KNP45100A TO-220 1000V6A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-07-28
KNP45100A TO-220 1000V6A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KIA KNP45100A TO-220 N沟道高压MOSFET
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| 参数项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KND45100A(TO-252)、KNP45100A(TO-220)、KNF45100A(TO-220F) |
| 器件类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 封装规格 | TO-220（本次主推型号KNP45100A） |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor |
| 核心规格 | 1000V耐压，连续漏极电流6A |
| 引脚定义 | 1-Gate，2-Drain，3-Source |
| 序号 | 特性说明 |
|---|---|
| 1 | 产品符合RoHS环保合规标准 |
| 2 | Rds(on)=2.0Ω(典型) @VGS=10V，导通损耗低 |
| 3 | 低栅极电荷，有效最小化电路开关损耗 |
| 4 | 内置快恢复体二极管，反向恢复性能优异 |
| 序号 | 适用设备领域 |
|---|---|
| 1 | 各类电源适配器、直流稳压适配器 |
| 2 | 锂电充电器、小型储能充电模块 |
| 3 | SMPS开关电源待机辅助功率电路 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(Tj=25℃) | Vdss | 1000 | V |
| 栅源电压 | Vgss | ±30 | V |
| 25℃连续漏极电流 | Id | 6.0 | A |
| 脉冲漏极电流(VGS=10V) | IdM | 24 | A |
| 单脉冲雪崩能量(VDD=50V) | EAS | 500 | mJ |
| 最大功耗 | Pd | 65 | W |
| 最高结温 | TJmax | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.92 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 100 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=1000V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅极漏电流 | Igss | VGS=±30V,Vds=0V | -100 | - | 100 | nA |
| 导通电阻 | Rds(on) | VGS=10V,Id=3.0A | - | 2.0 | 2.3 | Ω |
| 栅阈值电压 | VGS(th) | Vds=VGS,Id=250uA | 3.0 | - | 5.0 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz | - | 1600 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz | - | 20 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz | - | 130 | - | pF |
| 总栅电荷 | Qg | VDD=500V,Id=6A,VGS=10V | - | 35 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDD=500V,Id=6A,VGS=10V | - | 10 | - | nC |
| 栅漏米勒电荷 | Qgd | VDD=500V,Id=6A,VGS=10V | - | 10 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=500V,Id=3A,RG=4.7Ω | - | 22 | - | ns |
| 上升时间 | trise | VDD=500V,Id=3A,RG=4.7Ω | - | 45 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=500V,Id=3A,RG=4.7Ω | - | 45 | - | ns |
| 下降时间 | tfall | VDD=500V,Id=3A,RG=4.7Ω | - | 50 | - | ns |
| 连续源极电流 | Isd | MOS内置PN体二极管 | - | - | 6 | A |
| 二极管正向压降 | Vsd | Is=6.0A,VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V,If=6A,dIf/dt=-100A/μs | - | 220 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | VGS=0V,If=6A,dIf/dt=-100A/μs | - | 1.0 | - | uC |
七、KNP45100A（ TO-220封装）平替替代型号清单（窄屏竖排展示）
| KNP45100A 适配平替型号 | 型号替代说明 |
|---|---|
|
FQP6N100 6N100K SPP06N100C3 FQPF6N100 STP6N100K5 IPA6N100 |
同规格1000V/6A TO220高压N沟道MOS，导通电阻参数接近，可直接硬件替换，适配适配器、充电器、开关电源待机电路 |
| 测试电路名称 | 电路用途 |
|---|---|
| 最大安全工作区测试电路 | 测试MOS管安全电流电压工作区间 |
| 开关特性测试电路 | 测试开通、关断延时与升降时间 |
| 栅电荷测试电路 | 检测Qg/Qgs/Qgd栅极电荷参数 |
| 无钳位电感雪崩测试电路 | 测试器件雪崩耐受、单脉冲EAS能量 |
| 体二极管反向恢复测试电路 | 测试体二极管trr反向恢复参数 |
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