏极电流(100uS@25℃) | ID pulse | 865 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 200 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗(Tc=25℃) | Ptot | 125 | W |
| 功耗(Ta=25℃) | Ptot | 1.5 | W |
| 结温/存储温度 | TJ,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 波峰焊最高焊接温度(10s) | Tsold | 260 | ℃ |
| 参数Parameter | 符号Symbol | 额定值Ratings | 单位Unit |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.0 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 81 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 45 | - | - | V |
| 栅极开启电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 2 | - | 4 | V |
| 零栅压漏极漏电流 | Idss | Vds=45V,Vgs=0V,25℃ | - | 0.05 | 1 | uA |
| 高温零栅压漏电流 | Idss | Vds=45V,Vgs=0V,150℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | ±10 | ±100 | nA |
| 导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| 跨导 | gfs | Vds=5V,Id=20A | - | 43 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | Vgs=0V,Vds=20V,1MHz | - | 4195 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vgs=0V,Vds=20V,1MHz | - | 1380 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vgs=0V,Vds=20V,1MHz | - | 110 | - | pF |
| 栅总电荷 | Qg | Vds=20V,Id=50A,Vgs=10V | - | 60 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=20V,Id=50A,Vgs=10V | - | 21 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=20V,Id=50A,Vgs=10V | - | 8 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vgs=10V,Vdd=7V,Rg=2.2Ω,Id=30A | - | 16 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vgs=10V,Vdd=7V,Rg=2.2Ω,Id=30A | - | 18.3 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vgs=10V,Vdd=7V,Rg=2.2Ω,Id=30A | - | 44 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vgs=10V,Vdd=7V,Rg=2.2Ω,Id=30A | - | 11.5 | - | ns |
| 栅极内阻 | Rg | Vgs=0V,Vds=0V,f=1MHz | - | 2.5 | - | Ω |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Isd=20A | - | 0.78 | 1.2 | V |
| 体二极管连续正向电流 | Is | Tc=25℃ | - | - | 216 | A |
| 体二极管脉冲电流 | Is pulse | Tc=25℃ | - | - | 865 | A |
| 体二极管反向恢复时间 | trr | If=35A,Vr=30V,di/dt=100A/μs | - | 98 | - | ns |
| 体二极管反向恢复电荷 | Qrr | If=35A,Vr=30V,di/dt=100A/μs | - | 199 | - | nC |
| Fig1：输出特性曲线 Id-Vds 不同Vgs驱动 |
| Fig2：转移特性曲线 Id-Vgs 25℃/125℃对比 |
| Fig3：Rds(on)随漏极电流、栅压变化曲线 |
| Fig4：Rds(on)随栅极驱动电压变化曲线 |
| Fig5：归一化Rds(on)随结温变化曲线 |
| Fig6：归一化开启电压Vgs(th)温度曲线 |
| Fig7：归一化击穿电压BVdss温度曲线 |
| Fig8：电容Ciss/Coss/Crss随Vds变化曲线 |
| Fig9：栅电荷Qg-Vgs充电曲线 |
| Fig10：体二极管正向伏安特性25℃/150℃ |
| Fig11：最大允许功耗Ptot与外壳温度Tc曲线 |
| Fig12：连续漏极电流Id降额曲线(随Tc升温衰减) |
| Fig13：安全工作区SOA曲线 直流/1μs~10ms脉冲 |
| Fig14：瞬态热阻抗ZthJC 不同占空比D曲线 |
型号：KCB2904A | 封装：TO-263 | 类型：45V/130A N沟道SGT MOSFET
| 栅电荷测试电路 & Qg/Qgs/Qgd充电波形 |
| 电阻负载开关测试电路 & 开通关断时序波形 |
| 非钳位电感UIS雪崩测试电路 & Vds/Id冲击波形 |
| 体二极管反向恢复测试电路 & trr/Qrr波形 |
| 板块分类 | 宣传文案 |
|---|---|
| 核心卖点文案 | 采用高端SGT芯片工艺，导通内阻低至2.0mΩ，通流130A损耗极低； 高雪崩耐量、耐高温，多管并联一致性优秀，快充电源首选功率管。 |
| 应用场景文案 | 适配手机/笔记本AC-DC快充同步整流、储能BMS电池管理、UPS不间断电源； 大电流输出电路，高功率密度设备降本增效优选器件。 |
| 采购优势文案 | KIA原厂稳定供货，TO-263贴片封装自动化焊接； 低输入电容开关速度快，替代多款同规格竞品，性价比突出。 |
| KCB2904A | 同规格45V/120-130A N沟道MOSFET平替替代型号（竖排） |
|---|---|
| 45V 130A TO263 SGT管 |
IRL3103LS CSD16323Q5A AON6414L NTMFS4C13N TPHR8004NL FDMS0408AS PMV60XP SI7204DP NCE40H13 WSP40130 |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | VDS | 45 | V |
| 连续漏极电流(芯片极限25℃) | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流(封装极限25℃) | ID | 300 | A |
| 连续漏极电流(100℃芯片) | ID | 137 | A |
| 常温空气静态电流 | ID | 24 | A |
| 100uS脉冲峰值电流 | ID pulse | 865 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 200 | mJ |
| 栅极耐压范围 | VGS | ±20 | V |
| 外壳25℃最大功耗 | Ptot | 125 | W |
| 环境25℃最大功耗 | Ptot | 1.5 | W |
| 工作/存储温度区间 | TJ,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 10秒波峰焊耐温 | Tsold | 260 | ℃ |
| 分类 | 参数名称 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 热性能 | 结到外壳热阻 | 1.0 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | 81 | ℃/W | |
| 料号 | 封装 | 品牌 | 引脚定义 |
| KCB2904A | TO-263 | KIA | 1G/2D/3S |
| KCP2904A | TO-220 | KIA | 1G/2D/3S |
| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | 45(min) | - | V |
| 栅开启阈值电压 | Vgs(th) | 2 | 4 | V |
| 导通内阻@10V/20A | Rds(on) | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| 跨导gfs | gfs | 43 | - | S |
| 输入电容Ciss | Ciss | 4195 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | 1380 | - | pF |
| 反向电容Crss | Crss | 110 | - | pF |
| 总栅电荷Qg | Qg | 60 | - | nC |
| 体二极管正向压降 | Vsd | 0.78 | 1.2 | V |
| 体二极管持续电流 | Is | - | 216 | A |
| 反向恢复时间trr | trr | 98 | - | ns |
| 1. 先进SGT芯片工艺，内阻超低，功率损耗更小 |
| 2. 130A大电流承载，脉冲峰值可达865A |
| 3. 低输入电容，开关速度快，快充高频电路适配 |
| 4. 高雪崩耐量EAS=200mJ，抗冲击稳定性强 |
| 5. TO-263贴片封装，适合SMT自动化量产焊接 |
| 6. 并联均流性能优秀，大功率多路输出电路适用 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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