MOS 管 KCB036R10A 120V 130A 贴片TO-263 UPS / 储能专用
6mΩ 低导通内阻｜高雪崩耐受｜适配 SMT 自动化焊接
KCB036R10A、TO-263 MOS 管、120V130A 场效应管、N 沟道大功率 MOSFET
一、KCB036R10A（TO-263封装）产品基础信息
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产品型号
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2912A（KNX2912A）
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器件类型
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N沟道MOSFET
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额定参数
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130A，120V
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封装选型
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KNB2912A(TO-263)、KNP2912A(TO-220)
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品牌
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KIA（KMOS Semiconductor）
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工艺
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先进沟槽工艺，低导通内阻、低栅极电荷
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二、KCB036R10A（TO-263封装）核心特性
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Vds=120V、Id=130A；Vgs=10V时Rds(on)典型6.0mΩ
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高密度元胞设计，进一步降低导通内阻
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完备雪崩电压、电流参数标定
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高EAS，器件稳定性、批次一致性优秀
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封装散热性能优异，适配大功率散热场景
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三、KCB036R10A（TO-263封装）适用应用场景
四、KCB036R10A（TO-263封装）引脚定义
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引脚编号
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引脚功能
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1
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Gate栅极
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2
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Drain漏极
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3
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Source源极
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五、KCB036R10A（TO-263封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KNB2912A
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TO-263
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KIA
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KNP2912A
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TO-220
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KIA
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六、KCB036R10A（TO-263封装）绝对最大额定值(25℃)
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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Vds
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120
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V
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栅源电压
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Vgs
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±20
|
V
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连续漏极电流
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Id
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130
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A
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脉冲漏极电流
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Idm
|
520
|
A
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单脉冲雪崩能量
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Eas
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1155
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mJ
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功耗降额系数
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Pd
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339
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W/℃
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结温存储温度
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Tj、Tstg
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-55~175
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℃
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七、KCB036R10A（TO-263封装）热学参数
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参数名称
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符号
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最大值
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单位
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结到外壳热阻
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Rθjc
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0.44
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℃/W
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八、KCB036R10A（TO-263封装）电气特性(TA=25℃)
关态特性
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参数名称
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符号
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测试条件
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最小
|
典型
|
最大
|
单位
|
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漏源击穿电压
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BVdss
|
Vgs=0V,Id=250μA
|
120
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
Idss
|
Vds=120V,Vgs=0V
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
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栅源正向漏电流
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Igss(F)
|
Vgs=+20V
|
-
|
-
|
100
|
nA
|
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栅源反向漏电流
|
Igss(R)
|
Vgs=-20V
|
-
|
-
|
-100
|
nA
|
开态特性
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
最小
|
典型
|
最大
|
单位
|
|
漏源导通电阻
|
Rds(on)
|
Vgs=10V,Id=30A
|
-
|
6.0
|
7.5
|
mΩ
|
|
栅极阈值电压
|
Vgs(th)
|
Vds=Vgs,Id=250μA
|
2.0
|
3.0
|
4.0
|
V
|
|
栅极电阻
|
Rg
|
VGS=0,VDS=0,F=1MHz
|
-
|
3.0
|
-
|
Ω
|
动态特性
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
VDD=100V,VGS=10V,Id=85A
|
189
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
29
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
90
|
nC
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=60V,Id=85A,RGEN=6Ω,VGS=10V
|
35
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
46
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
95
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
52
|
ns
|
电容开关特性
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
|
8120
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
788
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
530
|
pF
|
体二极管特性
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
最大值
|
单位
|
|
二极管正向压降
|
Vsd
|
VGS=0V,Is=30A
|
1.2
|
V
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九、KCB036R10A（TO-263封装）平替替代型号清单（窄屏竖排展示）
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IRF3207Z
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IRF1405
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AOD510
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HY3212
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NCE120A12
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CSD16323Q5A
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SPP120N12
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十、KCB036R10A（TO-263封装）产品营销推广要点
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推广维度
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内容说明
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性能优势
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6mΩ低内阻，导通损耗低，整机温升更低
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可靠性
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高雪崩耐量，适配电机、电源浪涌工况
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封装选择
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TO220直插、TO263贴片两种封装兼容设计
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适配行业
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储能UPS、工业电源、大功率锂电逆变器
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供货服务
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国产原厂稳定供货，交期优于海外MOS器件
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成本优势
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参数对标进口型号，采购成本下降15%-25%
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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