KND42120A TO-252 1200V 3A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KIA 可易亚 KND42120A 高压 MOSFET，Rds (on) 低，适配充电器、
开关电源待机电路，国产现货可替代进口型号
KND42120A，KND42120A MOS管，KIA KND42120A
KND42120A TO-252｜3A 1200V N沟道MOS管｜KIA-MOS管
KND42120A 为KIA可易亚半导体高压N沟道功率MOSFET，TO-252贴片封装，适用于适配器、充电器、开关电源待机电源电路。
一、KNK75100A （ TO-264封装）基础产品信息
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型号全称
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KND42120A
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品牌
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KIA（KMOS Semiconductor可易亚半导体）
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封装形式
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TO-252（DPAK）
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管子类型
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N-CHANNEL N沟道MOSFET
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同类衍生型号
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KNP42120A(TO-220)、KNF42120A(TO-220F)
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引脚定义
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1-Gate栅极｜2-Drain漏极｜3-Source源极
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二、KNK75100A （ TO-264封装）产品核心特性
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? RoHS环保合规
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? VGS=10V时Rds(on)典型值7.0Ω
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? 低栅极电荷，降低开关损耗
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? 内置快恢复体二极管
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三、KNK75100A （ TO-264封装）典型应用场景
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?? 电源适配器
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?? 各类充电器
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? SMPS开关电源待机电源线路
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四、KNK75100A （ TO-264封装）绝对最大额定值（Tc=25℃）
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压(Tj=25℃)
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VDSS
|
1200
|
V
|
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栅源电压
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VGSS
|
±30
|
V
|
|
连续漏极电流
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ID
|
3.0
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
IDM
|
12
|
A
|
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单脉冲雪崩能量(VDD=50V)
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EAS
|
100
|
mJ
|
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最大耗散功率
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PD
|
75
|
W
|
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最高结温
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TJmax
|
150
|
℃
|
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储存温度范围
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TSTG
|
-55 ~ 150
|
℃
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五、KNK75100A （ TO-264封装）热特性参数
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参数名称
|
符号
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参数值
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单位
|
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结到外壳热阻
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RθJC
|
1.67
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
75
|
℃/W
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六、KNK75100A （ TO-264封装）电气特性参数（Tj=25℃）
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参数名称
|
符号
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测试条件
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Min
|
Typ
|
Max
|
Unit
|
|
漏源击穿电压
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BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
1200
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
IDSS
|
VDS=1200V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-100
|
-
|
100
|
nA
|
|
导通电阻
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=1.5A
|
-
|
7.0
|
9.0
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.5
|
-
|
4.5
|
V
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
-
|
860
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
22
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
60
|
-
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
VDD=600V,ID=3A,VGS=10V
|
-
|
17.5
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
5.0
|
-
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
5.5
|
-
|
nC
|
|
开通延迟时间
|
td(ON)
|
VDD=600V,ID=3A,RG=4.7Ω
VGS=10V，阻性负载
|
-
|
17
|
-
|
nS
|
|
上升时间trise
|
trise
|
-
|
6.0
|
-
|
nS
|
|
关断延迟时间
|
td(OFF)
|
-
|
23
|
-
|
nS
|
|
下降时间tfall
|
tfall
|
-
|
11
|
-
|
nS
|
|
连续源极电流
|
ISD
|
—
|
-
|
-
|
3.0
|
A
|
|
体二极管正向电压
|
VSD
|
IS=3.0A,VGS=0V
|
-
|
-
|
1.5
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
VGS=0V,IF=3A,diF/dt=-100A/μs
|
-
|
200
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
-
|
760
|
-
|
nC
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七、KNK75100A （ TO-264封装）平替替代型号清单（TO-252｜1200V 3A N沟道MOS）
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可兼容平替型号
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STD3NK120T4
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FQD3N120
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IPA60R1200P（参数对照选型）
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SPW3N120C
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AP3N120W
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UTC 3N120
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八、KNK75100A （ TO-264封装）产品营销简介（官网展示文案）
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KND42120A是KIA半导体1200V高压N沟道MOSFET，TO-252贴片封装。
器件具备低栅电荷特性，有效降低高频开关电源损耗；内置快恢复体二极管。
额定电流3A，耐压1200V，非常适合中小功率适配器、充电器、
开关电源待机电源方案，国产替代进口高压MOS优选型号，交期稳定。
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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