KNB2708A TO-263 贴片 80V160A 低内阻 贴片电源抗炸管平替
信息来源：本站 日期：2026-07-09
KNB2708A TO-263 贴片 MOS 管 80V160A 低内阻 贴片电源抗炸管平替
典型 4mΩ 导通内阻｜低 Qg 压低高频损耗｜1100mJ 雪崩抗浪涌，TO263 适配 SMT 自动化贴片，原厂可免费拿样
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| 项目 | 完整参数 |
|---|---|
| 产品系列母型号 | KNX2708A系列，KIA自研沟槽MOS |
| 本款物料型号 | KNB2708A（TO-263贴片封装） |
| 同系列插件型号 | KNP2708A（TO-220直插封装） |
| 器件品类 | N-CHANNEL N沟道功率MOSFET |
| 漏源耐压Vdss | 80V |
| 25℃连续漏极电流Id | 160A |
| 100℃连续漏极电流Id | 80A |
| 典型导通内阻Rds(on) | 4.0mΩ @ VGS=10V、Id=24A |
| 引脚排布规则 | 1栅极G、2漏极D、3源极S、4散热漏极D |
| 工作&储存温区 | -55℃ ~ 175℃ |
| 序号 | 特性详情 |
|---|---|
| 1 | 自研全新沟槽芯片制程，电气稳定性表现优异 |
| 2 | 典型4.0mΩ导通内阻，压低导通损耗、降低整机温升 |
| 3 | 偏低栅极电荷，削减高频场景开关功率损耗 |
| 4 | 内置快恢复体二极管，压制反向电压尖峰干扰 |
| 序号 | 细分使用领域 |
|---|---|
| 1 | 高效率DC/DC升降压贴片式电源模组 |
| 2 | 电源板卡贴片布局的同步整流功率回路 |
| 3 | 小型UPS逆变、便携储能设备功率管理单元 |
| 物料型号 | 封装形态 | 品牌厂商 |
|---|---|---|
| KNP2708A | TO-220直插插件封装 | KIA |
| KNB2708A | TO-263贴片D2PAK封装 | KIA |
| 参数中文名称 | 参数符号 | 额定规格 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿耐压 | Vdss | 80 | V |
| 栅源可承受电压 | Vgss | ±20 | V |
| 常温连续漏极电流 | Id(Tc=25℃) | 160 | A |
| 高温连续漏极电流 | Id(Tc=100℃) | 80 | A |
| 脉冲峰值可承受漏流 | IdM | 640 | A |
| 单脉冲雪崩耐受能量 | EAS | 1100 | mJ |
| 二极管峰值恢复速率 | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 器件最大耗散功耗 | Pd | 313 | W |
| 25℃以上功耗降额系数 | - | 2.08 | W/℃ |
| 引脚短时焊接上限温度 | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体短时耐热上限 | Tpak | 260 | ℃ |
| 工作、储存允许温度区间 | TJ/TSTG | -55 ~ 175 | ℃ |
| 参数中文名称 | 参数符号 | 额定规格 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 结芯到外壳热阻 | RθJC | 0.48 | ℃/W |
| 结芯到周边环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 参数分组 | 参数名称 | 符号 | 测试前置条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断类指标 | 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V、Ids=250μA | 80 | - | - | V |
| 常温漏源漏电电流 | Idss | Vds=80V、Vgs=0V | - | - | 5 | μA | |
| 125℃高温漏电流 | Idss | Vds=80V、TJ=125℃ | - | - | 100 | μA | |
| 导通类指标 | 栅极漏电电流 | Igss | Vgs=±20V、Vds=0V | -100 | - | +100 | nA |
| 漏源导通内阻 | Rds(on) | Vgs=10V、Id=24A | - | 4.0 | 4.8 | mΩ | |
| 栅极导通开启阈值 | Vgs(th) | Vds=Vgs、Id=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V | |
| 动态电容参数 | 正向跨导 | gfs | Vds=10V、Id=80A | - | 130 | - | S |
| 输入电容Ciss | Ciss | 25V耐压、1MHz测试 | - | 9300 | - | pF | |
| 输出电容Coss | Coss | 25V耐压、1MHz测试 | - | 650 | - | pF | |
| 反向传输电容Crss | Crss | 25V耐压、1MHz测试 | - | 260 | - | pF | |
| 栅极本体串联电阻 | Rg | 1.0MHZ测试频率 | - | 2.7 | - | Ω | |
| 栅电荷分项参数 | 栅极总电荷Qg | Qg | Vdd=40V、Id=80A | - | 115 | - | nC |
| 栅源分区电荷Qgs | Qgs | Vdd=40V、Id=80A | - | 40 | - | nC | |
| 密勒栅漏电荷Qgd | Qgd | Vdd=40V、Id=80A | - | 30 | - | nC | |
| 开关时序时长 | 开通延迟时长 | td(on) | Rg=10Ω、VGS=10V | - | 50 | - | ns |
