KNP2710A 原厂现货 TO-220 封装 100V MOS 管 可寄样批量供货
典型导通内阻 5mΩ、雪崩能量 1200mJ，适配 UPS、同步整流、大功率 DC-DC
KNP2710A、TO-220 MOSFET、100V 160A N 沟道 MOS 管、KIA 功率 MOS 管
KNP2710A MOSFET产品详情
一、KNP2710A（TO-220封装）产品基础信息
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项目
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详情
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产品型号
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KNP2710A
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器件类型
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N沟道MOSFET
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封装
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TO-220
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品牌
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KIA(KMOS Semiconductor)
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额定参数
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160A、100V
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二、KNP2710A（TO-220封装）产品简介
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项目
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说明
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工艺
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先进沟槽工艺，导通内阻、栅极电荷表现优异
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适配范围
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可适配各类功率开关应用场景
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三、KNP2710A（TO-220封装）产品特性
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特性项
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说明
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导通内阻
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Rds(on)典型5mΩ@Vgs=10V
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ESD性能
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特殊制程，静电耐受能力强
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电芯设计
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高密度电芯，进一步降低导通内阻
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雪崩参数
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雪崩电压、电流完成完整特性标定
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雪崩稳定性
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EAS数值高，器件一致性、稳定性优秀
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散热结构
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封装散热设计优良，导热散热效率高
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四、KNP2710A（TO-220封装）适用应用场景
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应用类别
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具体场景
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电源转换
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高效率DC/DC转换器
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整流电路
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同步整流电路
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逆变设备
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UPS不间断电源逆变器
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五、KNP2710A（TO-220封装）引脚定义
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引脚号
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引脚功能
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1
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栅极 Gate
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2
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漏极 Drain
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3
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源极 Source
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六、KNP2710A（TO-220封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KNP2710A
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TO-220
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KIA
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七、KNP2710A（TO-220封装）绝对最大额定值(TA=25℃)
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源耐压
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Vdss
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100
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V
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栅源耐压
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Vgss
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±20
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V
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连续漏极电流
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Id
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160
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A
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脉冲漏极电流
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Idm
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960
|
A
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耗散功率(Tc=25℃)
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Pd
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211
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W
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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1200
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mJ
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工作存储温区
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Tj&Tstg
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-55~150
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℃
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八、KNP2710A（TO-220封装）热学参数
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参数名称
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符号
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数值
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单位
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结到外壳热阻
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RθJC
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0.36
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℃/W
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九、KNP2710A（TO-220封装）电气特性(TA=25℃)
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参数名称
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符号
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测试条件
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最小
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典型
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最大
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单位
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漏源击穿电压
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BVdss
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Vgs=0V,Id=250uA
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100
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
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Idss
|
Vds=100V,Vgs=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅源漏电流
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Igss
|
Vgs=±20V,Vds=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
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导通内阻
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Rds(on)
|
Vgs=10V,Id=20A
|
-
|
5
|
6
|
mΩ
|
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栅极阈值电压
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Vgs(th)
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Vds=Vgs,Id=250uA
|
2
|
3
|
4
|
V
|
|
正向跨导
|
gfs
|
Vds=10V,Id=40A
|
170
|
-
|
-
|
S
|
|
输入电容
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Ciss
|
Vgs=0V,Vds=25V,f=1MHz
|
-
|
6500
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
570
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
200
|
-
|
pF
|
|
总栅极电荷
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Qg
|
VDD=50V,Id=30A,Vgs=10V
|
-
|
100
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
-
|
27
|
-
|
nC
|
|
密勒电荷
|
Qgd
|
-
|
38
|
-
|
nC
|
|
开通延迟
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td(on)
|
VDD=50V,Id=20A,Vgs=10V,Rg=3Ω
|
-
|
27
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
trise
|
-
|
20
|
-
|
ns
|
|
关断延迟
|
td(off)
|
-
|
40
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tfall
|
-
|
14
|
-
|
ns
|
|
体二极管正向压降
|
Vsd
|
Is=50A,Vgs=0V
|
-
|
-
|
1.2
|
V
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十、KNP2710A（TO-220封装）平替替代型号清单（竖排窄栏适配）
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适配替代型号
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简要匹配说明
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KNP2610A
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同厂TO-220、100V大电流，内阻参数接近可直换
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IRF3207
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TO220封装、100V大功率，适配UPS、DC-DC场景替换
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FDP080N10
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100V/TO220、导通内阻区间相近，可兼容同步整流
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HY3610
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TO220封装、100V/160A级别，逆变器可直接平替
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十一、KNP2710A（TO-220封装）产品营销推广要点
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推广维度
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推广内容
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工艺卖点
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先进沟槽工艺，低内阻降低导通发热损耗
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ESD优势
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特殊制程强化防静电，减少生产使用击穿问题
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雪崩性能
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EAS达1200mJ，恶劣电感工况可靠性更强
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散热优势
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RθJC仅0.36℃/W，TO220散热适配大功率长时间工作
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适配场景
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UPS逆变器、同步整流、大功率DC-DC电源优选
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供货优势
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KIA原厂稳定供货，支持试样、大批量长期采购
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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