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KIA KNM24N50L 高雪崩 TO-247 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-07-24 

KIA KNM24N50L 高雪崩 TO-247 MOS管|KIA-MOS管

TO-247 低散热阻 MOS 管,适配焊机、无刷电机大功率工况

KNM24N50L

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KNM24N50L TO-247 MOS管参数、平替型号、推广说明

一、KNM24N50L( TO-247封装)基础产品信息

项目 参数详情
产品型号 KNM24N50L(简称24N50L)
封装 TO-247
器件类型 N沟道MOSFET
额定规格 24A,500V
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)

1.KNM24N50L( TO-247封装)产品特性

特性项 说明
制造工艺 先进平面工艺
导通电阻 Rds(on)典型160mΩ@VGS=10V
开关性能 栅极电荷低,降低开关损耗
栅极结构 耐用多晶硅栅极结构
安全工作区 拓展FBSOA安全工作区间

2.KNM24N50L( TO-247封装)应用场景

适用设备
BLDC无刷电机驱动器
电焊机
高效率SMPS开关电源

3.KNM24N50L( TO-247封装)引脚定义

引脚号 功能
1 Gate栅极
2 Drain漏极
3 Source源极

4.KNM24N50L( TO-247封装)订购信息

型号 封装 品牌
KNM24N50L TO-247 KIA

5.KNM24N50L( TO-247封装)最大额定参数(Tc=25℃)

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏源耐压 500 V
VGSS 栅源耐压 ±30 V
ID(25℃) 连续漏极电流 24 A
ID(100℃) 100℃连续漏极电流 16 A
IDM 脉冲漏极电流 96 A
EAS 单脉冲雪崩能量 2500 mJ
dv/dt 二极管恢复速率 5 V/ns
PD 功耗(Tc=25℃) 300 W
高温降额系数 2.4 W/℃
TL 引脚焊接最高温(10s) 300
TPAK 封装本体耐温(10s) 260
TJ,TSTG 工作、存储温度 -55~150

6.KNM24N50L( TO-247封装)热学参数

符号 参数 数值 单位
RθJC 结到外壳热阻 0.42 ℃/W
RθJA 结到环境热阻 40 ℃/W

7.KNM24N50L( TO-247封装)电气特性(TJ=25℃)

7.1关态特性

符号 参数 测试条件 上限 单位
BVDSS 漏源击穿电压 VGS=0V,ID=250uA 500 V
IDSS 漏极漏电流 VDS=500V,VGS=0V 1 uA
VDS=400V,VGS=0V,TJ=125℃ 125 uA
IGSS 栅源正向漏电流 VGS=±30V,VDS=0V ±100 nA

7.2开态特性

符号 参数 测试条件 典型/最值 单位
RDS(on) 导通电阻 VGS=10V,ID=12A 160~220mΩ
VGS(TH) 栅极阈值电压 VDS=VGS,ID=250uA 3.0~5.0 V
gfs 正向跨导 VDS=25V,ID=12A 32 S

7.3电容、栅极电荷

符号 参数 测试条件 典型值 单位
Ciss 输入电容 VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz 5800 pF
Coss 输出电容 600 pF
Crss 反向传输电容 98 pF
Qg 总栅极电荷 VDD=250V,ID=24A,VGS:0→10V 150 nC
Qgs 栅源电荷 39 nC
Qgd 栅漏密勒电荷 82 nC

7.4开关时间

符号 参数 典型值 单位
td(on) 开通延迟 120 ns
tr 上升时间 450 ns
td(off) 关断延迟 180 ns
tf 下降时间 155 ns

7.5体二极管参数

符号 参数 最大值 单位
ISD 连续源极电流 24 A
ISM 脉冲源极电流 96 A
VSD 二极管正向压降 1.5 V
trr 反向恢复时间 830 ns
Qrr 反向恢复电荷 0.95 uC

二、KNM24N50L( TO-247封装)平替替代型号清单(窄屏竖排)

KNM24N50L

TO-247封装适配平替型号
FMW24N50
IPA24N50S3
H24N50
IRFP24N50
SPP24N50C3

三、KNM24N50L( TO-247封装)官网营销推广要点

推广维度 推广文案
散热优势 TO-247封装、低热阻,适配大功率散热场景
耐冲击性 雪崩能量2500mJ,电焊机电机负载抗浪涌
低损耗 典型160mΩ内阻,栅荷适中,电源能效更高
应用适配 适配无刷电机、焊机、大功率开关电源
结构可靠 加固多晶硅栅极,拓展安全工作区不易击穿
供应链 KIA原厂供货,配套多款平替规避断料风险

联系方式:邹先生

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