KCB036R10A TO-263 100V140A N 沟道 MOSFET 低内阻大功率场效应管
超低导通内阻 3.4mΩ｜开关速度快、抗雪崩能力强，适配 DC/DC、便携电池类电源
KCB036R10A、TO-263 MOSFET、100V 140A N 沟道 MOS 管、KIA MOS 管
KCB036R10A MOSFET产品详情
一、KCB036R10A（TO-263封装）产品基础信息
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项目
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详情
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产品型号
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KCB036R10A
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器件类型
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N沟道MOSFET
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封装
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TO-263
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品牌
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KIA(KMOS Semiconductor)
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额定参数
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140A、100V
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二、KCB036R10A（TO-263封装）产品特性
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特性项
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说明
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工艺
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SGT MOSFET工艺
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导通内阻
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Rds(on)典型3.4mΩ@Vgs=10V
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电容特性
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Crss数值低
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开关性能
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开关速度快
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可靠性测试
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100%雪崩测试
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抗扰动能力
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dv/dt耐受能力优化提升
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三、KCB036R10A（TO-263封装）适用应用场景
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应用类别
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具体场景
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电源转换
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DC/DC转换器
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便携设备
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便携产品高效电源管理开关
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供电设备
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电池供电类电子产品
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四、KCB036R10A（TO-263封装）引脚定义
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引脚号
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引脚功能
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1
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栅极 Gate
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2
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漏极 Drain
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3
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源极 Source
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五、KCB036R10A（TO-263封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KCB036R10A
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TO-263
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KIA
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六、KCB036R10A（TO-263封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源耐压
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Vdss
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100
|
V
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栅源耐压
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Vgss
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±20
|
V
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连续漏极电流(25℃)
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Id
|
140
|
A
|
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连续漏极电流(100℃)
|
Id
|
113
|
A
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脉冲漏极电流
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Idm
|
560
|
A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
|
530
|
mJ
|
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耗散功率
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Pd
|
229
|
W
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引脚焊接最高温度
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TL
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260
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℃
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工作存储温区
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Tj&Tstg
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-55~150
|
℃
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七、KCB036R10A（TO-263封装）热学参数
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参数名称
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符号
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数值
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单位
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结到外壳热阻
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RθJC
|
0.55
|
℃/W
|
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结到环境热阻
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RθJA
|
62
|
℃/W
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八、KCB036R10A（TO-263封装）电气特性(Tc=25℃)
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参数名称
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符号
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测试条件
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最小
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典型
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最大
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单位
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漏源击穿电压
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BVdss
|
Vgs=0V,Id=250uA
|
100
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
Idss
|
Vds=100V,Vgs=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
Igss
|
Vgs=±20V,Vds=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
导通内阻
|
Rds(on)
|
Vgs=10V,Id=20A
|
-
|
3.4
|
4.4
|
mΩ
|
|
栅极阈值电压
|
Vgs(th)
|
Vds=Vgs,Id=250uA
|
2.3
|
2.8
|
3.7
|
V
|
|
栅极内阻
|
Rg
|
1MHz、漏极开路
|
-
|
3.9
|
-
|
Ω
|
|
输入电容
|
Ciss
|
Vgs=0V,Vds=25V,f=1MHz
|
-
|
3500
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
1900
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
70
|
-
|
pF
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
Vds=80V,Id=80A,Vgs=10V
|
-
|
48
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
-
|
12
|
-
|
nC
|
|
密勒电荷
|
Qgd
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
|
开通延迟
|
td(on)
|
Vds=80V,Id=80A,Rg=10Ω,Vgs=10V
|
-
|
22
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
-
|
94
|
-
|
ns
|
|
关断延迟
|
td(off)
|
-
|
60
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
-
|
120
|
-
|
ns
|
|
体二极管连续电流
|
Is
|
-
|
-
|
-
|
179
|
A
|
|
体二极管脉冲电流
|
Ism
|
-
|
-
|
-
|
719
|
A
|
|
体二极管正向压降
|
Vsd
|
Isd=20A,Vgs=0V
|
-
|
0.8
|
1.1
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
VDD=80V,If=80A,di/dt=100A/us
|
-
|
51
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
-
|
0.03
|
-
|
uC
|
|
反向恢复峰值电流
|
Irm
|
-
|
1.1
|
-
|
A
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九、KCB036R10A（TO-263封装）平替替代型号清单（竖排窄栏适配）
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适配替代型号
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简要匹配说明
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KCB040N10N
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同厂TO-263、100V、内阻接近可直接平替
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042N10N-VB
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TO263、100V/140A、导通电阻接近适配
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XYD035N10
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100V低压大电流、内阻相近可兼容替换
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MDE10N050RH
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D2PAK(TO263)、100V大功率可场景替代
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十、KCB036R10A（TO-263封装）产品营销推广要点
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推广维度
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推广内容
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工艺卖点
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SGT先进工艺，低内阻降低导通发热
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性能优势
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3.4mΩ超低内阻，提升电源转换效率
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开关优势
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小栅极电荷、快速开关适配高频DC/DC
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可靠性
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全量雪崩测试，dv/dt性能强适配恶劣工况
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散热优势
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TO-263封装+低热阻，大功率散热表现优秀
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适配行业
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便携电源、储能、电池设备、车载电源选型
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供货优势
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KIA原厂稳定供货，可提供样品与批量定制
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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