KND3306C TO-252 68V80A 低内阻 MOS 管现货
信息来源：本站 日期：2026-07-02
KND3306C TO-252 68V80A 低内阻 MOS 管现货
6.5mΩ 超低导通内阻｜260mJ 高雪崩能量｜优化 dv/dt 抗电路震荡
KND3306C,KND3306C TO-252,KIA 3306C,68V80A MOS 管，TO252 功率 MOSFET
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | 3306C KIA N-Channel功率MOSFET |
| 额定规格 | 80A 68V N沟道高速开关MOS管 |
| 原厂品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 1. VGS=10V时Rds(on)典型6.5mΩ | 4. Fast switching 高速开关特性 |
| 2. 极低导通电阻Rds(on) | 5. 100%雪崩冲击出厂全检 |
| 3. 低反向传输电容Crss | 6. 优化CdV/dt抗震荡能力 |
| 1. PWM脉冲调制电路 | 3. 负载开关Load switch |
| 2. 电源管理Power Management |
| 料号 Part Number | 封装 Package | 品牌 Brand |
|---|---|---|
| KND3306C | TO-252 | KIA |
| KNB3306C | TO-263 | KIA |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 68 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | Id | 80 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | Id | 52 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | Idm | 320 | A |
| 栅源耐压 | Vgs | ±25 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 260 | mJ |
| 25℃外壳总耗散功率 | Pd | 125 | W |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 引脚焊接峰值温度(5s) | Tl | 300 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | Rθjc | 1 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 68 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=68V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 6.5 | 8.5 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | Vds=35V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 5850 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 230 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 210 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) |
Vgs=10V,Vds=35V RL=3Ω,Id=40A,Tj=25℃ |
- | 25 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 24 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 48 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 10 | - | ns | |
| 总栅极电荷(10V) | Qg | Vds=60V,Id=40A,Vgs=10V | - | 92.6 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 23 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 37 | - | nC | |
| 栅极内阻 | Rg | f=1MHz | - | 3.3 | - | Ω |
| 体二极管连续电流 | Is | - | - | - | 80 | A |
| 体二极管脉冲电流 | Ism | - | - | - | 320 | A |
| 二极管正向压降 | Vsd | Isd=20A,Vgs=0V,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 1. 脉冲测试：脉宽受最大结温限制 |
| 2. EAS雪崩测试条件：Tj=25℃,Vdd=50V,Vg=10V,L=0.5mH |
| 3. 开关时序脉冲：脉宽≤300μs，占空比≤0.5% |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Figure 1 | 导通区输出特性Id-Vds曲线 |
| Figure 2 | 转移特性Id-Vgs曲线 |
| Figure 3 | Rds(on)随漏极电流变化曲线 |
| Figure 4 | 体二极管正向伏安特性曲线 |
| Figure 5 | Ciss/Coss/Crss极间电容曲线 |
| Figure 6 | Vgs栅压-总栅极电荷Qg曲线 |
| Figure 7 | Vds漏源电压随Vgs栅压变化曲线 |
| Figure 8 | Rds(on)随栅压Vgs变化曲线 |
| Figure 9 | SOA最大安全工作区曲线 |
| Figure 10 | 最大连续Id随结温变化曲线 |
| Figure 11 | 瞬态热阻抗脉冲时长响应曲线 |
| 电路名称 | 测试用途说明 |
|---|---|
| 栅极电荷测试电路 | 测试Qg/Qgs/Qgd栅电荷参数波形 |
| 电阻负载开关测试电路 | 开通/关断时序td/tr/tf参数测试 |
| 非钳位电感UIS雪崩测试电路 | 单脉冲雪崩能量EAS冲击测试 |
| 二极管反向恢复dv/dt测试电路 | 体二极管反向恢复震荡特性测试 |
| KND3306C TO-252 产品官网宣传文案 | |
|---|---|
| 产品主标题 | KND3306C TO-252 68V 80A N沟道低内阻功率MOS管 |
| 核心卖点短句 |
1. 典型6.5mΩ超低导通电阻，发热更低 2. 低Crss电容，高速开关转换效率高 3. 260mJ高雪崩耐量，100%雪崩全检 4. 优化dv/dt抗干扰，电路不易震荡 5. TO-252贴片封装，125W大功率散热 6. ±25V宽栅压，适配各类驱动电路 |
| 适配应用场景 |
PWM调压电路、工业电源管理 电动车控制器、锂电池保护板 快充适配器、车载负载开关 |
| 产品优势长文案 | KIA原厂KND3306C TO-252贴片N沟道MOSFET，额定68V耐压、80A持续大电流，VGS=10V导通电阻仅6.5mΩ，大幅降低导通损耗与整机温升。器件反向传输电容Crss极低，开关速度快，高频电源转换损耗更小；出厂100%雪崩冲击测试，单脉冲雪崩能量260mJ，负载冲击不易炸管。内置优化体二极管，改善dv/dt震荡问题，EMC调试更简单。TO-252封装热阻低至1℃/W，25℃环境可承载125W大功率耗散，-55~150℃宽温稳定工作，兼容自动化SMT贴片，可直接替代市面多款60-70V同规格MOS，现货充足支持样品测试。 |
KND3306C60~68V 80A TO-252 可替代平替型号
| 60~68V 80A TO-252 可替代平替型号（竖排窄屏长条展示） |
|---|
|
AOD608 AOD4186 NTD4868N IPD068N06N3G SI8412DP FDMS8060AS NTMFS5C604N SQ608EV BSC068NS6 AOS AOD608 ON NTD4968N Infineon IPP060N06N3 VISHAY SI8414DP STL85N6LL IRF3306 KIA KCD3406B |
| KND3306C TO-252 核心参数速查表 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数项目 | 符号 | 规格数值 | 测试条件 | 单位 |
| 漏源耐压 | VDS | 68 | VGS=0V | V |
| 25℃连续漏极电流 | ID | 80 | Tc=25℃ | A |
| 典型导通内阻 | Rds(on) | 6.5 | VGS=10V ID=20A | mΩ |
| 脉冲峰值电流 | IDM | 320 | 短时单脉冲 | A |
| 外壳额定功耗 | PD | 125 | Tc=25℃ TO-252 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 260 | Tj=25℃标准测试 | mJ |
| 工作结温区间 | TJ | -55~150 | 长期稳定运行 | ℃ |
| 结壳热阻 | RθJC | 1 | TO-252 Max值 | ℃/W |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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