| 电压上升耗时 | trise | Rg=10Ω、VGS=10V | - | 135 | - | ns | |
| 关断延迟时长 | td(off) | Rg=10Ω、VGS=10V | - | 112 | - | ns | |
| 电压下降耗时 | tfall | Rg=10Ω、VGS=10V | - | 75 | - | ns | |
| 体二极管参数 | 二极管持续导通电流 | Isd | MOS内置PN体二极管 | - | - | 160 | A |
| 二极管脉冲峰值电流 | Ism | 短时脉冲冲击工况 | - | - | 640 | A | |
| 二极管正向压降 | Vsd | 导通电流Is=80A | - | - | 1.2 | V | |
| 反向恢复耗时trr | trr | diF/dt=100A/μs | - | 85 | - | ns | |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | diF/dt=100A/μs | - | 205 | - | nC |
| 引脚序号 | 引脚对应的电气功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（缩写G）栅极控制引脚 |
| 2 | Drain（缩写D）主漏极导电引脚 |
| 3 | Source（缩写S）源极接地引脚 |
| 4 | Drain（缩写D）背面散热金属焊盘 |
| 曲线图表名称 | 图表内部核心规律解读 |
|---|---|
| 结壳热瞬态阻抗曲线 | 不同占空比工况下，脉冲时长越长热阻抗逐步走高 |
| 功耗随外壳温度变化曲线 | 外壳升温，器件可承载最大功耗线性向下衰减 |
| 持续电流随外壳温度曲线 | 常温满载160A，高温环境器件限流至80A |
| 输出Id?Vds特性曲线 | 栅极驱动电压拉高，器件可导通的峰值电流提升 |
| 导通内阻?栅压变化曲线 | 栅压≥6V内阻趋于平稳，低压驱动内阻明显上涨 |
| 峰值脉冲电流耐受曲线 | 脉冲持续时长越短，器件可承受瞬时冲击电流越高 |
| 转移特性Vgs?Id曲线 | ?55℃/常温/150℃三类温度下导通门槛存在差异 |
| 无钳位电感雪崩能力曲线 | 常温、高温两类基准温度，雪崩安全工作区间不同 |
| 内阻?负载电流变化曲线 | 导通电流变大，器件本体导通内阻出现小幅抬升 |
| 内阻?结温归一变化曲线 | 芯片结温升高，导通内阻同步增大、发热会叠加 |
| 耐压随结温波动曲线 | 芯片温度上升，器件本身耐压规格会小幅正向提升 |
| 阈值电压温度特性曲线 | 结温越高栅极开启阈值电压会逐步下降（负温系数） |
| 正向安全工作区SOA图表 | 划分直流、毫秒、微秒脉冲工况的电压电流安全边界 |
| 极间电容随耐压变化曲线 | 漏源施加电压提升，三项极间电容数值持续走低 |
| 栅电荷充放电波形曲线 | 可直观区分Qgs基础充电段、Qgd密勒平台区间 |
| 体二极管导通特性曲线 | 三类极端温度，二极管导通压降、导通电流表现不同 |
| 营销栏目分项 | 对应的产品卖点、商业价值介绍 |
|---|---|
| 产品市场定位 | 80V160A贴片MOS，SMT量产型同步整流、DC?DC电源主力器件 |
| 卖点①低损耗控温 | 沟槽工艺4mΩ典型内阻，压降损耗低，整机温升能显著下降 |
| 卖点②高频能效优势 | 偏低栅极电荷，高频开关损耗被压缩，电源整体能效提升 |
| 卖点③抗浪涌可靠性 | 1100mJ雪崩耐受规格，感性负载浪涌冲击不易出现炸管故障 |
| 卖点④贴片制程增益 | TO?263适配SMT全自动贴装，削减插件人工焊接的成本开销 |
| 卖点⑤宽温环境适配 | ?55~175℃宽泛耐温区间，户外储能、车载设备可稳定运行 |
| 封装结构独有优势 | 背面大面积金属焊盘导热，贴片产品散热上限优于普通贴片MOS |
| 主流落地使用场景 | 快充电源板卡、小型UPS电源、车载储能BMS功率回路 |
| 下游拓展适配领域 | 便携式光伏逆变模组、工业控制板贴片式功率变换电路 |
| 供应链供货保障 | KIA原厂批次备货稳定，TO220/TO263两种封装均可免费试样 |
| 给到采购方价值 | 参数对标海外进口贴片MOS，物料采购成本、供货交期得到优化 |
| 型号所属分类 | 可选用的平替型号明细 |
|---|---|
| 国产TO?263贴片平替 |
HYD160N08 WSD160N08D TPD160N08 FSD160N08 KNB160N08 |
| 海外原厂贴片对标平替 |
CSD18532Q5B AOTD160N08 IRFD3208 IPD160N08N3 |
| 耐压电流兼容贴片备选 |
FDQ160N08 NTD160N08 SPD160N08G STD160N08 |
| 同参数插件封装互替款 |
KNP2708A TO?220 HY160N08 TO?220 IRFB160N08 |
| 1.80V160A贴片功率MOS，低内阻减少电源外壳发烫问题 |
| 2.高雪崩抗浪涌能力，储能、快充设备能降低MOS炸管返修率 |
| 3.TO?263标准贴片焊盘，适配工厂SMT自动化批量贴片加工 |
| 4.KIA国产原厂直供，一站式平替高价交期不稳的海外贴片MOS |
| 5.低栅电荷适配高频拓扑，贴片式同步整流电源器件优选型号 |
| 6.贴片+插件双封装备货，产品迭代切换物料不用重新做硬件改版 |
| 序号 | 产品差异化竞争优势描述 |
|---|---|
| 1 | 新一代沟槽芯片，导通内阻偏低，满载工况控温表现亮眼 |
| 2 | 栅极总电荷偏低，高频电源拓扑的开关损耗可以有效压缩 |
| 3 | 快恢复内置体二极管，外围不用额外增补续流二极管元器件 |
| 4 | 1100mJ雪崩能量规格，应对感性负载瞬时浪涌冲击容错率高 |
| 5 | 宽泛耐温区间，工业设备、户外便携储能产品均可落地适配 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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