KIA840SB TO-263 8A500V N 沟道 MOSFET 贴片场效应管
信息来源：本站 日期：2026-07-22
KIA840SB TO-263 8A500V N 沟道 MOSFET 贴片场效应管
TO?263 散热强｜EAS=400mJ 抗浪涌｜Qg=24nC 适配高频电源设计
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| 产品系列 | 840S N沟道MOSFET |
|---|---|
| 目标型号 | KIA840SB（TO-263）；衍生TO-252、TO-220封装 |
| 额定规格 | 8A，500V |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 适用场景 | 适配器、TV主电源、SMPS、LCD面板供电 |
| Rds(on)典型0.7Ω @VGS=10V |
| 符合RoHS环保规范 |
| 低导通内阻，降低导通损耗 |
| 栅极电荷低，适配高频开关场景 |
| 提供峰值电流-脉宽参考曲线 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极 |
| 2 | Drain漏极 |
| 3 | Source源极 |
| 参数名称 | 符号 | TO-263/220 | TO-252 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 500 | 500 | V |
| 连续漏极电流Id | Id | 8（Tc=25℃） | 8（Tc=25℃） | A |
| 5.5（Tc=100℃） | 5.5（Tc=100℃） | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IdM | 28 | 28 | A |
| 总功耗Pd | Pd | 160 | 100 | W |
| 1.28 | 0.8 | W/℃ | ||
| 栅源耐压 | VGS | ±20 | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 400 | 400 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | 30 | 30 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 7 | 7 | A |
| 二极管恢复dv/dt上限 | dv/dt | 5.5 | 5.5 | V/ns |
| 工作存储温度 | TJ、Tstg | -55~150 | ℃ | |
| 焊接最高温度 | TL | 300 | ℃ | |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.04 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 100 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250μA | 500 | - | - | V |
| 击穿电压温漂系数 | △BVdss/△TJ | Id=250μA | - | 0.74 | - | V/℃ |
| 漏源漏电流 | Idss | VDS=500V,VGS=0V,25℃ | - | - | 25 | μA |
| VDS=400V,VGS=0V,125℃ | - | - | 250 | μA | ||
| 栅源击穿电压 | VGSO | IGS=±1mA | ±20 | - | - | V |
| 栅正向漏电流 | IGSS(F) | VGS=20V | - | - | 10 | uA |
| 栅反向漏电流 | IGSS(R) | VGS=-20V | - | - | -10 | uA |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,Id=4A | - | 0.7 | 0.9 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,Id=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V,Id=3A | - | 8.5 | - | S |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | 960 | pF |
| 输出电容 | Coss | 110 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 10 | pF |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟 | td(on) | VDD=250V,Id=8A,RG=12Ω,VGS=10V | 11 | ns |
| 上升时间 | tr | 17 | ns | |
| 关断延迟 | td(off) | 46 | ns | |
| 下降时间 | tf | 22 | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=250V,Id=8A,VGS=10V | 24 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 4 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 10 | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Max/Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 连续体二极管电流 | Is | 体二极管导通 | 8 | A |
| 脉冲体二极管电流 | IsM | 体二极管导通 | 32 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | Is=8A,VGS=0V | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | dIf/dt=100A/us,TJ=25℃ | 175 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 0.75 | nC | |
| 反向恢复电流 | IrrM | 8.57 | A |
| FQB8N50 |
| NCE850 |
| HY8N50S |
| AP8N50 |
| SPD8N50 |
| IRF840S |
| WFB8N50 |
| 推广维度 | 详情说明 |
|---|---|
| 多封装适配 | TO220/263/252三款封装兼容设计选型 |
| 低导通损耗 | 0.7Ω导通内阻，降低电源整机发热 |
| 强抗浪涌 | 400mJ雪崩能量，适配电源浪涌冲击场景 |
| 开关性能优 | 栅极电荷低，适配适配器、TV电源高频工作 |
| 合规可靠 | RoHS合规，适合消费类电源批量量产 |
| 供应链优势 | 国产原厂供货稳定，平替进口降低采购成本 |
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