200V 大电流 TO247 MOS管 KNM2920B BMS/UPS 专用选型
信息来源:本站 日期:2026-07-21
200V 大电流 TO247 MOS 管 KNM2920B BMS/UPS 专用选型
大功率电源温升严重 KNM2920B 低导通内阻 TO247 功率管
KNM2920B、TO-247 MOS 管、200V130A 场效应管、大功率 N 沟道 MOSFET、KIA MOS 管
| 产品系列 | 2920B N沟道MOSFET |
|---|---|
| 规格参数 | 130A,200V |
| 型号&封装 | KNM2920B(TO-247直插) |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 核心工艺 | 先进Perfect MOS工艺,低导通内阻、优良FOM值 |
| 采用先进Perfect MOS工艺生产 |
| VGS=10V时RDS(ON)典型值9.5mΩ |
| 导通内阻极低,降低导通损耗 |
| Qg×RDS(ON)性能指数优异 |
| 输入电容Ciss数值低,适配高频工况 |
| 交直流快充同步整流电路 |
| 电池管理BMS系统 |
| UPS不间断电源设备 |
| 器件可靠性高、抗冲击能力强 |
| 可承载更大持续工作电流 |
| 工作损耗低,实现高功率密度设计 |
| 多颗器件并联扩容难度低 |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNM2920B | TO-247 | KIA |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极 |
| 2 | Drain漏极 |
| 3 | Source源极 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 200 | V |
| 栅源耐压 | Vgss | ±20 | V |
| 连续漏极电流Id | Id | 130(Tc=25℃) | A |
| 92(Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IdM | 520 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1250 | mJ |
| 功耗 | PD | 520 | W |
| 结温、存储温度 | TJ、Tstg | -55~150 | ℃ |
| 焊接温度 | Tsold | 260(10s) | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.24 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏电流Idss | Idss | 25℃,Vds=200V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 150℃,Vds=200V,Vgs=0V | - | - | 100 | uA | ||
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=80A | - | 9.5 | 11.5 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 3.0 | - | 5.0 | V |
| 栅极电阻 | Rg | VGS=0,VDS=0,1MHz | - | 1.4 | - | Ω |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VGS=0,VDS=100V,f=1MHz | 12000 | pF |
| 输出电容 | Coss | 500 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 280 | pF |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=100V,Id=80A,VGS=10V | 209 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 82 | nC | |
| 栅漏米勒电荷 | Qgd | 75 | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=100V,Id=80A,RG=5Ω,VGS=10V | 40 | nS |
| 上升时间 | trise | 100 | nS | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 63 | nS | |
| 下降时间 | tfall | 70 | nS |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 正向压降 | VSD | Isd=50A,VGS=0V | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=80A,Vdd=50V,di/dt=100A/us | 120 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 700 | uC |
| IRF3205S |
| FHP130N20 |
| NCE20130 |
| HY130N20 |
| SPP130N20 |
| AOT20130 |
| CSD16320Q5A |
| 推广维度 | 详情说明 |
|---|---|
| 性能优势 | 9.5mΩ超低内阻,大幅降低导通发热损耗 |
| 可靠性 | 1250mJ超高雪崩耐量,抵御大功率浪涌冲击 |
| 封装适配 | TO247封装散热优异,适配大功率散热结构 |
| 适配行业 | 快充整流、BMS电池管理、UPS电源 |
| 并联优势 | 器件易并联扩容,适配大功率电源设计 |
| 供货服务 | 国产原厂稳定供货,可平替进口型号降采购成本 |
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