KIA20N50HM TO-247 500V20A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-07-23
KIA20N50HM TO-247 500V20A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
大封装强散热｜低内阻耐雪崩｜适配大功率 PFC 工业电源
KIA20N50HM、TO-247 MOS 管、500V20A 大功率 MOS 管、KIA 功率场效应管
| 产品系列 | 20N50H N沟道MOSFET |
|---|---|
| 在售料号 | KIA20N50HF(TO-220F)、KIA20N50HM(TO-247)、KIA20N50HH(TO-3P) |
| 额定规格 | 20A，500V |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 典型用途 | 高效开关电源、有源功率因数校正电路 |
| VGS=10V时Rds(on)典型0.21Ω |
| 栅极电荷低，典型值70nC |
| 开关速度快，适配高频电源场景 |
| 标注雪崩能量，抗浪涌能力强 |
| 优化dv/dt参数，抗电压震荡性能好 |
| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 |
| 2 | Drain 漏极 |
| 3 | Source 源极 |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KIA20N50HF | TO-220F | KIA |
| KIA20N50HM | TO-247 | KIA |
| KIA20N50HH | TO-3P | KIA |
| 参数名称 | 符号 | TO-220F | TO-247 | TO-3P | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | Vdss | 500 | 500 | 500 | V |
| 栅源耐压 | Vgss | ±30 | ±30 | ±30 | V |
| 连续漏极电流Id | Tc=25℃ | 20.0 | 20.0 | 20.0 | A |
| Tc=100℃ | 13.0 | 13.0 | 13.0 | A | |
| 脉冲漏极电流 | Idp | 80 | 80 | 80 | A |
| 重复雪崩能量 | EAR | 3.8 | 28 | 28 | mJ |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1110 | 1110 | 1110 | mJ |
| 二极管恢复耐dv/dt | dv/dt | 4.5 | 4.5 | 4.5 | V/ns |
| 总功耗Pd | Tc=25℃ | 41.5 | 280 | 280 | W |
| 高温降额系数 | 0.33 | 2.3 | 2.3 | W/℃ | |
| 结温范围 | TJ | -55~+150 | ℃ | ||
| 储存温度 | Tstg | -55~+150 | ℃ | ||
| 参数名称 | 符号 | TO-220F | TO-247 | TO-3P | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RthJA | 62.5 | 40 | 40 | ℃/W |
| 外壳到散热片热阻 | RthCS | -- | 0.24 | 0.24 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RthJC | 3.0 | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250μA | 500 | - | - | V |
| 零栅压漏源漏电流 | Idss | VDS=500V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=400V,TJ=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 正向栅体漏电流 | Igss | VGS=30V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 反向栅体漏电流 | VGS=-30V,VDS=0V | - | - | -100 | nA | |
| 击穿电压温度系数 | ΔBVdss/ΔTJ | Id=250μA | - | 0.5 | - | V/℃ |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,Id=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | VGS=10V,Id=10A | - | 0.21 | 0.26 | Ω |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | 2700 | pF |
| 输出电容 | Coss | 400 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 40 | pF |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟 | td(on) | VDD=250V,Id=20A,RG=25Ω | 100 | ns |
| 上升时间 | tr | 400 | ns | |
| 关断延迟 | td(off) | 100 | ns | |
| 下降时间 | tf | 100 | ns |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=400V,Id=20A,VGS=10V | 70 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 18 | nC | |
| 栅漏米勒电荷 | Qgd | 35 | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 上限/典型 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 体二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,Id=20A | 1.5 | V |
| 连续源极电流 | IsD | - | 20.0 | A |
| 脉冲源极电流 | IsM | - | 80.0 | A |
| 反向恢复时间 | trr | IsD=20A,dIsD/dt=100A/μs | 500 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 7.2 | μC |
| IRFP450 |
| FQP20N50 |
| HY20N50 |
| NCE2050M |
| SPP20N50C3 |
| AP20N50M |
| WNF20N50 |
| 推广维度 | 详情说明 |
|---|---|
| 大功率散热强 | TO-247封装散热佳，280W大功率适配工业电源 |
| 低导通损耗 | 0.21Ω内阻，大功率工况温升更低更稳定 |
| 高频适配性优 | 栅极电荷小，适配PFC、大功率开关电源 |
| 抗浪涌能力强 | 1110mJ雪崩能量，承受感性负载冲击 |
| dv/dt性能出色 | 抑制电压震荡，降低EMI整改工作量 |
| 国产稳定供货 | 可平替进口大功率MOS，压缩采购成本 |
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