KCB012N10N TO-263 100V330A 低内阻|工业电源专用
信息来源：本站 日期：2026-07-16
KCB012N10N TO-263 100V330A 低内阻 MOS 管 工业电源专用
【1.4mΩ 超低内阻｜330A 大电流｜-55~150℃宽温】100% 耐压雪崩全检，现货千支起发，可提供样品测试
KCB012N10N、KCB012N10N TO-263、100V 功率 MOS 管、KIA MOS 管
1. 采用先进Geener MOS芯片工艺，导通损耗极低
2. TO-263封装Rds(on)典型仅1.4mΩ，FOM性能优异
3. 通过JEDEC工业级可靠性认证，全检雪崩/耐压
4. 宽温工作-55℃~150℃，适配严苛工业场景
电机驱动控制、储能BMS电池管理系统
UPS不间断电源、大功率快充开关电源
| 参数项 | 规格数值 |
|---|---|
| 漏源耐压Vds | 100V |
| TO-263导通电阻Rds(on)typ | 1.4mΩ |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | 330A |
| 封装形式 | TO-263（丝印KCB012N10N） |
| 环保标准 | RoHS无卤素HF |
| 出厂检测 | 100%耐压+雪崩能量全检 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 100 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 330 | A |
| 连续漏极电流Ta=25℃ | ID | 33 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 246 | A |
| 脉冲漏极电流(Tc=25℃) | ID(pulse) | 1320 | A |
| 单脉冲雪崩能量L=0.5mH | EAS | 540 | mJ |
| 栅源电压范围 | VGS | ±20 | V |
| 壳温25℃总耗散功率 | Ptot | 431 | W |
| 结温/存储温度区间 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RthJC | 0.29 | ℃/W |
| 结到环境热阻(最小焊盘) | RthJA | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | 100 | - | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2.4 | 3 | 3.6 | V | VDS=VGS,ID=250uA |
| 零栅压漏极电流25℃ | IDSS | - | - | 1 | μA | VDS=100V,VGS=0V,Tj=25℃ |
| 零栅压漏极电流125℃ | IDSS | - | - | 1 | μA | VDS=100V,VGS=0V,Tj=125℃ |
| 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| 导通电阻TO-263 | RDS(on) | - | 1.4 | 1.8 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| 导通电阻TOLL(对比) | RDS(on) | - | 1.2 | 1.5 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| 跨导 | gfs | - | 260 | - | S | VDS=5V,ID=50A |
| 参数名称 | 符号 | Typ | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 15800 | pF | VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 1930 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 75 | pF | |
| 栅总电荷 | QG | 260 | nC | VGS=10V,VDS=50V,ID=100A |
| 栅源电荷 | Qgs | 75 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 76 | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | 81 | ns | VGS=10V,VDS=50V,RGEN=4.7Ω,ID=100A |
| 上升时间 | tr | 178 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 167 | ns | |
| 下降时间 | tf | 68 | ns | |
| 栅极内阻 | RG | 1 | Ω | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 体二极管正向压降 | VSD | - | 0.85 | 1.1 | V | VGS=0V,IF=100A |
| 反向恢复时间 | trr | - | 92 | - | ns | IF=20A,dI/dt=100A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 200 | - | nC |
| 尺寸代号 | 最小值 | 最大值 | 尺寸代号 | 最小值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|---|
| A | 4.30 | 4.86 | E | 9.78 | 10.50 |
| A1 | 0.00 | 0.25 | E1 | 6.50 | 8.60 |
| A2 | 2.34 | 2.79 | H | 14.61 | 15.88 |
| b | 0.68 | 0.94 | L | 2.24 | 3.00 |
| b2 | 1.15 | 1.35 | L1 | 0.70 | 1.60 |
| c | 0.33 | 0.65 | L2 | 1.00 | 1.78 |
| D | 8.38 | 9.45 | L3 | 0.00 | 0.25 |
| D1 | 6.90 | 8.17 | e | 2.54 BSC | |
1、KCT012N10N（同芯TOLL封装，Rds更低）
2、KCB100N08A 100V/300A TO263低阻MOS
3、KCB090N10N 100V/280A TO263兼容替换
4、进口平替：IRFP4668（100V/330A TO247）
5、国产平替：CSD16323Q5A TO263 100V
6、国产平替：NCEP01T30 TO263 100V/300A
7、KCB010N10N 100V/350A TO263超低阻款
8、KIA同系：KCB015N10N 100V/290A通用替换
| 料号 | 丝印 | 封装 | 包装 | 每卷数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB012N10N | KCB012N10N | TO-263 | 编带 | 1000pcs |
| KCT012N10N | KCT012N10N | TOLL | 编带 | 2000pcs |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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