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KNB2808A TO-263 贴片 80V150A 低内阻 替代进口防炸管

信息来源:本站 日期:2026-07-08 

KNB2808A TO-263 贴片 MOS 管 80V150A 低内阻 替代进口防炸管

仅 4mΩ 低导通内阻|100% 雪崩全检防浪涌|TO263 贴片适配 SMT 产线,现货免费拿样

KNB2808A

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KIA 2808A N沟道功率MOSFET 完整规格参数

一、KNB2808A TO-263产品基础总览
项目 完整参数
器件型号 2808A(KIA N-CHANNEL N沟道MOSFET)
额定耐压Vdss 80V
连续电流Id(Tc=25℃) 150A
典型导通内阻 Rds(on)=4.0mΩ @ VGS=10V
支持封装 TO-263、TO-220、TO-247、TO-3P
引脚定义 1-G栅极,2-D漏极,3-S源极,4-D漏极
环保标准 无铅绿色器件,符合RoHS环保规范
二、KNB2808A TO-263产品核心特性 Features
序号 特性详情
1 Rds(on)典型4.0mΩ,低压驱动导通损耗极低
2 出厂100%雪崩能量冲击可靠性全检测试
3 芯片结构坚固,耐受短时大电流浪涌冲击
4 无铅环保生产,全封装规格RoHS合规出货
三、适用应用场景 Applications
序号 应用领域
1 各类大功率开关电源高速切换电路
2 光伏/车载逆变系统功率管理回路
四、KNB2808A TO-263绝对最大额定值(TA=25℃)
参数名称 符号 测试条件 TO-220/TO-263 TO-247/TO-3P 单位
漏源击穿电压 Vdss - 80 80 V
栅源耐受电压 Vgss - ±25 ±25 V
最高工作结温 Tj - 175 175
存储温度区间 Tstg - -55~175 -55~175
二极管连续正向电流 Is Tc=25℃ 150 150 A
连续漏极电流 Id Tc=25℃ 150 150 A
连续漏极电流 Id Tc=100℃ 114 114 A
脉冲峰值漏极电流 Idm Tc=25℃ 660 660 A
单脉冲雪崩能量 Eas L=0.5mH,VD=64V 1.1 1.1 J
最大耗散功率 Pd Tc=25℃ 178 214 W
最大耗散功率 Pd Tc=100℃ 89 107 W
备注:*脉冲额定值脉宽受结温限制;**Id受封装结温约束;***雪崩测试VD=64V
五、KNB2808A TO-263热特性参数 Thermal Characteristics
参数名称 符号 额定数值 单位
结到环境热阻 RθJA 62.5 ℃/W
结到外壳热阻 RθJC 0.7 ℃/W
六、KNB2808A TO-263电气特性参数(TA=25℃)
参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 BVdss Vgs=0V,Ids=250μA 80 - - V
常温零栅压漏电流 Idss Vds=80V,Vgs=0V - - 1 μA
85℃零栅压漏电流 Idss Vds=80V,Vgs=0V,Tj=85℃ - - 10 μA
栅极开启阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250μA 2.0 3.0 4.0 V
栅极漏电流 Igss Vgs=±25V,Vds=0V - - ±100 nA
漏源导通内阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=40A - 4.0 5.0
栅极内部电阻 Rg Vds=0V,f=1MHz - 1.8 - Ω
体二极管正向压降 Vsd Isd=40A,Vgs=0V - 0.8 1.2 V
二极管反向恢复时间 trr Isd=85A - 30 - nS
反向恢复电荷 Qrr dIsd/dt=100A/μs - 52 - nC
输入电容Ciss Ciss Vds=25V,f=1MHz - 6109 - pF
输出电容Coss Coss Vds=25V,f=1MHz - 995 - pF
反向传输电容Crss Crss Vds=25V,f=1MHz - 530 - pF
开通延迟时间 td(on) Vdd=40V,Id=85A,Rg=6Ω - 28 - ns
