KNF7150A TO-220F 绝缘 500V20A MOS管｜KIA-MOS管
TO-220F 绝缘封装低导通电阻 MOS 管，减少散热装配成本
KNF7150A,TO-220F MOS管，500V20A N 沟道 MOS管，KIA MOS管，高压 MOSFET
KNF7150A(TO-220F)产品参数+平替型号+推广说明
一、KNF7150A（ TO-220F封装）基础产品信息
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项目
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参数详情
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产品型号
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KNF7150A
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封装
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TO-220F
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类型
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N沟道MOSFET
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额定规格
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20A，500V
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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1.KNF7150A（ TO-220F封装）通用特性
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特性项
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说明
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工艺
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自研全新平面工艺
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导通电阻
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Rds(on)典型0.24Ω@VGS=10V
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开关损耗
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栅极电荷低，降低开关损耗
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体二极管
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内置快恢复体二极管
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2.KNF7150A（ TO-220F封装）应用场景
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适用设备
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适配器充电器
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SMPS开关电源
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LCD面板供电
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3.KNF7150A（ TO-220F封装）引脚定义
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引脚号
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功能
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1
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Gate栅极
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2
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Drain漏极
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3
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Source源极
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4
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Drain漏极(散热脚)
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4.KNF7150A（ TO-220F封装）同系列订购信息
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型号
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封装
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品牌
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KNP7150A
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TO-220
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KIA
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KNF7150A
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TO-220F
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KIA
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KNH7150A
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TO-3P
|
KIA
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5.KNF7150A（ TO-220F封装）最大额定参数(Tc=25℃)
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符号
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参数
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TO-220F数值
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单位
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VDSS
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漏源耐压
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500
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V
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VGSS
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栅源耐压
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±30
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V
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ID
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连续漏极电流
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20
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A
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EAS
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单脉冲雪崩能量
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1500
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mJ
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dv/dt
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二极管恢复速率
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5.0
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V/ns
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PD
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耗散功率
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60
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W
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降温系数
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0.48
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W/℃
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TL
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焊接最高温度
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300(10s)
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℃
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TPAK
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封装本体耐温
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260(10s)
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℃
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TJ,TSTG
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工作存储温度
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-55~150
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℃
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6.KNF7150A（ TO-220F封装）热学参数
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符号
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参数
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TO-220F数值
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单位
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RθJC
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结壳热阻
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2.08
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℃/W
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RθJA
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结环境热阻
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100
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℃/W
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7.KNF7150A（ TO-220F封装）电气特性
7.1关态特性(TJ=25℃)
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符号
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参数
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测试条件
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上限
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单位
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BVDSS
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漏源击穿电压
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VGS=0V,ID=250uA
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500
|
V
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IDSS
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漏极漏电流
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VDS=500V,VGS=0V
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1
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uA
|
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IGSS
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栅极漏电流
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VGS=±30V,VDS=0V
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±100
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nA
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7.2KNF7150A（ TO-220F封装）开态特性(TJ=25℃)
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符号
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参数
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测试条件
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典型值
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最大值
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单位
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RDS(ON)
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导通电阻
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VGS=10V,ID=10A
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0.24
|
0.3
|
Ω
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VGS(TH)
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栅极阈值电压
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VDS=VGS,ID=250uA
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4
|
-
|
V
|
|
gFS
|
正向跨导
|
VDS=15V,ID=10A
|
19
|
-
|
S
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7.3KNF7150A（ TO-220F封装）动态电容&栅荷
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符号
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参数
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测试条件
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典型值
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单位
|
|
Ciss
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输入电容
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VGS=0V,VDS=250V,f=1MHz
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2650
|
pF
|
|
Coss
|
输出电容
|
255
|
pF
|
|
Crss
|
反向传输电容
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34
|
pF
|
|
Qg
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总栅极电荷
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VDD=250V,ID=20A,VGS:0→10V
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65
|
nC
|
|
Qgs
|
栅源电荷
|
14
|
nC
|
|
Qgd
|
栅漏密勒电荷
|
24
|
nC
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7.4KNF7150A（ TO-220F封装）开关时间
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符号
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参数
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典型值
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单位
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|
td(ON)
|
开通延迟
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34
|
nS
|
|
trise
|
上升时间
|
76
|
nS
|
|
td(OFF)
|
关断延迟
|
164
|
nS
|
|
tfall
|
下降时间
|
85
|
nS
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7.5体二极管参数
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符号
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参数
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典型值
|
最大值
|
单位
|
|
ISD
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连续源极电流
|
-
|
20
|
A
|
|
ISM
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脉冲源极电流
|
-
|
80
|
A
|
|
VSD
|
二极管正向压降
|
-
|
1.5
|
V
|
|
trr
|
反向恢复时间
|
310
|
-
|
ns
|
|
Qrr
|
反向恢复电荷
|
3.0
|
-
|
uC
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二、KNF7150A（ TO-220F封装）平替替代型号清单(窄屏竖排展示)
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适配TO-220F平替型号
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FDPF20N50FT
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FHA20N50
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HF20N65C
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MPF20N65
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KNP7150A(同芯TO-220改封装适配)
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KNH7150A(同芯TO-3P改板适配)
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三、KNF7150A（ TO-220F封装）官网营销推广要点
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推广维度
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推广文案
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核心优势
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自研平面工艺，0.24Ω低内阻，开关损耗低
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可靠性
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快恢复体二极管，抗雪崩能力1500mJ，适配高压场景
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封装优势
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TO-220F绝缘封装，无需绝缘片，简化生产装配
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适配行业
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充电器、开关电源、LCD电源批量稳定供货
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选型便利
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提供TO-220/TO-220F/TO-3P三款封装pin兼容选型
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供应链
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KIA原厂直供，可提供平替型号备选，降低断料风险
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
