KCY2408A DFN5*6 贴片 80V190A 超低内阻 快充抗浪涌
信息来源：本站 日期：2026-07-09
KCY2408A DFN5*6 贴片 MOS 管 80V190A 超低内阻 快充抗浪涌国产化平替
典型 2.0mΩ 超低导通内阻｜高速开关削减高频损耗｜880mJ 雪崩抵御浪涌冲击，DFN5*6 适配 SMT 自动化贴片，原厂支持免费拿样实测
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| 项目 | 完整参数 |
|---|---|
| 产品系列编号 | 2408A系列，KIA SGT沟槽MOSFET |
| 本款物料型号 | KCY2408A（DFN5*6超薄贴片封装） |
| 同系列配套型号 | KCD2408A（TO-252贴片封装） |
| 器件品类 | N-CHANNEL N沟道功率MOSFET |
| 耐压规格Vdss | 80V |
| 25℃连续漏极电流Id | 190A |
| 100℃连续漏极电流Id | 143A |
| DFN5*6典型导通内阻 | 2.0mΩ @ VGS=10V、Id=40A |
| TO?252典型导通内阻 | 3.1mΩ @ VGS=10V |
| DFN引脚分配 | 4脚G栅极、5/6/7/8脚D漏极、1/2/3脚S源极 |
| 工作&储存温区 | -55℃ ~ 150℃ |
| 序号 | 特性详情 |
|---|---|
| 1 | 采用SGT MOSFET成熟先进芯片架构 |
| 2 | KIA自研全新Trench沟槽半导体制程 |
| 3 | DFN封装仅2.0mΩ超低内阻，导通损耗极低 |
| 4 | 开关切换速度快，电源整机能量转换效率高 |
| 5 | 偏低导通电阻，降低长时间满载温升水平 |
| 序号 | 细分使用领域 |
|---|---|
| 1 | ACDC快充电源内部同步整流功率回路 |
| 2 | 锂电池储能产品电池管理BMS系统 |
| 3 | 通信基站设备、服务器大功率供电模组 |
| 物料型号 | 封装形态 | 品牌厂商 |
|---|---|---|
| KCY2408A | DFN5×6 超薄贴片封装 | KIA |
| KCD2408A | TO?252 贴片封装 | KIA |
| 参数中文名称 | 参数符号 | 额定规格 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿耐压 | Vdss | 80 | V |
| 栅源可承受电压 | Vgss | ±20 | V |
| 常温连续漏极电流 | Id(Tc=25℃) | 190 | A |
| 高温连续漏极电流 | Id(Tc=100℃) | 143 | A |
| 脉冲峰值可承受漏流 | IdM | 750 | A |
| 单脉冲雪崩耐受能量 | EAS(L=1mH) | 880 | mJ |
| 器件最大耗散功耗 | Pd(Tc=25℃) | 227 | W |
| 25℃以上功耗降额系数 | Pd | 1.82 | W/℃ |
| 引脚短时焊接上限温度 | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体短时耐热上限 | Tpak | 260 | ℃ |
| 工作、储存允许温度区间 | TJ/TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数中文名称 | 参数符号 | 额定规格 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 结芯到外壳热阻 | RθJC | 0.55 | ℃/W |
| 结芯到周边环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数分组 | 参数名称 | 符号 | 测试前置条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断类指标 | 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V、Id=250uA | 80 | - | - | V |
| 常温漏源漏电电流 | Idss | Vds=80V、Vgs=0V | - | - | 1 | uA | |
| 125℃高温漏电流 | Idss | Vds=64V、TJ=125℃ | - | - | 100 | uA | |
| 导通内阻 | 栅极漏电电流 | Igss | Vgs=±20V、Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| DFN5*6导通内阻 | Rds(on) | VGS=10V、Id=40A | - | 2.0 | 2.5 | mΩ | |
| 导通&动态电容 | TO?252导通内阻 | Rds(on) | VGS=10V | - | 3.1 | 3.5 | mΩ |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs、Id=250uA | 2.0 | - | 4.0 | V | |
| 正向跨导 | gfs | Vds=15V、Id=25A | - | 18 | - | S | |
| 输入电容Ciss | Ciss | VGS=0V、VDS=40V、1MHz | - | 6670 | - | pF | |
| 电容分项 | 反向传输电容Crss | Crss | 同上1MHz测试条件 | - | 54 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | 同上1MHz测试条件 | - | 1020 | - | pF | |
