80V190A DFN5*6 KCY2408B 低栅电荷强抗扰、现货支持免费试样
信息来源：本站 日期：2026-07-09
80V190A DFN5*6 MOS KCY2408B 低栅电荷强抗扰、现货支持免费试样
典型 1.9mΩ 超低导通内阻｜68nC 低栅电荷压缩高频损耗｜1225mJ 雪崩抵御插拔浪涌，DFN5*6 适配 SMT 自动化贴片，原厂可免费拿样实测
KCY2408B、KCY2408B DFN56、2408B 系列 DFN 贴片 MOS、DFN56 80V190A MOS 管、超薄 DFN N 沟道高速开关功率 MOSFET
| 项目 | 完整参数 |
|---|---|
| 产品系列编号 | 2408B系列，KIA SGT架构功率MOSFET |
| 物料型号 | KCY2408B（DFN5*6超薄贴片封装） |
| 器件品类 | N-CHANNEL N沟道高速开关功率MOSFET |
| 品牌归属 | KMOS Semiconductor（KIA） |
| 耐压规格Vdss | 80V |
| 25℃连续漏极电流Id | 190A |
| 100℃连续漏极电流Id | 131A |
| 典型导通内阻Rds(on) | 1.9mΩ @ VGS=10V、Id=30A |
| 引脚排布规则 | 1/2/3脚G栅极、4脚D漏极、5~8脚S源极 |
| 工作&储存温区 | -55℃ ~ 150℃ |
| 序号 | 特性详情 |
|---|---|
| 1 | 采用进阶SGT半导体芯片制程，性能上限更高 |
| 2 | 典型内阻低至1.9mΩ，导通压降损耗、整机温升更低 |
| 3 | 超低栅极电荷，大幅削减高频电路开关损耗 |
| 4 | 提供环保合规物料版本，适配外销产品环保要求 |
| 5 | 压制电压变化带来的dv/dt干扰，电路运行更稳定 |
| 6 | 出厂100%做耐压、非钳位电感雪崩两项可靠性检测 |
| 物料型号 | 封装形态 | 品牌厂商 |
|---|---|---|
| KCY2408B | DFN5×6 超薄贴片封装 | KIA |
| 参数中文名称 | 参数符号 | 额定规格 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿耐压 | Vdss | 80 | V |
| 栅源可承受电压 | Vgs | ±20 | V |
| 常温连续漏极电流 | Id(Tc=25℃) | 190 | A |
| 高温连续漏极电流 | Id(Tc=100℃) | 131 | A |
| 脉冲峰值可承受漏流 | IdM | 720 | A |
| 单脉冲雪崩耐受能量 | EAS | 1225 | mJ |
| 器件最大耗散功耗 | Pd(Tc=25℃) | 174 | W |
| 工作、储存允许温度区间 | TJ/TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数中文名称 | 参数符号 | 最大规格 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 结芯到外壳热阻 | RθJC | 0.86 | ℃/W |
| 参数分组 | 参数名称 | 符号 | 测试前置条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断类指标 | 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V、Id=250uA | 80 | - | - | V |
| 常温漏源漏电电流 | Idss | Vds=80V、Vgs=0V | - | - | 1 | uA | |
| 栅极漏电电流 | Igss | Vgs=±20V、Vds=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通类指标 | 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs、Id=250uA | 2.0 | 2.5 | 4.0 | V |
| 漏源导通内阻 | Rds(on) | VGS=10V、Id=30A | - | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| 动态电容参数 | 栅极本体串联电阻 | Rg | 1.0MHZ测试频率 | - | 2.0 | - | Ω |
| 输入电容Ciss | Ciss | VGS=0V、VDS=20V、1MHz | - | 5200 | - | pF | |
| 输出电容Coss | Coss | 同上1MHz测试条件 | - | 1050 | - | pF | |
| 栅电荷分项参数 | 反向传输电容Crss | Crss | 同上1MHz测试条件 | - | 50 | - | pF |
| 栅极总电荷Qg | Qg | VDD=40V、Id=30A | - | 68 | - | nC | |
| 栅源分区电荷Qgs | Qgs | VDD=40V、Id=30A | - | 18.5 | - | nC | |
| 开关时序时长 | 密勒栅漏电荷Qgd | Qgd | VDD=40V、Id=30A | - | 12 | - | nC |
