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24N50现货供应商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-01 

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KIA10N65参数

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越的开关性能,以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。



KIA10N65特征

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低栅极电荷(典型的90nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA24N50

工作方式:24A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:24A

脉冲漏极电流:96A

雪崩能量:1150mJ

耗散功率:290W

热电阻:40℃/W

漏源击穿电压:500V

温度系数:0.5V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:3500 PF

输出电容:520 PF

上升时间:35 ns

封装形式:TO-3P


KIA24N50(24A 500V
产品编号 KIA24N50/HH
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越的开关性能,以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲
产品特征

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低栅极电荷(典型的90nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适合于高效率开关电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正
封装形式 TO-3P
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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