KNF6450B TO-220F 500V13A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
绝缘封装易安装｜低内阻低发热｜900mJ 抗雪崩适配快充电源
KNF6450B、TO-220F MOS 管、500V13A N 沟道 MOS 管、KIA MOS 管
一、KNF6450B （TO-220F封装）产品基础信息
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产品系列
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6450B N沟道MOSFET
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在售型号
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KNP6450B(TO-220)、KNF6450B(TO-220F)
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额定规格
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13A，500V
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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典型用途
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适配器、充电器功率开关电路
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二、KNF6450B （TO-220F封装）产品特性
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开关速度快，适配高频电源场景
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VGS=10V时Rds(on)典型0.35Ω
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栅极总电荷量低，开关损耗小
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反向传输电容小，米勒效应弱
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全量完成单脉冲雪崩能量测试
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三、KNF6450B （TO-220F封装）引脚定义
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引脚编号
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引脚功能
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1
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Gate 栅极
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2
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Drain 漏极
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3
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Source 源极
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四、KNF6450B （TO-220F封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KNP6450B
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TO-220
|
KIA
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KNF6450B
|
TO-220F
|
KIA
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五、KNF6450B （TO-220F封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数名称
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符号
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TO-220
|
TO-220F
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单位
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漏源耐压
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Vdss
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500
|
500
|
V
|
|
栅源耐压
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Vgss
|
±30
|
±30
|
V
|
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连续漏极电流
|
Id
|
13
|
13
|
A
|
|
脉冲漏极电流
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IdM
|
52
|
52
|
A
|
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单脉冲雪崩能量
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EAS
|
900
|
900
|
mJ
|
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功耗
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Pd
|
150
|
48
|
W
|
|
25℃以上降额系数
|
Pd
|
1.2
|
0.38
|
W/℃
|
|
最高焊接温度
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TL
|
300
|
300
|
℃
|
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工作、储存温区
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TJ、Tstg
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-55~150
|
℃
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六、KNF6450B （TO-220F封装）热学参数
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参数名称
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符号
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TO-220
|
TO-220F
|
单位
|
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结到外壳热阻
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RθJC
|
0.83
|
2.6
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
62.5
|
100
|
℃/W
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七、KNF6450B （TO-220F封装）电气特性(Tc=25℃)
1.KNF6450B （TO-220F封装）耐压、漏电流参数
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参数名称
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符号
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测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVdss
|
VGS=0V,Id=250μA
|
500
|
-
|
-
|
V
|
|
击穿电压温漂系数
|
△BVdss/△TJ
|
Id=250μA
|
-
|
0.55
|
-
|
V/℃
|
|
漏源漏电流
|
Idss
|
VDS=500V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
VDS=400V,TJ=125℃
|
-
|
-
|
100
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
Igss
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
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2.KNF6450B （TO-220F封装）导通、跨导参数
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参数名称
|
符号
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测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
|
漏源导通电阻
|
Rds(on)
|
VGS=10V,Id=6.5A
|
-
|
0.35
|
0.5
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,Id=250uA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
正向跨导
|
gfs
|
VDS=30V,Id=13A
|
-
|
15
|
-
|
S
|
3.KNF6450B （TO-220F封装）电容参数
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
2155
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
215
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
25
|
pF
|
4.KNF6450B （TO-220F封装）栅极电荷参数
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
VDD=250V,Id=13A,VGS=10V
|
46
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
12
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷
|
Qgd
|
20
|
nC
|
5.KNF6450B （TO-220F封装）开关时间参数
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
开通延迟
|
td(on)
|
VDD=200V,Id=10A,RG=6.1Ω,VGS=13V
|
16
|
ns
|
|
上升时间
|
trise
|
26
|
ns
|
|
关断延迟
|
td(off)
|
46
|
ns
|
|
下降时间
|
tfall
|
36
|
ns
|
6.KNF6450B （TO-220F封装）体二极管参数
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参数名称
|
符号
|
测试条件
|
上限/典型
|
单位
|
|
连续源极电流
|
IsD
|
-
|
13
|
A
|
|
脉冲源极电流
|
IsM
|
-
|
52
|
A
|
|
二极管正向压降
|
VSD
|
Is=13A,VGS=0V
|
1.5
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
IF=13A,TJ=25℃,dIF/dt=100A/us
|
500
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
4
|
uC
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八、KNF6450B （TO-220F封装）平替替代型号清单（窄屏竖排）
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FQP13N50
|
|
IRF840A
|
|
HY13N50F
|
|
NCE1350
|
|
AP13N50
|
|
SPP13N50
|
|
WNF13N50
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九、KNF6450B(TO-220F)营销推广内容
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推广维度
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详情说明
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绝缘封装适配
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TO-220F绝缘封装，可直接锁散热片无需绝缘片
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低导通损耗
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典型0.35Ω内阻，降低适配器整机温升
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强抗浪涌
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900mJ雪崩能量，应对电路感性冲击更可靠
|
|
高频适配性好
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栅极、米勒电荷低，适合快充高频开关场景
|
|
量产稳定性强
|
雪崩全检，适配充电器大批量生产
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供应链保障
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国产原厂稳定供货，可平替进口高压MOS降本
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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