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10N65现货供应商 KIA10N65 65A/600V KIA10N65 PDF文件-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-01 

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KIA10N65参数

KIA10N65 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计用于高压、高速功率开关应用,如高效率开关电源用品,有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。



KIA10N65特征

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低栅极电荷(典型的48nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA10N65

工作方式:10A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

漏电流连续:10A

脉冲漏极电流:40A

雪崩能量:709mJ

耗散功率:52W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:650V

温度系数:0.7V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1650 PF

输出电容:1665 PF

上升时间:70 ns

封装形式:TO-220F



KIA10N65(10A 650V
产品编号 KIA10N65/HF/HP
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺

KIA10N65 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计用于高压、高速功率开关应用,如高效率开关电源用品,有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。

产品特征

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低栅极电荷(典型的48nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 适用于高压、高速功率开关应用,如高效率开关电源用品,有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。
封装形式 TO-220F
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总5页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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