| 栅极总电荷Qg | Qg | VDD=40V、Id=50A | - | 105 | - | nC | |
| 栅电荷细分 | 栅源分区电荷Qgs | Qgs | VGS=10V | - | 28 | - | nC |
| 密勒栅漏电荷Qgd | Qgd | VGS=10V | - | 29 | - | nC | |
| 开通延迟时长 | td(on) | RG=3Ω、VGS=10V | - | 30 | - | nS | |
| 开关时序时长 | 电压上升耗时 | trise | RG=3Ω、VGS=10V | - | 20 | - | nS |
| 关断延迟时长 | td(off) | RG=3Ω、VGS=10V | - | 65 | - | nS | |
| 电压下降耗时 | tfall | RG=3Ω、VGS=10V | - | 18 | - | nS | |
| 体二极管参数 | 二极管持续导通电流 | Isd | MOS内置PN体二极管 | - | - | 190 | A |
| 二极管脉冲峰值电流 | Ism | 短时脉冲冲击工况 | - | - | 750 | A | |
| 二极管正向压降 | Vsd | 导通电流Is=80A | - | - | 1.2 | V | |
| 反向恢复耗时trr | trr | diF/dt=100A/us | - | 82 | - | ns | |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | diF/dt=100A/us | - | 71 | - | uC |
| 引脚序号 | 引脚对应的电气功能 |
|---|---|
| 4 | Gate（G）栅极控制引脚 |
| 5、6、7、8 | Drain（D）漏极导电与散热引脚 |
| 1、2、3 | Source（S）源极接地导电引脚 |
| 曲线图表名称 | 图表内部核心规律解读 |
|---|---|
| 导通区域输出特性曲线 | 栅极驱动电压拉高，器件导通可承载电流同步提升 |
| Vgs?Id转移特性曲线 | 常温、125℃高温两种环境下器件导通门槛有差异 |
| 内阻随漏极电流变化曲线 | 固定栅压工况下，负载电流波动对内阻造成小幅影响 |
| 内阻随芯片结温变化曲线 | 芯片温度上升，归一化导通内阻同步出现正向抬升 |
| 内阻随栅极电压变化曲线 | 栅极电压拉高，导通内阻先快速下降后逐步趋于平稳 |
| 体二极管导通特性曲线 | 不同耐压区间下，二极管可承载反向电流能力产生区别 |
| 栅极电荷充放电波形曲线 | 可直观分辨Qgs预充区间、Qgd密勒电压平台区间 |
| 极间电容随耐压变化曲线 | 漏源施加电压提升，Ciss/Coss/Crss三类电容持续衰减 |
| 正向偏置安全工作区SOA | 划分直流、10ms、1ms、100us脉冲工况安全电压电流边界 |
| 营销栏目分项 | 对应的产品卖点、商业价值介绍 |
|---|---|
| 产品市场定位 | 80V190A超薄DFN贴片MOS，快充/服务器电源高功率整流器件 |
| 卖点①超低导通内阻 | DFN封装内阻低至2.0mΩ，大幅压低导通损耗，设备温升显著下降 |
| 卖点②高速开关高效率 | 优化栅电荷参数，快充高频整流场景开关损耗低、电源能效拉高 |
| 卖点③超薄省PCB布线空间 | 紧凑型DFN5*6外形，适配快充、服务器电源高密度PCB布局 |
| 卖点④浪涌冲击耐受可靠 | 880mJ雪崩能量余量充足，快充插拔浪涌不易触发MOS炸管故障 |
| 卖点⑤自动化量产适配 | 标准DFN焊盘兼容市面SMT贴片设备，削减人工焊接加工成本 |
| 场景落地适配范围 | 大功率AC?DC快充模组、储能BMS、通信服务器供电电源板块 |
| 供应链给到客户价值 | 电气参数对标海外一线品牌器件，国产化选型压低采购成本、规避断供风险 |
| 型号所属分类 | 可选用的平替型号明细 |
|---|---|
| 国产DFN5*6贴片平替 |
HYD190N08 WSD190N08D TPD190N08 FSD190N08 |
| 海外原厂贴片对标平替 |
CSD16323Q5A AOTD190N08 IPD190N08S4L |
| 耐压电流兼容贴片备选 |
FDQ190N08 NTD190N08 SPD190N08G |
| 同参数不同封装互替款 |
KCD2408A TO?252 KNB2708A TO?263 KNP2708A TO?220 |
| 1.DFN5*6超低内阻MOS，大功率快充电源控制外壳温升 |
| 2.高雪崩抗浪涌规格，快充插拔冲击降低MOS管产品返修率 |
| 3.紧凑型贴片封装，服务器、快充高密度PCB布线不受空间限制 |
| 4.KIA国产原厂稳定供货，平价平替高价海外DFN功率MOS器件 |
| 5.高速开关性能优秀，大功率同步整流电源实现更高电能转换效率 |
| 6.双封装物料可选，DFN/TO?252按需选型适配不同产品结构设计 |
| 序号 | 产品差异化竞争优势描述 |
|---|---|
| 1 | SGT沟槽架构打磨出2mΩ超低内阻，大功率满载散热压力大幅降低 |
| 2 | 开关切换速度快，快充高频整流拓扑可以减少无功功耗浪费 |
| 3 | DFN紧凑型贴片外形，适配轻薄快充、高密度服务器电源PCB布局 |
| 4 | 达标雪崩耐受规格，应对快充插拔浪涌冲击，产品长期运行故障率低 |
| 5 | 标准化DFN焊盘兼容主流SMT设备，不用改造治具即可开展批量贴片生产 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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