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KCB012N09N TO-263 90V305A 低内阻|大功率电源专用

信息来源:本站 日期:2026-07-14 

KCB012N09N TO-263 90V305A 低内阻 MOS 管|大功率电源专用

1.3mΩ 超低导通内阻,整机发热大幅降低|100% 雪崩 + DVDS 全检,工业设备稳定不炸管

KCB012N09N

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KCB012N09N 90V305A MOS管参数

一、产品基础概述 KCX012N09N(KCB012N09N TO-263)

项目 参数详情
产品系列 KCX012N09N
料号TO-263封装 KCB012N09N
料号TOLL封装 KCT012N09N
耐压VDS 90V(规格书标注100V级)
连续电流ID(Tc=25℃) 305A
封装Rds(on)典型值 TO-263:1.3mΩ;TOLL:1.08mΩ
单盘包装数量 TO-263:1000pcs;TOLL:2000pcs
工艺 Geener 先进MOS工艺
认证标准 JEDEC、RoHS、无卤素HF
出厂检测 100% DVDS测试、100%雪崩测试

二、KCB012N09N(TO-263封装)产品核心优势 Features

序号 优势说明(单行≤35字)
1 采用Geener新一代先进MOS半导体工艺
2 极低导通内阻RDS(on),导通损耗更小
3 优异QgxRds(on) FOM优值,开关损耗低
4 完全符合JEDEC工业级可靠性标准

三、KCB012N09N(TO-263封装)适用应用场景 Applications

序号 应用领域(单行≤35字)
1 工业电机控制、电机驱动电源方案
2 储能电池管理BMS、锂电充放电回路
3 UPS不间断电源、大功率逆变设备

四、KCB012N09N(TO-263封装)绝对最大额定参数 Absolute Maximum Ratings

参数名称 符号 数值 单位 备注条件
漏源击穿电压 VDS 90 V -
连续漏极电流 ID 305 A Tc=25℃
连续漏极电流 ID 30 A TA=25℃
连续漏极电流 ID 193 A Tc=100℃
脉冲漏极电流 ID pulse 1220 A Tc=25℃,受结温限制
单脉冲雪崩能量 EAS 1280 mJ L=0.5mH,Rg=25Ω
栅源耐压 VGS ±20 V -
总耗散功率 Ptot 260 W Tc=25℃
结温/存储温度 Tj,Tstg -55~+150 工作极限温区

五、KCB012N09N(TO-263封装)热阻参数 Thermal Resistance

参数名称 符号 最大值 单位
结到外壳热阻 RthJC 0.5 ℃/W
结到环境热阻 RthJA 65 ℃/W

六、静态电气参数 Static Characteristic(Tj=25℃)

参数名称 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
漏源击穿电压 BVDSS 90 - - V VGS=0V,ID=250uA
栅极开启电压 VGS(th) 2.3 3.1 3.9 V VDS=VGS,ID=250uA
零栅压漏极电流 IDSS - - 1 uA VDS=90V,VGS=0V,Tj=25℃
栅源漏电流 IGSS - - ±100 nA VGS=±20V,VDS=0V
TO-263导通内阻 RDS(on) - 1.3 1.6 VGS=10V,ID=100A
TOLL导通内阻 RDS(on) - 1.08 1.3 VGS=10V,ID=100A
跨导 gfs - 155 - S VDS=5V,ID=50A

七、KCB012N09N(TO-263封装)动态开关参数 Dynamic Characteristic(Tj=25℃)

参数名称 符号 Typ值 单位 测试条件
输入电容 Ciss 10572 pF VGS=0V,VDS=45V,f=1MHz
输出电容 Coss 3117 pF VGS=0V,VDS=45V,f=1MHz
反向传输电容 Crss 54 pF VGS=0V,VDS=45V,f=1MHz
栅总电荷 QG 141 nC VGS=10V,VDS=45V,ID=100A
栅源电荷 QGS 55 nC VGS=10V,VDS=45V,ID=100A
栅漏电荷 QGD 27 nC VGS=10V,VDS=45V,ID=100A
开通延迟时间 td(on) 115 ns VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω
上升时间 tr 80 ns VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω
关断延迟时间 td(off) 78 ns VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω
下降时间 tf 49 ns VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω
栅极内阻 RG 2.3 Ω VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz

八、KCB012N09N(TO-263封装)体二极管参数 Body Diode Characteristic

参数名称 符号 Min Typ Max 单位 测试条件
体二极管正向压降 VSD - 0.9 1.2 V VGS=0V,IF=100A
反向恢复时间 trr - 89 - ns IF=50A,VDS=45V
反向恢复电荷 Qrr - 178 - nC dI/dt=100A/μs

九、KCB012N09N(TO-263封装)包装丝印订购信息 Package Marking

完整料号 本体丝印 封装 包装形式 单盘数量
KCB012N09N KCB012N09N TO-263 编带卷装 1000pcs
KCT012N09N KCT012N09N TOLL 编带卷装 2000pcs

十、KCB012N09N(TO-263封装)平替替代型号清单(窄屏竖排展示)

KCB012N09N

适配型号:KCB012N09N TO-263 90V305A
  • IRFP4910(90V低内阻大功率TO263)
  • TPW90R130 TO-263(90V 1.3mΩ同规格)
  • NCEP012N90 TO-263(90V300A国产平替)
  • SMF090N12 TO-263 90V310A MOS
  • AP90T13G TO-263 90V低阻功率管
  • CSD16323Q5A TO-263 90V大电流方案
  • AOTF490L TO-263 90V300A工业MOS
  • KIA原厂同系列:KCT012N09N TOLL封装

十一、KCB012N09N TO-263 产品营销卖点

卖点分类 营销文案(单行≤35字)
性能卖点1 90V305A超大电流,适配大功率逆变电源
性能卖点2 TO-263封装Rds(on)仅1.3mΩ,发热更低
性能卖点3 FOM优值优异,开关损耗小,整机效率提升
可靠性卖点 100%雪崩+DVDS全检,工业级稳定耐用
应用卖点 电机驱动、BMS储能、UPS不间断电源通用
环保供应链 RoHS无卤素合规,大批量现货稳定交期
封装优势 TO-263贴片封装,贴装便捷散热性能优秀

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KCB012N09N

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