| 开通延迟时长 | td(on) | Rg=2Ω、VGS=10V | - | 20 | - | ns | |
| 电压上升耗时 | tr | Rg=2Ω、VGS=10V | - | 25 | - | ns | |
| 关断延迟时长 | td(off) | Rg=2Ω、VGS=10V | - | 50 | - | ns | |
| 体二极管参数 | 电压下降耗时 | tf | Rg=2Ω、VGS=10V | - | 35 | - | ns |
| 二极管持续导通电流 | Isd | MOS内置PN体二极管 | - | - | 190 | A | |
| 二极管正向压降 | Vsd | 导通电流Is=30A | - | - | 1.2 | V | |
| 反向恢复耗时trr | trr | diF/dt=100A/us | - | 82 | - | ns | |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | diF/dt=100A/us | - | 160 | - | nC |
| 引脚序号 | 引脚对应的电气功能 |
|---|---|
| 1、2、3 | Gate（缩写G）栅极控制引脚 |
| 4 | Drain（缩写D）主漏极导电引脚 |
| 5、6、7、8 | Source（缩写S）源极接地散热焊盘 |
| 曲线图表名称 | 图表内部核心规律解读 |
|---|---|
| 输出特性Id?Vds曲线 | 栅压拉高，器件可承载导通电流同步得到提升 |
| Vgs?Id转移特性曲线 | 常温脉冲工况下，栅压突破阈值后电流快速抬升 |
| 内阻?负载电流变化曲线 | 负载电流变大，导通内阻会产生小幅正向抬升 |
| 电流?外壳温度降额曲线 | 外壳温度升高，器件能输出的最大安全电流持续下降 |
| 栅极电荷充放电波形曲线 | 可拆分读取Qgs预充区间、Qgd密勒电压平台区间 |
| 极间电容耐压变化曲线 | 漏源施加电压提升，三类极间电容数值持续走低 |
| 耐压随结温波动曲线 | 芯片结温上涨，器件本体击穿耐压会小幅提升 |
| 内阻?结温归一变化曲线 | 芯片升温导通内阻变大，器件发热会形成叠加效应 |
| 正向安全工作区SOA图表 | 划定直流、长短脉冲工况电压电流安全运行边界 |
| 体二极管导通特性曲线 | 不同耐压档位下，体二极管可承载反向电流存在区别 |
| 瞬态热阻抗变化曲线 | 脉冲持续时长变长、占空比升高，瞬态热阻抗同步走高 |
| 营销栏目分项 | 对应的产品卖点、商业价值介绍 |
|---|---|
| 产品市场定位 | 80V190A超薄DFN贴片MOS，快充高密度PCB国产化优选器件 |
| 卖点①超低导通内阻 | 1.9mΩ行业偏低内阻，大功率快充满载温升进一步被压低 |
| 卖点②超低栅电荷高能效 | 栅电荷仅68nC，高频快充拓扑开关损耗变少、电源能效拔高 |
| 卖点③超高雪崩可靠性 | 1225mJ雪崩能量余量充足，快充插拔浪涌炸管故障率大幅下降 |
| 卖点④EMI干扰优化 | 压制dv/dt电压尖峰，减少EMI滤波元器件用量，精简BOM成本 |
| 卖点⑤出厂严苛品控 | 100%耐压+雪崩全检，批量出货器件不良率被严格管控 |
| 卖点⑥超薄结构优势 | DFN紧凑型焊盘缩减PCB占用面积，适配轻薄快充产品结构 |
| 供应链给到采购价值 | 对标海外高端DFN MOS，国产化选型压低采购成本、规避断供涨价风险 |
| 型号所属分类 | 可选用的平替型号明细 |
|---|---|
| 国产DFN5*6贴片平替 |
HYD190N08?B WSD190N08DB TPD190N08B FSD190N08B |
| 海外原厂贴片对标平替 |
CSD16323Q5B AOTD190N08 IPD190N08S4L |
| 耐压电流兼容贴片备选 |
FDQ190N08B NTD190N08 SPD190N08G?B |
| 同系列旧版本物料互替 |
KCY2408A DFN5*6 KCD2408A TO?252 |
| 1.DFN5*6 1.9mΩ超低内阻MOS，大功率快充控制外壳温升表现亮眼 |
| 2.1225mJ高雪崩规格，快充插拔浪涌冲击，MOS炸管返修率显著降低 |
| 3.优化EMI电压尖峰干扰，减少外围滤波器件用量，整体物料成本下降 |
| 4.出厂两道可靠性全检，大批量快充电源项目器件批量不良风险更低 |
| 5.KIA国产原厂稳定备货，平价平替高价供货不稳的海外DFN功率MOS |
| 6.紧凑型DFN焊盘适配轻薄快充，高密度PCB布局布线设计自由度更高 |
| 序号 | 产品差异化竞争优势描述 |
|---|---|
| 1 | 进阶SGT芯片制程打磨出1.9mΩ超低内阻，满载控温能力处于行业上游水准 |
| 2 | 栅电荷数值偏低，快充高频拓扑无功功耗变少，电源整机能量转换效率提升 |
| 3 | 1225mJ大单脉冲雪崩耐受规格，快充插拔瞬时浪涌容错性变强，产品返修减少 |
| 4 | dv/dt尖峰抑制优化，EMI滤波元器件用量缩减，BOM物料整体开销得到压降 |
| 5 | 出厂100%耐压、雪崩两道项目级检测，批量供货的器件品质稳定性有硬性兜底 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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