KCD2908B TO-252 85V 低阻 N 沟道 原厂现货可拿样
信息来源：本站 日期：2026-07-13
KCD2908B TO-252 85V 低阻 N 沟道 MOS 管 原厂现货可拿样
TO-252 小型贴片封装，典型 4.3mΩ 低导通内阻，110A 持续电流，免费寄样
KCD2908B，KCD2908B TO-252，KIA MOS 管，85V N 沟道 MOSFET，110A 贴片功率 MOS
| 产品定位 | KIA 2908A系列85V低压低阻N沟道功率MOSFET，TO-252贴片小封装，SGT先进工艺，适配小型电机、微型电源、同步整流方案 |
|---|---|
| 核心优势 |
1. 导通内阻典型3.7mΩ，导通损耗极低 2. 优异FOM品质因数，开关损耗小 3. 紧凑TO-252封装，节省PCB布线空间 4. 宽温-55~175℃，适配高低温设备 5. 低栅电荷，高频DC-DC转换效率高 |
| 解决客户痛点 |
1. 小尺寸电源PCB空间不足，TO252小型封装缩小板卡面积 2. 电源满载发热严重，3.7mΩ低阻降低发热 3. 高频变换器转换效率低，低Qg优化开关损耗 4. 小型电机驱动过载易发烫，大电流耐受稳定 |
| 应用使用领域 | 微型直流电机驱动、小功率同步整流、小型DC-DC升降压模块、便携设备电源、车载低压小功率供电、通用小型开关电路 |
| 物料型号 | 封装形式 | 品牌 | 产品备注 |
|---|---|---|---|
| KCD2908A | TO-252 | KIA | 小封装经济型，持续电流110A |
| KCB2908A | TO-263 | KIA | 同芯片大散热封装，持续电流130A |
| 引脚序号 | 引脚功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 85 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 110 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流 | Id | 66 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | Idp | 480 | A | Tc=25℃，脉冲受限 |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 625 | mJ | L=0.5mH,Rg=25Ω |
| 栅源耐压范围 | Vgs | ±20 | V | - |
| 最大耗散功率 | Ptot | 85 | W | Tc=25℃ |
| 结温/存储温度区间 | Tj/Tstg | -55 ~ 175 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 60 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.76 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | 85 | - | - | V | Vgs=0V,Id=250μA |
| 零栅漏电流 | Idss | - | - | 1 | μA | Vds=85V,Tj=25℃ |
| 零栅漏电流 | Idss | - | - | 5 | μA | Vds=85V,Tj=125℃ |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V | Vds=Vgs,Id=250μA |
| 栅极漏电流 | Igss | - | - | 100 | nA | Vgs=±20V,Vds=0V |
| 导通内阻 | Rds(on) | - | 4.3 | 5.0 | mΩ | Vgs=10V,Id=40A |
| 跨导 | gfs | - | 90 | - | S | Vds=5V,Id=40A |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 栅极内阻 | Rg | 1.9 | Ω | Vgs=0V,Vds=0V,F=1MHz |
| 输入电容 | Ciss | 5250 | pF | Vds=40V,Vgs=0V,F=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 625 | pF | Vds=40V,Vgs=0V,F=1MHz |
| 反向传输电容 | Crss | 45 | pF | Vds=40V,Vgs=0V,F=1MHz |
| 开通延迟时间 | td(on) | 20 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 上升时间 | tr | 38 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 关断延迟时间 | td(off) | 45 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 下降时间 | tf | 20 | ns | Vds=40V,Vgs=10V,Rl=3Ω |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅电荷 | Qg | 77 | nC | Vds=50V,Id=20A,Vgs=10V |
| 栅源电荷 | Qgs | 31 | nC | Vds=50V,Id=20A,Vgs=10V |
| 栅漏电荷 | Qgd | 17 | nC | Vds=50V,Id=20A,Vgs=10V |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降 | Vsd | - | 0.85 | 1.4 | V | Vgs=0V,Isd=40A |
| 反向恢复时间 | trr | - | 68 | - | ns | If=30A,dIf/dt=500A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 260 | - | nC | If=30A,dIf/dt=500A/μs |
| 可直接平替型号 |
|
|---|---|
| 选型替换说明 | 全部为80~85V N沟道TO-252封装MOS，导通内阻4~6mΩ区间，适配小型电机、微型DC-DC、小功率同步整流；KCB2908A同芯片仅封装更大，大功率方案升级替换 |
| 图表编号 | 图表全称 | 设计参考用途 |
|---|---|---|
| Figure 1 | 输出特性曲线(Tj=25℃) | 不同栅压下漏极电流输出能力参考 |
| Figure 2 | 转移特性曲线(温变对比) | 高低温栅压控流特性，低温启动设计参考 |
| Figure 3 | Rds(on)-Id电流曲线 | 满载大电流下导通内阻稳定性校验 |
| Figure 4 | Rds(on)-温度变化曲线 | 设备温升带来内阻损耗变化预估 |
| Figure 5 | Rds(on)-Vgs驱动电压曲线 | 不同驱动电压下导通损耗选型依据 |
| Figure 6 | 体二极管正向伏安曲线 | 同步整流续流压降、损耗计算参考 |
| Figure 7 | 栅极电荷Vgs-Qg曲线 | 驱动电路功耗、开关速度设计依据 |
| Figure 8 | 极间电容Ciss/Coss/Crss曲线 | 高频开关损耗、EMI干扰预估参考 |
| Figure 10 | 瞬态热阻抗曲线RthJC | 脉冲工作模式、短时过载温升散热设计 |
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