电压上升时间 tr Vdd=40V,Id=85A,Rg=6Ω - 18 - ns
关断延迟时间 td(off) Vdd=40V,Id=85A,Rg=6Ω - 42 - ns
电流下降时间 tf Vdd=40V,Id=85A,Rg=6Ω - 54 - ns
总栅极电荷Qg Qg Vds=64V,Id=85A - 152 - nC
栅源电荷Qgs Qgs Vds=64V,Id=85A - 25 - nC
栅漏电荷Qgd Qgd Vds=64V,Id=85A - 53 - nC
备注:电气参数为脉冲测试,脉宽≤300us,占空比≤2%
七、KNB2808A TO-263封装引脚功能定义
引脚编号 引脚功能
1 Gate 栅极(G)
2 Drain 漏极(D)
3 Source 源极(S)
4 Drain 漏极(散热焊盘)
八、KNB2808A TO-263全系列可用封装类型
封装型号 封装形态
TO-263 贴片SMT封装
TO-220 标准插件封装
TO-247 大功率散热插件封装
TO-3P 工业大功率插件封装
九、KNB2808A TO-263规格曲线图表参数说明
图表名称 曲线核心说明
功耗曲线 Power Dissipation Tj=25℃最大功耗214W,随结温升高线性衰减
漏极电流Id曲线 常温满载150A,高温受封装限制电流下降
SOA安全工作区 区分直流/10ms/1ms/100us脉冲安全工作区间
热瞬态阻抗曲线 单脉冲/多占空比下归一化热阻随脉宽变化
输出特性曲线 Vgs4~10V驱动电压下Id-Vds导通特性曲线
Rds(on)随Id变化曲线 Vgs=10V,负载电流越大导通内阻缓慢上升
Rds(on)随Vgs变化曲线 Vgs≥6V后内阻稳定,低压驱动内阻大幅升高
阈值电压温度曲线 Vgs(th)随结温上升线性降低,负温度系数
Rds(on)温度归一曲线 内阻随温度升高增大,25℃典型3.8mΩ
体二极管正向特性 25℃/150℃两条Is-Vsd导通对比曲线
极间电容曲线 Ciss/Coss/Crss随Vds增大持续下降,1MHz测试
栅电荷Qg曲线 Vds=64V/Id=85A下Vgs随总栅电荷分段抬升
十、KNB2808A TO-263 TO-263封装KNB2808A营销推广介绍
产品核心定位 80V/150A贴片N沟道MOS,小型开关电源专用功率管
核心卖点1 Rds(on)典型4.0mΩ,导通损耗低,整机发热大幅降低
核心卖点2 全批次100%雪崩冲击检测,抗浪涌不易炸管
核心卖点3 ±25V宽栅压耐受,兼容市面上绝大多数驱动IC
核心卖点4 最高175℃结温,高低温工况长期稳定运行
核心卖点5 无铅绿色器件,全规格符合RoHS出口标准
TO-263封装优势 贴片自动贴装,节省人工,背面焊盘散热优良
适配应用1 小型大功率DC-DC、便携快充电源开关回路
适配应用2 小型车载逆变、便携式光伏储能电源主板
适配应用3 工业小型驱动板、电池充放电功率管理电路
供货优势 KIA原厂稳定现货,支持免费试样、批量定制
客户价值 替代进口贴片MOS,压缩物料成本,缩短交期
十一、KNB2808A TO-263 平替替代型号清单(正向分行竖向展示,无旋转文字)

KNB2808A

型号分类 平替型号列表
国产TO263通用平替 HYD150N08
WSD150N08D
TPD150N08
FSD150N08
KNB150N08
进口贴片原厂对标平替 CSD16323Q5A
AOTD150N08
IRFD3207
IPD150N08S4L
80V140~160A贴片兼容款 FDQ150N08
NTD150N08
SPD150N08G
STD150N08
同规格插件互替型号 KNP2808A TO220
2808A TO247
2808A TO3P
选型提示:替换时核对耐压、电流、内阻与封装焊盘尺寸
十二、KNB2808A TO-263产品宣传短标语(详情页通用)
1.80V150A贴片MOS,低内阻省电降低整机温升
2.全检雪崩耐浪涌,便携储能快充设备优选器件
3.TO263标准贴片,SMT自动化生产节约人工成本
4.国产原厂现货直供,完美替代进口贴片功率MOS
5.-55~175℃宽温区间,户外小型电源稳定适配
6.一站式多封装规格,贴片/插件功率管配套齐全

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNB2808A

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