电机驱动易炸管?KNB2915A 贴片 MOSFET 现货可试样
信息来源:本站 日期:2026-07-20
电机驱动易炸管?KNB2915A 贴片 MOSFET 现货可试样
型 10mΩ 导通内阻|高雪崩耐受|适配 SMT 自动化贴片
KNB2915A、TO-263 MOS 管、150V130A 场效应管、N 沟道大功率 MOSFET、KIA MOS 管
| 产品系列 | 2915A N沟道MOSFET |
|---|---|
| 规格参数 | 130A,150V |
| 型号&封装 | KNP2915A(TO-220)、KNB2915A(TO-263) |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 核心工艺 | 先进沟槽工艺,低导通内阻、优良FOM值 |
| VGS=10V时RDS(ON)典型值10mΩ |
| 采用先进沟槽工艺打造低导通内阻 |
| Qg×RDS(ON)综合优,开关损耗更低 |
| 按JEDEC标准完成可靠性认证 |
| 电机控制与驱动电路 |
| 电池管理系统BMS |
| UPS不间断电源设备 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极 |
| 2 | Drain漏极 |
| 3 | Source源极 |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2915A | TO-220 | KIA |
| KNB2915A | TO-263 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 150 | V |
| 连续漏极电流Id | Id | 130(硅极限25℃) | A |
| 160(封装极限25℃) | A | ||
| 80(硅极限100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | Idp | 500 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 272 | mJ |
| 栅源电压 | Vgs | ±25 | V |
| 功耗(25℃) | Ptot | 428 | W |
| 结温、存储温度 | TJ、Tstg | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 0.29 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.65 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250μA | 150 | - | - | V |
| 零栅压漏电流Idss | Idss | Vds=150V,Vgs=0V,25℃ | - | 0.05 | 1 | μA |
| Vds=150V,Vgs=0V,150℃ | - | - | 20 | μA | ||
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 3 | 4 | 5 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=25V,Vds=0V | - | 10 | 100 | nA |
| 漏源导通电阻Rds(on) | Rds(on) | Vgs=10V,Id=50A,25℃ | - | 10 | 15 | mΩ |
| Vgs=4.5V,Id=25A,150℃ | - | 22 | 27 | mΩ | ||
| 正向跨导 | gfs | Vds=5V,Id=50A | - | 100 | - | S |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 栅极电阻 | Rg | VGS=0,VDS=0,1MHz | 1.5 | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=0V,Vgs=75V,1MHz | 3560 | pF |
| 输出电容 | Coss | 330 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 90 | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=75V,Id=50A,VGS=10V,RG=2.7Ω | 18 | ns |
| 上升时间 | tr | 92 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 35 | ns | |
| 下降时间 | tf | 70 | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=75V,Id=50A,VGS=10V,1MHz | 70 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 24 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 25 | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降 | Vsd | VGS=0V,Isd=30A | 1.3 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=50A,dIF/dt=100A/μs | 70 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 233 | nC |
| IRF150N |
| FHP130N15 |
| NCE150130 |
| HY150N13 |
| AOD150 |
| SPP150N12 |
| CSD18532KCS |
| 推广维度 | 详情说明 |
|---|---|
| 性能优势 | 10mΩ低内阻,导通损耗低,降低整机发热 |
| 可靠性 | 272mJ雪崩耐量,适配电机浪涌冲击工况 |
| 封装选择 | TO220直插、TO263贴片两款适配不同产线 |
| 适配行业 | 电机驱动、BMS电池管理、UPS电源 |
| 供货服务 | 国产原厂稳定供货,交期优于海外器件 |
| 成本优势 | 对标进口参数,可缩减采购总成本 |
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