KIA KNP2908E 超低栅极电荷功率 MOSFET 现货 高频电源
信息来源：本站 日期：2026-07-07
高频电源损耗大易损坏？KIA KNP2908E 超低栅极电荷功率 MOSFET 现货
4.8mΩ 超低导通内阻，设备温升更低；100% 雪崩 UIS 出厂检测，杜绝炸管
KNP2908E、KNP2908E TO-220、KIA 2908E、130A80V MOS 管、TO220 N 沟道 MOSFET、KIA 功率 MOS 管
| 型号 | 品类 | 品牌 |
|---|---|---|
| 2908E | N-Channel Power MOSFET | KIA KMOS Semiconductor |
| 1. 先进沟槽Trench工艺 |
| 2. VGS=10V时，Rds(on)典型4.8mΩ |
| 3. 极低栅极电荷，开关损耗小 |
| 4. 100%雪崩耐量EAS出厂保证 |
| 5. 环保无铅绿色器件可选 |
| 6. 优异CdV/dt抑制性能 |
| 7. 100% ΔVds 全检测试 |
| 8. 100% UIS单脉冲雪崩测试 |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2908E | TO-220 | KIA |
| KNH2908E | TO-3P | KIA |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | VGS=0V | 80 | V |
| 栅源电压 | VGS | VDS=0V | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=25℃ | 130 | A |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=100℃ | 82 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 脉冲测试 | 640 | A |
| 总耗散功率 | PD | Tc=25℃ | 333 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | L=0.5mH | 756 | mJ |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.45 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BV DSS | VGS=0V,ID=250uA | 80 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=80V,Tc=25℃ | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=80V,Tc=55℃ | - | - | 5 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A | - | 4.8 | 6 | mΩ |
| 输入电容 | CISS | VDS=40V,f=1MHz | - | 10350 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | VDS=40V,f=1MHz | - | 380 | - | pF |
| 反向传输电容 | CRSS | VDS=40V,f=1MHz | - | 280 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=40V,RG=3Ω | - | 25 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=40V,RG=3Ω | - | 34 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=40V,RG=3Ω | - | 75 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=40V,RG=3Ω | - | 36 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=50V,ID=30A | - | 160 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=50V,ID=30A | - | 43 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=50V,ID=30A | - | 40 | - | nC |
| 体二极管正向电流 | ISD | - | - | - | 130 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=20A,di/dt=100A/us | - | 40 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=20A,di/dt=100A/us | - | 78 | - | nC |
| 图号 | 曲线名称 |
|---|---|
| Figure1 | 输出特性 Id-Vds |
| Figure2 | 转移特性 Id-Vgs |
| Figure3 | 导通电阻随漏极电流变化 |
| Figure4 | 体二极管正向伏安特性 |
| Figure5 | 极间电容随Vds变化曲线 |
| Figure6 | 栅极电荷Vgs-Qg特性 |
| Figure7 | 击穿电压随结温变化 |
| Figure8 | 导通电阻随结温变化 |
| Figure9 | SOA安全工作区曲线 |
| Figure10 | 最大漏极电流随壳温变化 |
| Figure11 | 瞬态热阻抗响应曲线 |
| 基础型号 | KNP2908E | 封装 | TO-220 |
|---|---|---|---|
| 通道类型 | N沟道功率MOSFET | 品牌 | KIA KMOS |
| 耐压Vds | 80V | 连续电流Id(25℃) | 130A |
| 脉冲峰值Idm | 640A | 导通电阻Rds(on) | Typ 4.8mΩ Max6mΩ |
| 最大耗散功率Pd | 333W | 雪崩能量EAS | 756mJ |
| 栅极总电荷Qg | Typ160nC | 热阻RθJC | Max0.45℃/W |
| 工作结温区间 | -55℃~150℃ | 栅极耐压Vgs | ±20V |
十一、KNP2908E平替替代型号清单（窄屏竖排长条展示）
| 可直接平替兼容型号（竖排） | 适配说明 |
|---|---|
|
IRFB3207 IRFP2907 FDP130N08 STW130N8F7 CSD16323Q5A SPP130N08G AOTF130N08 WNF130N08 IPW130N08S4L |
1. 均为TO-220封装80V/120~130A N沟道MOS 2. Rds(on)区间4~8mΩ，电流耐压匹配 3. 电源、逆变器、电动车控制器可直接替换 4. 引脚定义G/D/S与KNP2908E完全一致 |
| 1. 先进沟槽工艺，超低导通损耗 |
| 2. 典型4.8mΩ低内阻，发热更低 |
| 3. 超小栅极电荷，高频开关效率高 |
| 4. 100%雪崩EAS出厂检测，抗冲击强 |
| 5. 优秀CdV/dt抑制，不易误导通 |
| 6. 全项UIS、ΔVds严苛可靠性测试 |
| 7. TO-220标准封装，散热安装便捷 |
| 8. 环保无铅绿色器件，符合安规标准 |
| 大功率直流开关电源、工业逆变器 |
| 电动两轮/三轮车控制器、锂电储能保护板 |
| 车载大功率升压/降压模块、充电器 |
| 电焊机、大功率电机驱动、UPS不间断电源 |
| 光伏微型逆变器、大电流负载开关设备 |
| 引脚序号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D（散热片连通） |
| 3 | Source 源极S |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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