KNP2906C TO-220 60V130A 低内阻 替代 IRFP3206
信息来源：本站 日期：2026-07-03
KNP2906C TO-220 60V130A 低内阻 MOS 管 替代 IRFP3206
4.6mΩ 超低导通电阻｜100% UIS 雪崩全检｜低栅电荷高频高效
KNP2906C，KNP2906C TO-220，60V130A MOS 管，KIA 功率 MOS 管
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 型号系列 | 2906C（N沟道功率MOSFET） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor（可易亚半导体） |
| 电压规格 | 60V |
| 连续漏极电流 | 130A（Tc=25℃） |
| 工艺技术 | Advanced Trench 沟槽工艺 |
| 完整料号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNB2906C | TO-263 | KIA |
| KNP2906C | TO-220 | KIA |
| KNH2906C | TO-3P | KIA |
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极G） |
| 2 | Drain（漏极D） |
| 3 | Source（源极S） |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(VGS=0V) | VDS | 60 | V |
| 栅源电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 82 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 440 | A |
| 总耗散功率(Tc=25℃) | PD | 136 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 342 | mJ |
| 结温/存储温度范围 | TJ,TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.1 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 60 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V,25℃ | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 导通内阻Rds(on) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A TO-263/220 | - | 4.6 | 5.8 | mΩ |
| VGS=10V,ID=30A TO-3P | - | 4.7 | 5.8 | mΩ | ||
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | - | 0.5 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Ciss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 6500 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 340 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 283 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=30V,VGS=10V RG=3Ω,ID=20A | - | 18 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | - | 80 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 35 | - | ns | |
| 下降时间tf | tf | - | 87 | - | ns | |
| 总栅极电荷Qg | Qg | VDS=30V,VGS=10V ID=20A | - | 120 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | - | 30 | - | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | - | 35 | - | nC | |
| 体二极管连续电流 | ISD | - | - | - | 130 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 二极管反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us | - | 36 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us | - | 55 | - | nC |
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 文档页数 | 7页 |
| 版本号 | Rev 1.1 |
| 更新时间 | Sep.2025（2025年9月） |
| 参数项目 | 规格详情 |
|---|---|
| 完整料号 | KNP2906C |
| 封装形式 | TO-220 直插封装 |
| 器件类型 | N沟道功率MOSFET |
| 品牌厂商 | KIA KMOS 可易亚半导体 |
| 耐压VDS | 60V |
| 连续漏极电流ID | 130A(Tc=25℃) |
| 导通内阻Rds(on) | 4.6mΩ(典型@VGS=10V,ID=30A) |
| 峰值脉冲电流IDM | 440A |
| 芯片耗散功率PD | 136W(Tc=25℃) |
| 栅极总电荷Qg | 120nC |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 342mJ |
| 热阻RθJC | 1.1℃/W |
| 引脚定义 | 1-G 栅极 | 2-D 漏极 | 3-S 源极 |
| 工作温度范围 | -55℃ ~ +150℃ |
| 同参数竞品型号(竖向阅读) |
|---|
|
IRFP3206 IRFB3206 FQP130N06 CSD16323Q5A STP130N6F7 AOTF130N60 NTP130N06 SPP130N06 |
| 文案分类 | 宣传内容(单行≤35字) |
|---|---|
| 产品标题 | KNP2906C TO-220 60V130A低内阻功率MOS管 |
| 核心优势短句1 | 沟槽工艺打造4.6mΩ超低导通损耗 |
| 核心优势短句2 | 130A大电流承载，峰值脉冲440A耐冲击 |
| 核心优势短句3 | 低栅极电荷，高频开关场景损耗更低 |
| 可靠性卖点 | 全检UIS雪崩、ΔVds，抗浪涌稳定性强 |
| 工艺优势 | 优异CdV/dt抑制，降低电路振荡干扰 |
| 封装适配 | TO-220标准直插，散热装配简单便捷 |
| 环保属性 | 提供无铅绿色器件，符合环保标准 |
| 应用领域 | 适配场景说明 |
|---|---|
| 电动车控制器 | 电动自行车、滑板车大功率驱动电路 |
| 开关电源 | 大功率DC-DC降压、快充电源适配器 |
| 锂电保护板 | 储能电池大电流充放电管理模块 |
| 工业设备 | 电机驱动、逆变器、工控开关电路 |
| 车载设备 | 车载升压电源、车载大功率负载开关 |
| KNP2906C为KIA品牌TO-220封装N沟道MOSFET，耐压60V，持续电流130A，典型导通内阻仅4.6mΩ，搭配超低栅电荷设计，开关效率优异。器件经过100%雪崩与耐压全检，具备强抗干扰、耐浪涌特性，适配电动车、快充电源、储能保护板、工业电机驱动等大功率电路，标准TO-220直插封装散热性能优秀，供货稳定，可替代IRFP3206、FQP130N06等多款同规格进口MOS管。 |
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