KCT019N11N TOLL-8 110V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-07-29
KCT019N11N TOLL-8 110V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KCT019N11N、TOLL-8 MOS 管、KIA MOS管、110V N 沟道 MOS管、
KCT019N11N、TOLL-8 MOS 管、KIA MOS管、110V N 沟道 MOS管
1. 超低导通电阻Rds(on)典型1.2mΩ，大电流工作发热低，解决设备高温降功率故障；
2. 低栅电荷Qg典型213.7nC、低Crss仅101pF，开关损耗大幅降低，提升DC-DC转换效率；
3. 110V耐压、连续370A大电流负载能力，满足大功率电机驱动、BMS储能系统；
4. TOLL-8L贴片封装，散热性能优异，Rth(jc)仅0.26℃/W，适配高密度PCB布局；
5. 全流程100%雪崩能量、DVDS耐压检测，内置快恢复体二极管，可靠性强；
6. RoHS无卤环保物料，卷带2000pcs标准出货，现货稳定供应，可直接替换同规格MOS。
大功率电机驱动器、工业DC/DC降压升压变换器、新能源汽车电池管理系统BMS、大功率储能电源、大功率快充充电桩电源模块。
| 产品型号 | KCT019N11N |
|---|---|
| 封装形式 | TOLL-8L 贴片功率封装 |
| 产品类型 | N沟道功率MOSFET场效应管 |
| 核心参数摘要 | Vds=110V；Id连续370A；Rds(on)典型1.2mΩ |
| 环保等级 | RoHS合规、HF无卤 |
| 包装规格 | 卷带Tape&Reel，每卷2000pcs |
| 出厂检测标准 | 100% DVDS耐压测试、100% Avalanche雪崩能量测试 |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压(Vgs=0V) | Vds | 110 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | Id | 370 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | Id | 259 | A |
| 脉冲漏极电流 | Id(pulse) | 1480 | A |
| 栅源电压范围 | Vgs | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 1731 | mJ |
| 最大耗散功率 | Pd | 481 | W |
| 连续二极管正向电流 | Is | 370 | A |
| 二极管脉冲电流 | Is(pulse) | 1480 | A |
| 结温/存储温度范围 | Tj,Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
| 热阻（结到外壳） | Rth(jc) | 0.26 | ℃/W |
| 热阻（结到环境） | Rth(ja) | 25 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)dss | Vgs=0V,Id=250uA | 110 | - | - | V |
| 零栅压漏极电流(25℃) | Idss | Vds=110V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 零栅压漏极电流(150℃) | Idss | Vds=110V,Vgs=0V | - | - | 100 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V | - | - | ±100 | nA |
| 栅源开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=70A | - | 1.2 | 1.9 | mΩ |
| 栅极内阻 | Rg | f=1.0MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Typ数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | Vgs=0V,Vds=55V,f=1MHz | 13061 | pF |
| 输出电容 | Coss | Vgs=0V,Vds=55V,f=1MHz | 3129 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vgs=0V,Vds=55V,f=1MHz | 101 | pF |
| 总栅电荷 | Qg | Vgs=10V,Vdd=55V,Id=70A | 213.7 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vgs=10V,Vdd=55V,Id=70A | 78 | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vgs=10V,Vdd=55V,Id=70A | 67 | nC |
| 密勒平台电压 | Vplateau | Vgs=10V,Vdd=55V,Id=70A | 6.4 | V |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Typ数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟时间 | td(on) | Vgs=10V,Vdd=55V,Rg=3Ω,Id=70A | 40 | ns |
| 开通上升时间 | tr | Vgs=10V,Vdd=55V,Rg=3Ω,Id=70A | 32 | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vgs=10V,Vdd=55V,Rg=3Ω,Id=70A | 100 | ns |
| 关断下降时间 | tf | Vgs=10V,Vdd=55V,Rg=3Ω,Id=70A | 36 | ns |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降 | Vsd | Tj=25℃,Is=70A,Vgs=0V | 0.9 | 1.4 | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=70A,dIf/dt=100A/us | 110 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | If=70A,dIf/dt=100A/us | 300 | - | nC |
| 尺寸标识 | 最小值Min | 标准值Nom | 最大值Max | 尺寸标识 | 最小值Min | 标准值Nom | 最大值Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A | 2.200 | 2.300 | 2.400 | A1 | 1.700 | 1.800 | 1.900 |
| B | 0.700 | 0.800 | 0.900 | B1 | 9.700 | 9.800 | 9.900 |
| B2 | 1.100 | 1.200 | 1.300 | C | 0.400 | 0.500 | 0.600 |
| D | 10.300 | 10.400 | 10.500 | D1 | 11.000 | 11.100 | 11.200 |
| D2 | 3.200 | 3.300 | 3.400 | D3 | 4.470 | 4.570 | 4.670 |
| E | 9.800 | 9.900 | 10.000 | E1 | 8.000 | 8.100 | 8.200 |
| E2 | 0.500 | 0.600 | 0.700 | e | 1.200 BSC | ||
| H | 11.600 | 11.700 | 11.800 | H1 | 6.950 BSC | ||
| H2 | 5.900 BSC | I | 0.050 | 0.100 | 0.150 | ||
| J | 0.350 REF. | K | 3.100 REF. | ||||
| L | 1.550 | 1.650 | 1.750 | L1 | 0.600 | 0.700 | 0.800 |
| L2 | 0.500 | 0.600 | 0.700 | L3 | 0.400 | 0.500 | 0.600 |
| Q | 8.000 REF. | R | 3.000 | 3.100 | 3.200 | ||
| a | 10° REF. | ||||||
注：以上型号耐压100~110V、持续电流300A以上、TOLL/TOLL-8贴片封装，可直接硬件引脚兼容替换。
| 图表分类 | 图表内容简述 |
|---|---|
| 瞬态热阻抗曲线Figure1 | 不同占空比、脉冲宽度下器件热阻变化曲线，用于散热设计 |
| 安全工作区SOA Figure2 | 直流/10us/100us/1ms/10ms脉冲下Id-Vds安全工作边界 |
| 输出特性曲线Figure3 | 不同Vgs栅压下，漏极电流Id随Vds电压变化曲线 |
| 转移特性曲线Figure4 | 25℃环境下漏极电流Id随栅源电压Vgs变化导通曲线 |
| 导通电阻vs漏极电流Figure5 | Vgs=10V条件下，Rds(on)随负载电流Id变化曲线 |
| 极间电容特性Figure6 | Ciss/Coss/Crss输入/输出/反向电容随Vds电压变化曲线 |
| 栅电荷特性Figure7 | Id=70A负载下，Vgs栅压随总栅电荷Qg变化密勒平台曲线 |
| 体二极管正向电压Figure8 | 源漏正向电流Is随Vsd二极管正向压降变化曲线 |
| 击穿电压vs结温Figure9 | 归一化V(BR)dss击穿电压随芯片结温Tj变化曲线 |
| 导通电阻vs结温Figure10 | Vgs=10V、Id=70A下，归一化Rds(on)随结温升高上升曲线 |
| 阈值电压vs结温Figure11 | 归一化Vgs(th)开启电压随芯片结温升高下降曲线 |
| 栅电荷测试电路FigureA | 标准Qg/Qgs/Qgd栅电荷测试原理图+电压电流波形图 |
| 阻性开关测试电路FigureB | 阻性负载开通/关断时间td/tr/tf标准测试电路与波形 |
| 无钳位感性开关电路FigureC | 雪崩能量Eas测试感性电路、单脉冲雪崩电流电压波形 |
联系方式：邹先生
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