KIA KNF12N65 绝缘 TO-220F 高压 MOS管|KIA-MOS管
信息来源:本站 日期:2026-07-24
KIA KNF12N65 绝缘 TO-220F 高压 MOS管|KIA-MOS管
TO-220F 绝缘 MOS 管,免绝缘垫片,适配 PFC、开关电源
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | 12N65H(料号KNF12N65) |
| 封装 | TO-220F |
| 器件类型 | N沟道增强型MOSFET |
| 额定规格 | 12A,650V |
| 品牌 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 适用设计方向 |
|---|
| 高压高速功率开关、高效SMPS开关电源 |
| 有源功率因数校正APFC、半桥电子镇流器 |
| 特性项 | 说明 |
|---|---|
| 导通电阻 | Rds(on)=0.63Ω@VGS=10V |
| 栅极电荷 | 低栅荷,典型Qg=52nC |
| 开关性能 | 高速开关特性优秀 |
| 雪崩指标 | 官方标定雪崩能量参数 |
| 抗扰能力 | 优化dv/dt耐受性能 |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极 |
| 2 | Drain漏极 |
| 3 | Source源极 |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Vdss | 漏源耐压 | 650 | V |
| Vgss | 栅源耐压 | ±30 | V |
| Id连续 | 25℃连续漏极电流 | 12.0 | A |
| 100℃连续漏极电流 | 7.4 | A | |
| Idp | 脉冲漏极电流 | 48.0 | A |
| Ear | 重复雪崩能量 | 23.1 | mJ |
| Eas | 单脉冲雪崩能量 | 865 | mJ |
| dv/dt | 二极管恢复速率上限 | 4.5 | V/ns |
| Pd | 25℃总耗散功率 | 54 | W |
| 25℃以上降额系数 | 0.43 | W/℃ | |
| Tj | 最高结温 | +150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55~+150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RθJA | 结到环境热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到外壳热阻 | 2.33 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| BVdss | 漏源击穿电压 | VGS=0V,Id=250μA | 650 | V |
| Idss | 零栅压漏极电流 | Vds=650V,VGS=0V | 1 | μA |
| Vds=520V,Tc=125℃ | 10 | μA | ||
| Igss | 正向栅极漏电流 | VGS=30V,Vds=0V | 100 | nA |
| 反向栅极漏电流 | VGS=-30V,Vds=0V | -100 | nA | |
| △BVdss/△Tj | 击穿电压温漂系数 | Id=250μA | 0.7 | V/℃ |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| Vgs(th) | 栅极阈值电压 | Vds=VGS,Id=250μA | 2.0~4.0 | V |
| Rds(on) | 导通电阻 | VGS=10V,Id=6.0A | 0.63~0.75 | Ω |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| Ciss | 输入电容 | Vds=25V,VGS=0V,f=1MHz | 1850 | pF |
| Coss | 输出电容 | 180 | pF | |
| Crss | 反向传输电容 | 20 | pF |
| 符号 | 参数 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| td(on) | 开通延迟时间 | 30 | ns |
| tr | 上升时间 | 90 | ns |
| td(off) | 关断延迟时间 | 140 | ns |
| tf | 下降时间 | 90 | ns |
| 符号 | 参数 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Qg | 总栅极电荷 | 52 | nC |
| Qgs | 栅源电荷 | 8.5 | nC |
| Qgd | 栅漏密勒电荷 | 20 | nC |
| 符号 | 参数 | 上限/典型 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Vsd | 二极管正向压降 | 1.4 | V |
| Isd | 连续源极电流 | 12.0 | A |
| Ism | 脉冲源极电流 | 48.0 | A |
| trr | 反向恢复时间 | 430 | ns |
| Qrr | 反向恢复电荷 | 5.0 | μC |
| TO-220F封装适配平替型号 |
|---|
| FQP12N65F |
| SPP12N65C3F |
| IPA12N65F |
| CEF12N65 |
| AP12N65F |
| 推广维度 | 推广文案 |
|---|---|
| 封装优势 | TO-220F绝缘封装,省去绝缘片,降低装配成本 |
| 开关性能 | 低栅极电荷,适配APFC、半桥电源,能效更高 |
| 可靠性 | 865mJ单脉冲雪崩能量,抗浪涌不易炸管 |
| dv/dt耐受 | 优化抗电压变化能力,降低电源误开通风险 |
| 适配场景 | 开关电源、PFC电路、电子镇流器批量适配 |
| 供应链 | KIA原厂供货,配套多款平替规避物料断供 |
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