KCB2908A TO-263 85V 低内阻 N 沟道 大电流原厂现货
信息来源：本站 日期：2026-07-13
KCB2908A TO-263 85V 低内阻 N 沟道 MOS 管 大电流原厂现货
SGT 先进工艺，Rds (on) 典型 3.7mΩ，130A 持续大电流，现货可拿样
KCB2908A，KCB2908A TO-263，KIA MOS 管，85V N 沟道 MOSFET，130A 功率 MOS 管
| 产品定位 | KIA 2908A系列85V低压低阻N沟道功率MOSFET，TO-263贴片封装，SGT先进工艺，适配电机驱动、同步整流、DC-DC电源 |
|---|---|
| 核心优势 |
1. 导通内阻典型3.7mΩ，极低导通损耗 2. 优良FOM品质因数，开关损耗低 3. 大电流承载，TO-263持续电流130A 4. 耐热性能优秀，结温范围-55~175℃ 5. 低栅极电荷，高频转换效率高 |
| 应用场景 | 直流电机驱动、电源同步整流、升降压DC-DC变换器、工业通用开关电源、车载低压供电模块 |
| 料号 | 封装 | 品牌 | 备注 |
|---|---|---|---|
| KCB2908A | TO-263 | KIA | 主推型号，大散热，130A持续电流 |
| KCD2908A | TO-252 | KIA | 同芯片小封装，持续电流110A |
| 引脚序号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 85 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 130 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流 | Id | 78 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | Idp | 480 | A | Tc=25℃，脉冲受限 |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 625 | mJ | L=0.5mH,Rg=25Ω |
| 栅源电压 | Vgs | ±20 | V | - |
| 耗散功率 | Ptot | 238 | W | Tc=25℃ |
| 结温/存储温度 | Tj/Tstg | -55~175 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 60 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.63 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | 85 | - | - | V | Vgs=0V,Id=250μA |
| 零栅漏电流 | Idss | - | - | 1 | μA | Vds=85V,Tj=25℃ |
| 零栅漏电流 | Idss | - | - | 5 | μA | Vds=85V,Tj=125℃ |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V | Vds=Vgs,Id=250μA |
| 栅极漏电流 | Igss | - | - | 100 | nA | Vgs=±20V,Vds=0V |
| 导通内阻 | Rds(on) | - | 3.7 | 4.6 | mΩ | Vgs=10V,Id=40A |
| 跨导 | gfs | - | 90 | - | S | Vds=5V,Id=40A |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 栅极内阻 | Rg | 1.9 | Ω | Vgs=0V,Vds=0V,F=1MHz |
| 输入电容 | Ciss | 5250 | pF | Vds=40V,Vgs=0V,F=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 625 | pF | Vds=40V,Vgs=0V,F=1MHz |
| 反向传输电容 | Crss | 45 | pF | Vds=40V,Vgs=0V,F=1MHz |
| 开通延迟时间 | td(on) | 20 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 上升时间 | tr | 38 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 关断延迟时间 | td(off) | 45 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 下降时间 | tf | 20 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅电荷 | Qg | 77 | nC | Vds=50V,Id=20A,Vgs=10V |
| 栅源电荷 | Qgs | 31 | nC | Vds=50V,Id=20A,Vgs=10V |
| 栅漏电荷 | Qgd | 17 | nC | Vds=50V,Id=20A,Vgs=10V |
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降 | Vsd | - | 0.85 | 1.4 | V | Vgs=0V,Isd=40A |
| 反向恢复时间 | trr | - | 68 | - | ns | If=30A,dIf/dt=500A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 260 | - | nC | If=30A,dIf/dt=500A/μs |
| 替代型号 |
|
|---|---|
| 替代选型说明 | 均为80~85V N沟道TO-263大电流低阻MOS，导通内阻4~6mΩ区间，适配电机/同步整流场景；KCD2908A同芯片仅封装TO-252，小功率方案直接替换 |
| 曲线编号 | 图表名称 | 作用说明 |
|---|---|---|
| Figure1 | 输出特性曲线 | 不同Vgs下Id-Vds电流输出能力 |
| Figure2 | 转移特性曲线 | 高低温下栅压控制漏极电流特性 |
| Figure3 | Rds(on)-Id曲线 | 大电流区间导通内阻稳定性 |
| Figure4 | Rds(on)-温度曲线 | 温升带来内阻变化幅度参考 |
| Figure5 | Rds(on)-Vgs曲线 | 不同驱动电压下导通损耗表现 |
| Figure6 | 体二极管正向特性 | 续流二极管压降与电流对应关系 |
| Figure7 | 栅极电荷曲线 | 驱动功耗、开关速度选型依据 |
| Figure8 | 极间电容曲线 | 高频开关损耗计算参考 |
| Figure10 | 瞬态热阻抗曲线 | 脉冲工作温升、散热设计参考 |
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