KNB2906C TO-263 60V130A 低内阻贴片 不易发烫击穿
信息来源：本站 日期：2026-07-03
KNB2906C TO-263 60V130A 低内阻贴片 MOS 管 不易发烫击穿
4.6mΩ 超低导通电阻｜100% UIS 雪崩全检｜SMT 贴片量产高效
KNB2906C，KNB2906C TO-263，60V130A 贴片 MOS 管，KIA 贴片功率 MOSFET
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 系列型号 | 2906C N沟道功率MOSFET |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor可易亚半导体 |
| 额定耐压VDS | 60V |
| 25℃连续漏极电流ID | 130A |
| 核心工艺 | Advanced Trench沟槽工艺 |
| 可选封装 | TO-263/TO-220/TO-3P |
| 完整料号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNB2906C | TO-263 | KIA |
| KNP2906C | TO-220 | KIA |
| KNH2906C | TO-3P | KIA |
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压(VGS=0V) | VDS | 60 | V |
| 栅源电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 82 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 440 | A |
| 总耗散功率Tc=25℃ | PD | 136 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 342 | mJ |
| 结温/存储温度区间 | TJ,TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.1 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 60 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V,25℃ | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 导通内阻Rds(on) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A TO-263/220 | - | 4.6 | 5.8 | mΩ |
| VGS=10V,ID=30A TO-3P | - | 4.7 | 5.8 | mΩ | ||
| 栅极内阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | - | 0.5 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Ciss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 6500 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 340 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 283 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=30V,VGS=10V RG=3Ω,ID=20A | - | 18 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | - | 80 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 35 | - | ns | |
| 下降时间tf | tf | - | 87 | - | ns | |
| 总栅极电荷Qg | Qg | VDS=30V,VGS=10V ID=20A | - | 120 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | - | 30 | - | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | - | 35 | - | nC | |
| 体二极管连续电流 | ISD | 无 | - | - | 130 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 二极管反向恢复时间 | trr | TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us | - | 36 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | TJ=25℃,IF=30A di/dt=100A/us | - | 55 | - | nC |
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 文档总页数 | 7页 |
| 文档版本 | Rev 1.1 |
| 文档更新时间 | 2025年9月 Sep.2025 |
| 参数项目 | 规格详情 |
|---|---|
| 完整料号 | KNB2906C |
| 封装形式 | TO-263 贴片封装(D2PAK) |
| 器件类型 | N沟道功率MOSFET |
| 品牌厂商 | KIA KMOS 可易亚半导体 |
| 耐压VDS | 60V |
| 连续漏极电流ID | 130A(Tc=25℃) |
| 导通内阻Rds(on) | 4.6mΩ典型@VGS=10V,ID=30A |
| 脉冲峰值电流IDM | 440A |
| 芯片耗散功率PD | 136W(Tc=25℃) |
| 总栅极电荷Qg | 120nC，开关损耗低 |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 342mJ，抗浪涌能力强 |
| 结到外壳热阻RθJC | 1.1℃/W，散热性能优秀 |
| 引脚定义通用 | 1-G栅极 | 2-D漏极 | 3-S源极 |
| 工作温度区间 | -55℃ ~ +150℃ |
| 贴片MOS竞品型号(纵向阅读) |
|---|
|
IRFS3206
FDD130N06
CSD16323Q5A
STB130N6F7
AOSD130N60
NTD130N06
SPD130N06
TPH13006
|
| 文案分类 | 宣传内容(单行≤35字符) |
|---|---|
| 产品主标题 | KNB2906C TO-263 60V130A低内阻贴片MOS管 |
| 优势短句1 | 沟槽工艺4.6mΩ超低内阻，发热更低 |
| 优势短句2 | 130A持续大电流，440A脉冲耐冲击 |
| 优势短句3 | 低栅极电荷，高频电源开关效率高 |
| 可靠性文案 | 100%UIS雪崩、耐压全检，不易炸管 |
| 电路优化卖点 | 优异CdV/dt抑制，减少高频振荡干扰 |
| 封装优势 | TO-263贴片，自动化SMT贴装高效 |
| 环保特性 | 支持无铅绿色器件，符合RoHS标准 |
| 应用领域 | 场景适配说明 |
|---|---|
| 电动车电控板 | 电动两轮车、滑板车大功率驱动板 |
| 大功率快充电源 | 车载快充、大功率DC-DC降压模块 |
| 储能锂电保护板 | 户外储能、锂电池大电流充放电管理 |
| 工业开关电源 | 工控逆变器、大功率电机驱动电源 |
| 车载电子设备 | 车载大功率负载、车载升压电源模块 |
| KNB2906C为KIA品牌TO-263贴片N沟道MOSFET，额定耐压60V、持续电流130A，典型导通内阻仅4.6mΩ，搭配低栅电荷设计，高频开关损耗小。器件出厂全检雪崩与耐压，抗浪涌、抗电路振荡，TO-263贴片适配自动化量产，可直接替代IRFS3206、FDD130N06等进口贴片MOS，广泛用于电动车控制器、大功率快充、储能保护板、工业电源等大功率电路，国产现货供货稳定，支持免费试样。 |
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