KIA 原厂 KNH2908E TO-3P MOS 管 80V130A 大散热 N 沟道
信息来源：本站 日期：2026-07-07
KIA 原厂 KNH2908E TO-3P MOS 管 80V130A 大散热 N 沟道场效应管
TO-3P 加宽散热底座，4.8mΩ 低内阻，满载温升显著下降
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| 系列型号 | 2908E | 器件类型 | N沟道功率MOSFET |
|---|---|---|---|
| 额定参数 | 130A 80V | 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 1. 先进沟槽Trench工艺 |
| 2. VGS=10V时Rds(on)典型值4.8mΩ |
| 3. 超低栅极电荷，开关损耗更低 |
| 4. 100%雪崩能量EAS出厂保证 |
| 5. 环保无铅绿色器件可选 |
| 6. 优异CdV/dt抑制抗干扰性能 |
| 7. 100% ΔVds全检测试筛选 |
| 8. 100% UIS单脉冲雪崩可靠性测试 |
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KNP2908E | TO-220 | KIA |
| KNH2908E | TO-3P | KIA |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | VGS=0V | 80 | V |
| 栅源耐压 | VGS | VDS=0V | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=25℃ | 130 | A |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=100℃ | 82 | A |
| 脉冲漏极峰值电流 | IDM | 脉冲测试 | 640 | A |
| 总耗散功率 | PD | Tc=25℃ | 333 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | L=0.5mH | 756 | mJ |
| 结温/存储温度范围 | TJ,TSTG | - | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值Max | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.45 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 80 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=80V,Tc=25℃ | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=80V,Tc=55℃ | - | - | 5 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A | - | 4.8 | 6 | mΩ |
| 输入电容 | CISS | VDS=40V,f=1MHz | - | 10350 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | VDS=40V,f=1MHz | - | 380 | - | pF |
| 反向传输电容 | CRSS | VDS=40V,f=1MHz | - | 280 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=40V,RG=3Ω | - | 25 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=40V,RG=3Ω | - | 34 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=40V,RG=3Ω | - | 75 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=40V,RG=3Ω | - | 36 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=50V,ID=30A | - | 160 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=50V,ID=30A | - | 43 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=50V,ID=30A | - | 40 | - | nC |
| 体二极管正向电流 | ISD | - | - | - | 130 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=20A,di/dt=100A/μs | - | 40 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=20A,di/dt=100A/μs | - | 78 | - | nC |
| 图号 | 图表名称说明 |
|---|---|
| Figure1 | 输出特性 Id-Vds 曲线 |
| Figure2 | 转移特性 Id-Vgs 曲线 |
| Figure3 | 导通电阻随漏极电流变化曲线 |
| Figure4 | 体二极管正向伏安特性曲线 |
| Figure5 | 极间电容随Vds变化特性曲线 |
| Figure6 | 栅极电荷 Vgs-Qg 特性曲线 |
| Figure7 | 击穿电压随结温变化曲线 |
| Figure8 | 导通电阻随结温变化曲线 |
| Figure9 | 最大安全工作区 SOA 曲线 |
| Figure10 | 最大漏极电流随壳温变化曲线 |
| Figure11 | 瞬态热阻抗响应曲线 |
| 完整料号 | KNH2908E | 封装形式 | TO-3P |
|---|---|---|---|
| 器件类型 | N沟道功率MOSFET | 品牌 | KIA KMOS |
| 漏源耐压Vds | 80V | 25℃连续电流Id | 130A |
| 脉冲峰值电流Idm | 640A | 导通电阻Rds(on) | Typ4.8mΩ Max6mΩ |
| 最大耗散功率Pd | 333W | 雪崩耐受能量EAS | 756mJ |
| 总栅极电荷Qg | Typ160nC | 结壳热阻RθJC | Max0.45℃/W |
| 工作温度区间 | -55℃~150℃ | 栅极耐压Vgs | ±20V |
十二、平替替代型号清单（窄网站竖排长条展示）
| TO-3P封装兼容平替型号（竖排） | 替换适配说明 |
|---|---|
|
IRFP2907 IRFP3207 FDP130N08 STW130N8F7 SPP130N08 AOTF130N08 WNF130N08 IPW130N08S4L IXTP130N08T |
1. 全部TO-3P封装80V/120~130A N沟道MOS 2. Rds(on)4~8mΩ，电流耐压指标高度匹配 3. 引脚G/D/S定义与KNH2908E完全一致 4. 大功率逆变、重型电机控制器可直接互换 |
| 1. TO-3P大散热封装，高负载温升更低 |
| 2. 4.8mΩ超低内阻，大幅降低设备发热损耗 |
| 3. 超小栅极电荷，高频电源转换效率更高 |
| 4. 100%雪崩EAS出厂检测，抗冲击不易炸管 |
| 5. 优秀CdV/dt抑制，杜绝开关误导通故障 |
| 6. UIS、ΔVds双重严苛可靠性出厂全检 |
| 7. 峰值640A脉冲电流，瞬间过载耐受强 |
| 8. 环保无铅器件，满足各类设备安规标准 |
| 大功率工业逆变器、重型电动四轮车控制器 |
| 大型锂电储能电源、大功率直流充电桩模块 |
| 工业大功率电机驱动、工业电焊机主功率管 |
| 大功率UPS不间断电源、光伏储能逆变设备 |
| 车载大功率升压电源、重载开关电源设备 |
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D（外壳散热片连通） |
| 3 | Source 源极S |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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