KCB017N10N TO-263 规格书 100V 低损耗大功率 MOS 管
信息来源：本站 日期：2026-07-15
KCB017N10N TO-263 规格书 100V 低损耗大功率 MOS 管
结壳热阻仅 0.38℃/W｜100% 雪崩 + DVDS 双重全检，适配储能 / 电机 / 工控电源
KCB017N10N、KCB017N10N TO-263、KIA 100V 功率 MOS、TO-263 贴片大电流 MOS 管
| 核心型号 | KCT017N10NL1（TOLL-8L） | KCB017N10N（TO-263） | 统一参数 | |
|---|---|---|---|---|
| 耐压VDS | 100V | 100V | 典型Rds(on) | |
| 25℃连续ID | 340A | 对应降额电流 | 1.3mΩ@VGS=10V | |
| 出厂检测 | 100% DVDS、100%雪崩UIS、Rg全项测试 | |||
| 环保认证 | RoHS合规、无卤HF环保标准 | |||
| 单卷包装数量 | 2000pcs Tape&Reel | 1000pcs Tape载带 | 原厂KIA KMOS半导体 | |
| 产品核心优势 |
|
|---|---|
| 适用设备场景 |
|
| 完整料号 | 器件丝印标识 | 封装外形 | 包装方式 | 单卷标准数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCT017N10NL1 | KCT017N10NL1 | TOLL-8L | Tape&Reel载带卷装 | 2000pcs |
| KCB017N10N | KCB017N10N | TO-263 | Tape载带卷装 | 1000pcs |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(VGS=0V) | VDS | 100 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | ID | 340 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | ID | 238 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | ID pulse | 1360 | A |
| 栅源极限耐压范围 | VGS | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩耐受能量 | EAS | 1218 | mJ |
| 芯片最大耗散功率(Tc=25℃) | PD | 329 | W |
| 体二极管连续正向电流 | IS | 340 | A |
| 体二极管脉冲峰值电流 | IS pulse | 1360 | A |
| 芯片结温/存储温度区间 | TJ,Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
| 结到外壳热阻最大值 | RthJC | 0.38 | ℃/W |
| 结到环境热阻最大值 | RthJA | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 100 | - | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 零栅压漏极漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA | VDS=100V,VGS=0V,Tj=25℃ |
| 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V | VDS=VGS,ID=250uA |
| 导通内阻Rds(on) | RDS(on) | - | 1.3 | 1.6 | mΩ | VGS=10V,ID=70A |
| 芯片内置栅极电阻 | RG | - | 1.7 | - | Ω | 测试频率f=1.0MHz |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 统一测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容Ciss | Ciss | 10361 | pF | VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz |
| 输出电容Coss | Coss | 2441 | pF | |
| 反向传输电容Crss | Crss | 89 | pF | |
| 栅极总电荷Qg | Qg | 181 | nC | VGS=10V,VDD=50V,ID=70A |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | 59 | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | 58 | nC | |
| 密勒平台电压 | Vplateau | 6 | V | |
| 开通延迟时间td(on) | td(on) | 57 | ns | VGS=10V,VDD=50V,RG=4.7Ω,ID=70A |
| 电压上升时间tr | tr | 91 | ns | |
| 关断延迟时间td(off) | td(off) | 60 | ns | |
| 电压下降时间tf | tf | 79 | ns |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降VSD | VSD | 0.85 | 1.4 | V | Tj=25℃,IS=70A,VGS=0V |
| 反向恢复时间trr | trr | 88 | - | ns | IF=70A,diF/dt=100A/us |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | 210 | - | nC | IF=70A,diF/dt=100A/us |
| 尺寸符号 | 最小值(mm) | 标称值(mm) | 最大值(mm) | 尺寸符号 | 最小值(mm) | 标称值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A | 2.200 | 2.300 | 2.400 | A1 | 1.700 | 1.800 | 1.900 |
| B | 0.700 | 0.800 | 0.900 | B1 | 9.700 | 9.800 | 9.900 |
| B2 | 1.100 | 1.200 | 1.300 | C | 0.400 | 0.500 | 0.600 |
| D | 10.300 | 10.400 | 10.500 | D1 | 11.000 | 11.100 | 11.200 |
| D2 | 3.200 | 3.300 | 3.400 | D3 | 4.470 | 4.570 | 4.670 |
| E | 9.800 | 9.900 | 10.000 | E1 | 8.000 | 8.100 | 8.200 |
| E2 | 0.500 | 0.600 | 0.700 | e | 1.200 BSC | ||
| H | 11.600 | 11.700 | 11.800 | H1 | 6.950 BSC | ||
| H2 | 5.900 BSC | I | 0.050 | 0.100 | 0.150 | ||
| J | 0.350 REF. | K | 3.100 REF. | ||||
| L | 1.550 | 1.650 | 1.750 | L1 | 0.600 | 0.700 | 0.800 |
| L2 | 0.500 | 0.600 | 0.700 | L3 | 0.400 | 0.500 | 0.600 |
| Q | 8.000 REF. | R | 3.000 | 3.100 | 3.200 | ||
| a | 10° REF. | ||||||
| 分类项目 | 适配基础条件 | 国产平替型号1 | 国产平替型号2 | 进口平替型号1 | 进口平替型号2 |
|---|---|---|---|---|---|
| 型号名称 | 100V TO-263低内阻MOS系列 | NCEP018N10D | CSD16953Q5 | IRF4010S | TPH17010NH |
| 匹配核心参数 | 100V耐压、TO-263封装、1.3mΩ级内阻 | 1.4mΩ，100V 310A | 1.25mΩ，100V 335A | 1.35mΩ，100V 320A | 1.2mΩ，100V 350A |
| 营销板块 | 文案内容（单行≤35字符） |
|---|---|
| 产品主标题 | KCB017N10N TO-263 100V低内阻大功率MOS管 |
| 信任背书副标题 | 1.3mΩ超低导通损耗，100%雪崩+DVDS原厂全检 |
| 核心卖点短句 | 低热阻封装｜340A峰值通流｜高频开关低损耗 |
| 直击客户痛点 | 解决电源发热、多管并联、高频损耗、器件易击穿难题 |
| 行业应用场景 | 储能BMS、大功率DC-DC、BLDC伺服电机驱动电源 |
| 供应链供货优势 | KIA原厂直供，1000pcs标准载带，长期稳定现货可试样 |
| 工程师选型价值 | FOM性能优异，简化PCB散热，降低整机物料成本 |
| 百度Meta描述 | KIA KCB017N10N TO-263功率MOS，100V耐压，1.3mΩ低内阻，工业级雪崩全检，适配储能、电机、DC-DC电源，提供规格书与平替型号，免费拿样测试！ |
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