KIA KCB050N08N 贴片功率 MOSFET 低内阻工业电源专用管
信息来源：本站 日期：2026-07-13
KIA KCB050N08N 贴片功率 MOSFET 低内阻工业电源专用管
Geener 先进 MOS 工艺，典型 4.3mΩ 低内阻，单颗 135A 持续电流，免费申请样品
KCB050N08N，KCB050N08N TO-263，KIA 功率 MOS 管，85V N 沟道 MOSFET，135A 贴片大功率 MOS
| 产品定位 | KIA KCX050N08N系列85V大功率N沟道MOS，TO-263贴片封装，Geener先进MOS工艺，适配电机控制、BMS、UPS电源 |
|---|---|
| 核心产品优势 |
1. 典型Rds(on)=4.3mΩ，极低导通损耗 2. 优秀FOM品质因数，开关损耗更低 3. 135A大持续电流，脉冲电流480A 4. 100%雪崩、DVDS出厂全检测，可靠性高 5. RoHS无卤合规，符合JEDEC工业标准 |
| 解决客户核心痛点 |
1. 大功率电机满载发热严重，低内阻降低发热 2. UPS/BMS高频转换效率低，低Qg优化开关损耗 3. 设备电感负载易雪崩炸管，原厂雪崩全检更耐用 4. 工业设备宽温工作，-55~150℃稳定运行 5. 多通道大电流方案，135A耐流减少并联MOS数量 |
| 应用使用领域 | 直流电机驱动控制、锂电池BMS管理系统、UPS不间断电源、大功率DC-DC变换器、工业工控开关电源、储能低压功率回路 |
| 物料型号 | 丝印Marking | 封装形式 | 包装规格 | 每卷数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB050N08N | KCB050N08N | TO-263 | 编带Tape | 1000pcs/卷 |
| KCT050N08N | KCT050N08N | TOLL | 编带Tape | 2000pcs/卷 |
| 参数项 | TO-263(KCB050N08N)数值 | 单位 |
|---|---|---|
| 漏源耐压Vds | 85 | V |
| 典型导通内阻Rds(on) | 4.3 | mΩ |
| 25℃持续漏极电流Id | 135 | A |
| 出厂检测标准 | 100%DVDS、100%雪崩测试 | - |
| 环保标准 | RoHS、无卤HF | - |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vds | 85 | V | - |
| 连续漏极电流 | Id | 135 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流 | Id | 120 | A | Tc=100℃ |
| 连续漏极电流 | Id | 86 | A | Tc=150℃ |
| 脉冲漏极电流 | Id pulse | 480 | A | Tc=25℃，脉冲受Tjmax限制 |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 144 | mJ | L=0.5mH,Rg=25Ω |
| 栅源电压范围 | Vgs | ±20 | V | - |
| 最大耗散功率 | Ptot | 174 | W | Tc=25℃ |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55 ~ +150 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RthJC | 0.72 | ℃/W |
| 结到环境热阻(最小焊盘) | RthJA | 62 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | 85 | 97 | - | V | Vgs=0V,Id=250uA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | 2 | 3 | 4 | V | Vds=Vgs,Id=250uA |
| 零栅漏电流(25℃) | Idss | - | 0.05 | 1 | uA | Vds=80V,Vgs=0V,Tj=25℃ |
| 零栅漏电流(125℃) | Idss | - | - | 5 | uA | Vds=80V,Vgs=0V,Tj=125℃ |
| 栅极漏电流 | Igss | - | 10 | 100 | nA | Vgs=±20V,Vds=0V |
| 导通内阻TO-263 | Rds(on) | - | 4.3 | 5.2 | mΩ | Vgs=10V,Id=50A |
| 跨导 | gfs | - | 84.2 | - | S | Vds=5V,Id=50A |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 3086 | pF | Vgs=0V,Vds=40V,F=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 1057 | pF | Vgs=0V,Vds=40V,F=1MHz |
| 反向传输电容 | Crss | 26 | pF | Vgs=0V,Vds=40V,F=1MHz |
| 总栅电荷Qg | Qg | 55 | nC | Vgs=10V,Vds=40V,Id=50A |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | 15 | nC | Vgs=10V,Vds=40V,Id=50A |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | 13 | nC | Vgs=10V,Vds=40V,Id=50A |
| 开通延迟时间 | td(on) | 20.1 | ns | Vgs=10V,Vdd=40V,Rg_ext=3Ω |
| 上升时间tr | tr | 38.9 | ns | Vgs=10V,Vdd=40V,Rg_ext=3Ω |
| 关断延迟时间 | td(off) | 45.1 | ns | Vgs=10V,Vdd=40V,Rg_ext=3Ω |
| 下降时间tf | tf | 22.8 | ns | Vgs=10V,Vdd=40V,Rg_ext=3Ω |
| 栅极内阻Rg | Rg | 3.3 | Ω | Vgs=0V,Vds=0V,F=1MHz |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降 | Vsd | - | 0.95 | 1.4 | V | Vgs=0V,Isd=50A |
| 反向恢复时间 | trr | - | 60 | - | ns | If=20A,dIf/dt=500A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 560 | - | nC | If=20A,dIf/dt=500A/μs |
| 可直接平替型号 |
|
|---|---|
| 选型替换说明 | 均为85V N沟道TO-263大功率MOS，4~5.5mΩ低内阻、120~135A电流，适配电机/BMS/UPS；KCT050N08N同芯片TOLL封装，大功率方案升级替换 |
| 图表编号 | 图表名称 | 工程设计参考用途 |
|---|---|---|
| Fig1 | 输出特性曲线 | 不同Vgs下漏极电流输出能力校核 |
| Fig2 | 转移特性温变曲线 | 高低温栅压控制电流，低温启动设计 |
| Fig3 | Rds(on)-Id电流曲线 | 满载大电流导通内阻稳定性校验 |
| Fig4 | Rds(on)-Vgs驱动电压曲线 | 不同驱动电压导通损耗选型依据 |
| Fig5 | Rds(on)-温度变化曲线 | 设备温升带来内阻损耗预估计算 |
| Fig6 | 极间电容特性曲线 | 高频开关损耗、EMI干扰仿真参考 |
| Fig7 | 栅极电荷Vgs-Qg曲线 | 驱动电路功耗、开关速度参数设计 |
| Fig8 | 体二极管正向伏安曲线 | 同步整流续流压降、损耗计算 |
| Fig9 | 功率耗散温度曲线 | 外壳温升与最大散热功率匹配设计 |
| Fig10 | 漏极电流降额曲线 | 高温工况下允许最大持续电流取值 |
| Fig11 | SOA安全工作区曲线 | 脉冲/直流负载MOS安全工作边界判定 |
| Fig12 | 瞬态热阻抗曲线 | 短时脉冲工作温升、散热方案校核 |
| 分类 | 内容说明 |
|---|---|
| 四大测试电路 | 栅电荷测试、电阻开关测试、无钳位电感雪崩测试、二极管反向恢复测试，配套波形图用于驱动电路仿真 |
| TO-263封装尺寸 | 含毫米/英寸双规格尺寸、PCB推荐焊盘，可直接用于PCB Layout设计 |
| TOLL封装对比 | KCT050N08N同款芯片大散热封装，散热性能更强，适合超高功率高密度电源 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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