KCY3206B DFN5*6 60V95A 超低内阻 SGT MOS 管现货
信息来源：本站 日期：2026-07-02
KCY3206B DFN5*6 60V95A 超低内阻 SGT MOS 管现货
SGT 工艺 2.4mΩ 超低导通内阻｜500mJ 超大雪崩耐量｜100% UIS/ΔVds 全检
KCY3206B,KCY3206B DFN5*6,KIA 3206B,60V95A MOS 管，DFN56 功率 MOSFET
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号系列 | 3206B KIA N沟道SGT功率MOSFET |
| 额定电气规格 | 95A，60V N-Channel SGT MOSFET |
| 原厂品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 1. 采用SGT沟槽MOSFET核心工艺 |
| 2. DFN5*6封装散热性能优异 |
| 3. 高密度元胞设计，实现极低导通内阻 |
| 1. VGS=10V Rds(on)典型值仅2.4mΩ | 2. 出厂100% UIS雪崩冲击全检 |
| 3. 出厂100% ΔVds电压冲击全检 |
| 1. DC-DC直流降压转换电路 | 3. 同步整流电源方案 |
| 2. 各类电源管理模块电路 |
| 料号 Part Number | 封装 Package | 品牌 Brand |
|---|---|---|
| KCY3206B | DFN5*6 | KIA |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1,2,3 | Source 源极(S) |
| 4 | Gate 栅极(G) |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极(D) |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压(VGS=0V) | Vdss | 60 | V |
| 栅源耐压(VDS=0V) | Vgs | ±20 | V |
| 硅片极限连续漏极电流 | Id | 155 | A |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | Id | 95 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | Id | 60 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 390 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 500 | mJ |
| 25℃外壳总耗散功率 | Pd | 120 | W |
| 工作结温区间 | Tj | -55 ~ 150 | ℃ |
| 存储温度区间 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | Rθjc | 1.04 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | Rθja | 20 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 60 | - | - | V |
| 零栅压漏源漏电流 | Idss | Vds=60V,Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| 导通电阻1 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 2.4 | 2.8 | mΩ |
| 导通电阻2 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=15A | - | 2.7 | 3.4 | mΩ |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Is=20A,Vgs=0V | - | - | 1.2 | V |
| 体二极管连续电流 | Is | 无 | - | - | 95 | A |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=100KHz | - | 5960 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 1260 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 90 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | Vgs=10V,Vds=50V,Id=50A | - | 95 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 19 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 16 | - | nC | |
| 反向恢复电荷 | Qrr | If=25A,di/dt=100A/μs | - | 75 | - | nC |
| 反向恢复时间 | trr | - | 70 | - | ns | |
| 开通延迟时间 | td(on) |
Vgs=10V,Vdd=30V Id=25A,Rgen=2Ω |
- | 23.5 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 6.9 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 80.5 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 27.5 | - | ns |
| 1. 95A电流为封装极限，155A为硅片本身极限 |
| 2. 脉冲额定值：脉宽受器件最高结温限制 |
| 3. EAS雪崩测试：VDD=50V,Rg=25Ω,L=0.5mH,Tj=25℃ |
| 4. Pd功耗基于最大结温、结壳热阻计算 |
| 5. Rθja测试：1平方英寸FR4板、2oz铜箔、静止空气25℃ |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Figure1 | 输出特性 Id-Vds 曲线 |
| Figure2 | 转移特性 Id-Vgs 曲线 |
| Figure3 | Ciss/Coss/Crss 极间电容曲线 |
| Figure4 | Vgs栅压-总栅极电荷Qg曲线 |
| Figure5 | Rds(on)随漏极电流变化曲线 |
| Figure6 | Rds(on)随结温Tj变化曲线 |
| Figure7 | SOA最大安全工作区曲线 |
| Figure8 | 击穿电压BVdss随结温变化曲线 |
| Figure9 | 瞬态热阻抗脉冲时长响应曲线 |
| 电路编号 | 测试用途说明 |
|---|---|
| Figure A | 栅极电荷Qg/Qgs/Qgd测试电路及波形 |
| Figure B | 电阻负载开关时序td/tr/tf测试电路 |
| Figure C | 非钳位电感UIS雪崩冲击测试电路 |
| Figure D | 体二极管反向恢复trr/Qrr测试电路 |
KCY3206B DFN5*6 产品型号介绍
| KCY3206B DFN5*6 产品官介绍 | |
|---|---|
| 产品主标题 | KCY3206B DFN5*6 60V 95A SGT N沟道超低内阻MOS管 |
| 核心卖点短句 |
1. SGT高密度元胞，2.4mΩ极致低导通内阻 2. 500mJ超大雪崩能量，100%UIS/ΔVds全检 3. DFN5*6贴片封装，低热阻散热性能强 4. 120W大功率承载，脉冲峰值电流390A 5. 宽温-55~150℃，适配高频同步整流电路 6. 极低导通损耗，大幅降低电源整机温升 |
| 适配应用场景 |
DC-DC降压转换器、同步整流电源模块 快充电源、服务器电源、工业电源管理 锂电池大功率放电板、车载开关电源 |
| 产品优势长文案 | KIA原厂KCY3206B采用新一代SGT沟槽MOS工艺，DFN5*6贴片封装，额定60V耐压、95A持续大电流，VGS=10V导通电阻典型仅2.4mΩ，导通损耗远低于同规格竞品，从根源解决电源高温发烫、转换效率偏低痛点。器件出厂100%UIS雪崩、ΔVds电压冲击双重全检，单脉冲雪崩能量高达500mJ，负载冲击不易炸管，大幅降低整机返修率。封装结壳热阻仅1.04℃/W，25℃环境可承载120W大功率耗散，脉冲峰值电流可达390A，适配大功率瞬时负载。-55~150℃宽温稳定运行，专为DC-DC、同步整流高频电路设计，开关参数优异，可直接兼容替换市面多款60V DFN5*6大电流MOS，原厂现货充足，支持免费样品测试。 |
| 60V 90~100A DFN5*6 可替代平替型号（竖排窄屏长条展示） |
|---|
|
FDMS0306AS NTMFS4C03N SI7884DP BSC024N06LSG AON6406 AOS AON6406 ON NTMFS4891N Infineon BSC024N06LSG VISHAY SI7886DP STL90N6LF6AG IRFHS8034 KIA KCY3406B NTDV8960N FDMS86010AS SQ3406EV |
| KCY3206B DFN5*6 核心参数速查表 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数项目 | 符号 | 规格数值 | 测试条件 | 单位 |
| 漏源耐压 | VDS | 60 | VGS=0V | V |
| 25℃连续漏极电流 | ID | 95 | Tc=25℃ | A |
| 典型导通内阻 | Rds(on) | 2.4 | VGS=10V ID=20A | mΩ |
| 脉冲峰值电流 | IDM | 390 | 短时单脉冲 | A |
| 外壳额定功耗 | PD | 120 | Tc=25℃ DFN5*6 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 500 | Tj=25℃标准测试 | mJ |
| 工作结温区间 | TJ | -55~150 | 长期稳定运行 | ℃ |
| 结壳热阻 | RθJC | 1.04 | DFN5*6 Max值 | ℃/W |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
