KNP2808A TO-220 80V150A 低内阻 逆变电源专用平替型号
信息来源：本站 日期：2026-07-08
KNP2808A TO-220 80V150A 低内阻 MOS 管 逆变电源专用平替型号
导通内阻仅 4mΩ｜耐高温 175℃｜现货可试样，替代进口 MOS 降低成本
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| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 型号 | 2808A |
| 通道类型 | N-CHANNEL N沟道MOSFET |
| 额定耐压Vdss | 80V |
| 额定连续电流Id(Tc=25℃) | 150A |
| 封装类型 | TO-263、TO-220、TO-247、TO-3P |
| 引脚定义 | 1-Gate栅极，2-Drain漏极，3-Source源极，4-Drain漏极 |
| 导通内阻Rds(on) | 典型4.0mΩ @ Vgs=10V |
| 环保标准 | 无铅绿色器件，符合RoHS |
| 序号 | 特性说明 |
|---|---|
| 1 | Rds(on)典型4.0mΩ @ VGS=10V |
| 2 | 100%雪崩能量冲击测试 |
| 3 | 高可靠、耐冲击坚固结构 |
| 4 | 无铅绿色器件，RoHS合规 |
| 序号 | 应用领域 |
|---|---|
| 1 | 各类开关电源切换电路 |
| 2 | 逆变系统功率管理电路 |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | TO-220/TO-263 | TO-247/TO-3P | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | - | 80 | 80 | V |
| 栅源电压 | Vgss | - | ±25 | ±25 | V |
| 最高结温 | Tj | - | 175 | 175 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | - | -55~175 | -55~175 | ℃ |
| 二极管连续正向电流 | Is | Tc=25℃ | 150 | 150 | A |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃ | 150 | 150 | A |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=100℃ | 114 | 114 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | Tc=25℃ | 660 | 660 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | L=0.5mH,VD=64V | 1.1 | 1.1 | J |
| 最大耗散功率 | Pd | Tc=25℃ | 178 | 214 | W |
| 最大耗散功率 | Pd | Tc=100℃ | 89 | 107 | W |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.7 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Ids=250μA | 80 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | Idss | Vds=80V,Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 零栅压漏电流(85℃) | Idss | Vds=80V,Vgs=0V,Tj=85℃ | - | - | 10 | μA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±25V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=40A | - | 4.0 | 5.0 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | Vds=0V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 1.8 | - | Ω |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Isd=40A,Vgs=0V | - | 0.8 | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Isd=85A | - | 30 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | dIsd/dt=100A/μs | - | 52 | - | nC |
| 输入电容Ciss | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 6109 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 995 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 530 | - | pF |
| 开通延迟时间td(on) | td(on) | Vdd=40V,Ids=85A,Rg=6Ω,Vgs=10V | - | 28 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | Vdd=40V,Ids=85A,Rg=6Ω,Vgs=10V | - | 18 | - | ns |
