250V 直插 TO220 功率管 KNP9125A 电机驱动 / UPS 逆变器专用
信息来源:本站 日期:2026-07-21
250V 直插 TO220 功率管 KNP9125A 电机驱动 / UPS 逆变器专用
典型 80mΩ 导通内阻|低栅荷降低开关损耗|快恢复体二极管
KNP9125A、TO-220 MOS 管、250V40A 场效应管、N 沟道 MOSFET、KIA MOS 管
| 产品系列 | 9125A N沟道MOSFET |
|---|---|
| 规格参数 | 40A,250V |
| 型号&封装 | KNP9125A(TO-220直插) |
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 核心工艺 | 自研全新平面工艺,低栅荷、体二极管恢复快 |
| 采用自研全新平面工艺制造 |
| VGS=10V时RDS(ON)典型值80mΩ |
| 栅极电荷低,降低开关损耗 |
| 内置快恢复体二极管 |
| DC-DC直流转换器 |
| UPS用DC-AC逆变器 |
| 开关电源、电机控制电路 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极 |
| 2 | Drain漏极 |
| 3 | Source源极 |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP9125A | TO-220 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 250 | V |
| 栅源耐压 | Vgss | ±20 | V |
| 连续漏极电流Id | Id | 40(Tc=25℃) | A |
| 参考曲线(Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IdM | 参考曲线 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1250 | mJ |
| 二极管最大恢复dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 功耗 | Pd | 125 | W |
| 25℃以上降额系数 | Pd | 1.0 | W/℃ |
| 焊接温度(10s) | TL(引脚) | 300 | ℃ |
| Tpak(封装本体) | 260 | ℃ | |
| 工作、存储温度 | TJ、Tstg | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.0 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 250 | - | - | V |
| 漏源漏电流Idss | Idss | Vds=250V,Tj=25℃ | - | - | 1 | uA |
| Vds=200V,Tj=125℃ | - | - | 100 | uA | ||
| 栅源漏电流 | Igss | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | VGS=10V,Id=20A | - | 80 | 100 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | VDS=VGS,Id=250uA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V,Id=20A | - | 65 | - | S |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz | 2450 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 80 | pF | |
| 输出电容 | Coss | 240 | pF |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=100V,Id=20A,VGS=0→10V | 94 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 16 | nC | |
| 栅漏米勒电荷 | Qgd | 36 | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=100V,Id=20A,RG=3.9Ω,VGS=10V | 18 | ns |
| 上升时间 | trise | 31 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 68 | ns | |
| 下降时间 | tfall | 26 | ns |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 连续源极电流 | IsD | MOS内置PN体二极管 | 40 | A |
| 脉冲源极电流 | IsM | MOS内置PN体二极管 | 160 | A |
| 正向压降 | VSD | Is=40A,VGS=0V | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=20A,dI/dt=100A/us | 260 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 400 | uC |
| IRF840 |
| FHP40N25 |
| NCE2540 |
| HY40N25 |
| SPP40N25 |
| AOT2540 |
| CSD17320Q5A |
| 推广维度 | 详情说明 |
|---|---|
| 性能优势 | 80mΩ导通内阻,搭配低栅荷降低开关损耗 |
| 可靠性 | 1250mJ雪崩能量,抵御电路浪涌冲击 |
| 封装适配 | TO220通用直插,适配常规插件产线焊接 |
| 适配行业 | DC-DC、UPS逆变器、开关电源、电机驱动 |
| 供货服务 | 国产原厂稳定供货,可平替进口器件降成本 |
| 二极管优势 | 快恢复体二极管,减小续流阶段损耗 |
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