| 关断延迟时间td(off) | td(off) | Vdd=40V,Ids=85A,Rg=6Ω,Vgs=10V | - | 42 | - | ns |
| 下降时间tf | tf | Vdd=40V,Ids=85A,Rg=6Ω,Vgs=10V | - | 54 | - | ns |
| 总栅电荷Qg | Qg | Vds=64V,Vgs=10V,Ids=85A | - | 152 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | Vds=64V,Vgs=10V,Ids=85A | - | 25 | - | nC |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | Vds=64V,Vgs=10V,Ids=85A | - | 53 | - | nC |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 4 | Drain 漏极(D) |
| 封装名称 |
|---|
| TO-263 |
| TO-220 |
| TO-247 |
| TO-3P |
| 图表名称 | 核心曲线参数要点 |
|---|---|
| 功耗曲线 Power Dissipation | Tj=25℃最大功耗214W，随结温上升线性下降至175℃归零 |
| 漏极电流 Id 曲线 | Tc=25℃最大150A，高温受封装限制电流大幅衰减 |
| SOA安全工作区 | 区分DC直流、10ms/1ms/100us脉冲安全电流电压区间 |
| 热瞬态阻抗 | 单脉冲/不同占空比下归一化热阻随脉冲时长变化曲线 |
| 输出特性曲线 | Vgs4~10V不同驱动电压下Id-Vds导通电流曲线 |
| Rds(on)随Id变化 | Vgs=10V，电流越大导通内阻缓慢上升 |
| Rds(on)随Vgs变化 | Vgs≥6V后内阻趋于稳定，低压驱动内阻急剧升高 |
| Vgs(th)温度曲线 | 阈值电压随结温升高线性降低，负温度系数 |
| Rds(on)温度曲线 | 内阻随结温升高正向增大，Tj=25℃典型3.8mΩ |
| 体二极管正向曲线 | 25℃/150℃两条Is-Vsd正向导通曲线，高温压降更低 |
| 电容特性曲线 | Ciss/Coss/Crss随Vds增大持续下降，测试频率1MHz |
| 栅电荷Qg曲线 | Vds=64V、Id=85A下Vgs随总栅电荷上升分段变化 |
| 产品定位 | 80V 150A N沟道MOS，逆变/大功率开关电源专用管 |
|---|---|
| 核心优势1 | Rds(on)典型4.0mΩ，导通损耗低，整机温升更小 |
| 核心优势2 | 100%雪崩冲击全检，抗浪涌，工业设备高可靠 |
| 核心优势3 | ±25V栅极耐压，兼容市面绝大多数驱动芯片 |
| 核心优势4 | 最高175℃结温，高低温环境长期稳定运行 |
| 核心优势5 | 无铅绿色器件，全规格符合RoHS出口标准 |
| TO-220封装亮点 | 插件式散热优异，可加装散热片，组装工序简单 |
| 适用场景1 | 大功率DC-DC电源、工业快充主功率开关回路 |
| 适用场景2 | 车载逆变、光伏逆变系统功率管理电路 |
| 适用场景3 | 户外储能电源、大功率电机驱动切换电路 |
| 供货优势 | KIA原厂现货稳定供应，支持批量定制试样 |
| 客户价值 | 降低整机散热成本，延长设备整机使用寿命 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿耐压 | Vdss | 80 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | Id | 150 | A |
| 导通内阻典型值 | Rds(on) | 4.0 | mΩ |
| 栅源电压耐受 | Vgss | ±25 | V |
| 最大工作结温 | Tj | 175 | ℃ |
| TO220最大功耗(25℃) | Pd | 178 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 1.1 | J |
| 标准封装 | - | TO-220 | - |
| 型号分类 | 平替型号（竖排） |
|---|---|
| 国产同规格通用平替 |
HY150N08 WSD150N08 TP150N08 FS150N08 KNP150N08 |
| 进口原厂对标平替 |
IRFB8015 FDP150N08 AOT150N08 IPW150N08S4L |
| 80V/140~160A兼容平替 |
IRF3207 SPP150N08G NTB150N08 STP150N08 |
| 同型号多封装替换款 |
KNP2808A TO263 KNP2808A TO247 KNP2808A TO3P |
| 1.80V150A大功率MOS，低内阻省电降温 |
| 2.全检雪崩耐冲击，工业逆变设备优选器件 |
| 3.TO220标准插件，散热设计简单易加工 |
| 4.国产原厂稳定供货，替代进口压缩物料成本 |
| 5.-55~175℃宽温，储能户外设备适配性强 |
| 6.多封装规格可选，一站式配套功率元器件 |
| 序号 | 器件核心特性 |
|---|---|
| 1 | Rds(on)典型4mΩ，低压驱动导通损耗极低 |
| 2 | 出厂100%雪崩能量冲击可靠性测试 |
| 3 | 器件结构坚固，耐受短时浪涌电流冲击 |
| 4 | 无铅环保生产工艺，满足全球RoHS标准 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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